6月25日(月) 午前  11:00 - 16:55
(1)	11:00-11:20	オフ角を有するm面GaN基板上GaN-MOSキャパシタの界面準位評価 SDM2018-16	○出来真斗・安藤悠人・渡邉浩崇・田中敦之・久志本真希・新田州吾・本田善央・天野　浩（名大）
(2)	11:20-11:40	ArまたはHe希釈リモート酸素プラズマCVDによって形成したSiO2/GaN界面の構造・特性比較 SDM2018-17	グェン スァン チュン（名大）・○田岡紀之（AIST-NU GaN-OIL）・大田晃生（名大）・山田　永・高橋言緒（AIST-NU GaN-OIL）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（AIST-NU GaN-OIL）・宮崎誠一（名大）
(3)	11:40-12:00	高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御 SDM2018-18	○細井卓治・山田高寛・野崎幹人（阪大）・高橋言諸・山田　永・清水三聡（産総研）・吉越章隆（原子力機構）・志村考功・渡部平司（阪大）
(4)	12:00-12:20	n-GaN自然酸化膜界面層がAl2O3/n-GaN MOSキャパシタの電気特性へ及ぼす効果 SDM2018-19	○弓削雅津也（芝浦工大）・生田目俊秀・色川芳宏・大井暁彦・池田直樹・Liwen Sang・小出康夫（物質・材料研究機構）・大石知司（芝浦工大）
	12:20-13:30	昼食　（ 70分 ）
(5)	13:30-14:00	［依頼講演］反転層チャネルダイヤモンドMOSFET ～ ウェットアニール処理による高品質ダイヤモンドMOS界面の形成 ～ SDM2018-20	○松本　翼（金沢大）・加藤宙光・牧野俊晴・小倉政彦・竹内大輔（産総研）・猪熊孝夫（金沢大）・山崎　聡（産総研）・徳田規夫（金沢大）
(6)	14:00-14:30	［依頼講演］ダイヤモンドパワー電界効果トランジスタの進展 SDM2018-21	○川原田　洋・大井信敬・畢　特・今西祥一朗・岩瀧雅幸・矢部太一・平岩　篤（早大）
(7)	14:30-15:00	［依頼講演］ダイヤモンドデバイス応用研究の現状と課題：バルク・表面の結晶品質	○加藤有香子（産総研）・滝沢耕平（東京都市大）・牧野俊晴・加藤宙光・小倉政彦・竹内大輔・山崎　聡（産総研）・野平博司（東京都市大）
	15:00-15:15	休憩　（ 15分 ）
(8)	15:15-15:35	リモートプラズマ支援CVDにより形成したSiO2/GaN界面の化学結合状態および熱的安定性評価 SDM2018-22	○松田亮平・大田晃生（名大）・田岡紀之（産総研）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（産総研）・宮崎誠一（名大）
(9)	15:35-15:55	酸素ラジカル照射によるAl2O3/SiC MOS界面の改質効果 SDM2018-23	○土井拓馬（名大）・竹内和歌奈（愛知工大）・坂下満男（名大）・田岡紀之（産総研）・中塚　理・財満鎭明（名大）
(10)	15:55-16:15	第一原理計算による超格子GeTe/Sb2Te3相変化メモリの理論的検討 SDM2018-24	○野原弘晶・白川裕規・洗平昌晃・白石賢二（名大）
(11)	16:15-16:35	HfO2系強誘電体薄膜の大きな抗電界がもたらす課題 SDM2018-25	○右田真司・太田裕之（産総研）・鳥海　明（東大）
(12)	16:35-16:55	X線光電子分光法によるY2O3/SiO2界面におけるシリケート化反応およびダイポールの評価 SDM2018-26	藤村信幸・○大田晃生・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大）

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	黒田 理人(東北大) Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834 E-: e3

Last modified: 2018-04-20 18:00:03