お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2020年7月開催~)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催プログラム
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップ  戻る   前のSDM研究会 / 次のSDM研究会 [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT]  [Japanese] / [English] 


シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 遠藤 哲郎 (東北大)
副委員長 奈良 安雄 (富士通セミコンダクター)
幹事 小野 行徳 (NTT), 野村 晋太郎 (筑波大)
幹事補佐 笹子 佳孝 (日立)

{INFOMESITEM}
日時 2011年10月20日(木) 13:30 - 17:40
2011年10月21日(金) 09:00 - 16:40
議題 プロセス科学と新プロセス技術 
会場名 東北大学未来科学技術共同研究センター 未来情報産業研究館 
住所 〒980-8579 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉6-6-10 東北大学 未来情報産業研究館
交通案内 http://www.fff.niche.tohoku.ac.jp/
会場世話人
連絡先
未来科学技術共同研究センター 後藤哲也
022-795-3977
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

10月20日(木) 午後 
13:30 - 17:40
(1) 13:30-14:20 [招待講演]完全空乏型SOI MOSFETにおける特性ばらつきとランダムテレグラフノイズ SDM2011-97 平本俊郎東大
(2) 14:20-14:45 埋め込み構造によるMOSFETにおけるランダム・テレグラフ・ノイズの低減 SDM2011-98 鈴木裕彌黒田理人寺本章伸米澤彰浩松岡弘章中澤泰希阿部健一須川成利大見忠弘東北大
(3) 14:45-15:10 異常Stress Induced Leakage Currentの発生・回復特性の統計的評価 SDM2011-99 稲塚卓也熊谷勇喜黒田理人寺本章伸須川成利大見忠弘東北大
  15:10-15:20 休憩 ( 10分 )
(4) 15:20-15:45 Effect of Si surface roughness on electrical characteristics of HfON gate insulator SDM2011-100 Dae-Hee HanShun-ichiro OhmiTokyo Inst. of Tech.
(5) 15:45-16:10 ラジカル反応ベース絶縁膜形成プロセスにおける界面平坦化効果と絶縁膜破壊特性との関係 SDM2011-101 黒田理人寺本章伸李 翔諏訪智之須川成利大見忠弘東北大
(6) 16:10-17:40 [特別講演]学問に基づいた本物のシリコン産業技術の創出 SDM2011-102 大見忠弘東北大
  17:40-18:00 休憩 ( 20分 )
  18:00-20:00 懇親会 ( 120分 )
10月21日(金) 午前 
09:00 - 16:40
(7) 09:00-09:50 [招待講演]角度分解硬X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価 SDM2011-103 野平博司小松 新那須賢太郎星 裕介榑林 徹澤野憲太郎東京都市大)・マクシム ミロノフWarwick大)・白木靖寛東京都市大
(8) 09:50-10:15 32nmノードCMOSFETのチャネルひずみ評価 SDM2011-104 武井宗久橋口裕樹山口拓也小瀬村大亮明大)・永田晃基明大/学振)・小椋厚志明大
(9) 10:15-10:40 SiO2/Si界面における構造遷移層の酸化手法依存性 SDM2011-105 諏訪智之熊谷勇喜寺本章伸東北大)・木下豊彦室隆桂之高輝度光科学研究センター)・服部健雄大見忠弘東北大
  10:40-10:50 休憩 ( 10分 )
(10) 10:50-11:15 AR-XPSによる種々の表面処理したIn0.53Ga0.47As表面の化学結合状態の評価 SDM2011-106 沼尻侑也山下晃司小松 新東京都市大)・ザデ ダリューシュ角嶋邦之岩井 洋東工大)・野平博司東京都市大
(11) 11:15-11:40 混晶化によるPtSiのコンタクト抵抗低減に関する検討 SDM2011-107 大見俊一郎東工大
(12) 11:40-12:05 Effect of peripheral region on the electrical properties of pentacene-based organic field-effect transistors with HfON gate insulator SDM2011-108 Min LiaoHiroshi IshiwaraShun-ichiro OhmiTokyo Inst. of Tech.
  12:05-13:10 昼食 ( 65分 )
(13) 13:10-14:00 [招待講演]実験融合マルチレベルコンピュータ化学手法の開発とシリコン材料・デバイスへの応用 SDM2011-109 宮本 明南雲 亮三浦隆治鈴木 愛坪井秀行畠山 望高羽洋充小澤純夫東北大
(14) 14:00-14:50 [招待講演]物理的プラズマダメージによるMOSFETバラツキ増大予測のための包括モデル SDM2011-110 江利口浩二中久保義則松田朝彦鷹尾祥典斧 高一京大
(15) 14:50-15:15 電気的手法を用いた物理的Si基板ダメージのプラズマプロセス依存性の検討 SDM2011-111 中久保義則江利口浩二松田朝彦鷹尾祥典斧 高一京大
  15:15-15:25 休憩 ( 10分 )
(16) 15:25-15:50 高純度有機金属ガス供給システムに関する研究 SDM2011-112 山下 哲石井秀和志波良信北野真史白井泰雪須川成利大見忠弘東北大
(17) 15:50-16:15 TSVを用いた3次元FPGAの性能評価 SDM2011-113 宮本直人東北大)・松本洋平東京海洋大)・小池汎平産総研)・松村忠幸長田健一中川八穂子超先端電子技術開発機構)・大見忠弘東北大
(18) 16:15-16:40 高精密三次元実装にむけた、アルカリエッチングによるシリコン貫通電極形成技術 SDM2011-114 吉川和博プレテックAT)・吉田達朗添田一喜平塚亮輔大見忠弘東北大

講演時間
一般講演(25)発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演(50)発表 40 分 + 質疑応答 10 分
特別講演(90)発表 80 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 小野 行徳(NTT)
Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317
E-: o 


Last modified: 2011-08-21 12:03:35


ご注意: 迷惑メール対策のためメールアドレスの一部の文字を置換しております.ご了承ください.

[この開催に関する講演論文リストをダウンロードする] ※ こちらのページの最下にあるダウンロードボタンを押してください
 

[技術研究報告冊子体販売対象研究会向け:技報の当日価格一覧] ※ 開催2週間前頃に掲載されます
 
[研究会発表・参加方法,FAQ] ※ ご一読ください
 
[研究会資料インデックス(vol. no.ごとの表紙と目次)]
 

[SDM研究会のスケジュールに戻る]   /  
 
 トップ  戻る   前のSDM研究会 / 次のSDM研究会 [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT]  [Japanese] / [English] 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会