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信頼性研究会(R) [schedule] [select]
専門委員長 福田 収一
副委員長 柳 繁
幹事 若井 一顕, 弓削 哲史
幹事補佐 井原 惇行, 深井 佳乃

電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 和保 孝夫
副委員長 葛原 正明
幹事 田中 毅, 新井 学
幹事補佐 高谷 信一郎

日時 2005年11月25日(金) 10:10 - 16:20
議題 半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性,信頼性一般 
会場名 (社)中央電気倶楽部 
住所 大阪市北区堂島浜2-1-25
交通案内 大阪駅より徒歩12分,JR北新地駅より徒歩6分
http://www.chuodenki-club.or.jp/map/annai.html
会場世話人
連絡先
06-6345-6351
他の共催 ◆日本信頼性学会関西支部, IEEE-RS Japan Chapter共催

11月25日(金) 午前 
10:10 - 11:30
(1) 10:10-10:50 [招待講演]低温多結晶シリコン薄膜トランジスタの信頼性評価技術 浦岡行治冬木 隆奈良先端大
(2) 10:50-11:30 [招待講演]有機ELディスプレイ用水蒸気バリア膜の形成 ~ 低温触媒CVD装置の開発 ~ 部家 彰兵庫県立大)・南川俊治石川工試)・仁木敏一南 茂平石川製作所)・増田 淳梅本宏信北陸先端大)・松尾直人兵庫県立大)・松村英樹北陸先端大
11月25日(金) 午後 
13:10 - 16:20
(3) 13:10-13:35 Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発 寺本章伸渡辺一史黒田理人東北大)・三富士道彦山葉隆久ローム)・須川成利大見忠弘東北大
(4) 13:35-14:00 SOIウェーハの非接触電気特性評価 宇野良平吉田晴彦佐藤真一兵庫県立大
(5) 14:00-14:25 Scan チェーンを活用した故障部位特定手法とその解析事例 片岡 武渡部尚数河南 靖田中雅二松下電器
(6) 14:25-14:50 動作電流密度2mA/um2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT 深井佳乃栗島賢二井田 実山幡章司榎木孝知NTT
  14:50-15:05 休憩 ( 15分 )
(7) 15:05-15:30 GaAs高周波デバイスの湿度に起因した劣化 野上洋一日坂隆行吉田直人三菱電機
(8) 15:30-15:55 水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価 須田将之都立大)・中村成志須原理彦奥村次徳都立大/首都大東京
(9) 15:55-16:20 ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおけるの異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討 葛西誠也小谷淳二長谷川英機橋詰 保北大

講演時間
一般講演(25)発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演(40)発表 35 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
R 信頼性研究会(R)   [今後の予定はこちら]
問合先 若井一顕(NHK 技術局 送信技術センター 菖蒲久喜放送所)
TEL0480-85-1118,FAX0480-85-1508
E-: ik-dm 
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 田中 毅(松下電器)
TEL: 075-956-9083, FAX: 075-956-9110
E-: pac
新井 学(新日本無線)
TEL: 049-278-1477, FAX: 049-278-1419
E-: injr
高谷 信一郎(日立製作所)
TEL: 0423-23-1111, FAX: 0423-27-7738
E-: crl 


Last modified: 2005-09-26 20:21:18


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