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研究会 開催プログラム - 2009-12-SDM
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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 渡辺 重佳 (湘南工科大)
副委員長 杉井 寿博 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事 安斎 久浩 (ソニー), 遠藤 哲郎 (東北大)
幹事補佐 大西 克典 (九工大), 小野 行徳 (NTT)

日時 2009年12月 4日(金) 09:20 - 17:30
議題 シリコン関連材料の作製と評価 
会場名 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 
住所 〒630-0192 奈良県生駒市高山町8916-5
交通案内 近鉄高の原駅からバス20分
http://www.naist.jp/accessmap/index_j.html
会場世話人
連絡先
物質創成科学研究科 浦岡行治
0743-72-6060

12月4日(金) 午前 
09:20 - 17:30
(1) 09:20-09:40 マイクロ波焼成によるZnS系無機EL蛍光体の発光特性の改善 小林祐輔奈良先端大)・田口信義イメージテック)・須崎昌己阪府高専)・堀田昌宏奈良先端大)・浦岡行治奈良先端大/JST
(2) 09:40-10:00 4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減 岡本 大矢野裕司平田憲司畑山智亮冬木 隆奈良先端大
(3) 10:00-10:20 電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化 野尻琢慎柳澤英樹明神善子松浦秀治阪電通大)・大島 武原子力機構
(4) 10:20-10:40 200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究 ~ ドープ量依存性 ~ 柳澤英樹西野公三野尻琢慎松浦秀治阪電通大)・大島 武原子力機構
(5) 10:40-11:00 電子線照射によって生じるC変位によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度減少について 西野公三柳澤英樹野尻琢慎松浦秀治阪電通大)・大島 武原子力機構
(6) 11:00-11:20 薄膜トランジスタをもちいたポテンシオスタットによる電気化学測定 分銅衡介飯室恵紀瀬津光司龍谷大)・佐川祐樹奈良先端大)・木村 睦龍谷大
(7) 11:20-11:40 Poly-Si TFTにおけるゲート酸化膜へのホットホール注入と捕獲/放出特性の評価 鎌倉良成阪大)・日昔 崇阪大/関西大)・辻 博史谷口研二阪大
(8) 11:40-12:00 エタノールクラスターイオンビームを用いたシリコン基板の微細加工 向井 寛龍頭啓充竹内光明高岡義寛京大
  12:00-13:00 休憩 ( 60分 )
(9) 13:00-13:30 [招待講演]High-k/メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性 西田征男ルネサステクノロジ/広島大)・永久克己清水昭博山下朋弘尾田秀一井上靖朗ルネサステクノロジ)・○芝原健太郎広島大/ルネサステクノロジ
(10) 13:30-13:50 X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化 ~ シミュレーションによる評価 ~ 北野谷征吾三宅貴之谷口征大松浦秀治阪電通大
(11) 13:50-14:10 三次元基板のグリーンレーザー結晶化によるLTPS-TFTフラッシュメモリの特性評価 市川和典松江将博赤松 浩神戸高専)・浦岡行治奈良先端大
(12) 14:10-14:30 薄膜デバイスの人工網膜への応用検討 三浦佑太小倉 健大野史郎龍谷大)・八田智久西崎仁貴山下毅彦奈良先端大)・島 武弘木村 睦龍谷大
(13) 14:30-14:50 ガラス上に形成された大粒径を有する多結晶シリコン薄膜におけるゲッタリング現象 原 明人佐藤 功東北学院大
(14) 14:50-15:10 Poly-Si TFTによるデバイスレベルのニューラルネットワーク 三島大樹谷口 仁笠川知洋龍谷大)・田畑裕貴小野寺 亮奈良先端大)・小嶋明樹木村 睦龍谷大
  15:10-15:30 休憩 ( 20分 )
(15) 15:30-15:50 レーザプラズマ軟X線照射により形成された擬似結晶核を介したa-Si膜の結晶化 礒田伸哉松尾直人天野 壮部家 彰宮本修治望月孝晏兵庫県立大
(16) 15:50-16:10 熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO2膜及びSiO2/Si界面の形成 広重康夫東 清一郎宮崎祐介松本和也宮崎誠一広島大
(17) 16:10-16:30 強誘電体インクの安定性改善 大場友裕前田慎弥山口正樹芝浦工大
(18) 16:30-16:50 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気的特性の組成依存性 岩田達哉西 佑介木本恒暢京大
(19) 16:50-17:10 二次電子像によるC-AFM抵抗書き込み領域識別技術の適用によるReRAM動作機構の解明 牧野達也木下健太郎土橋一史依田貴稔岸田 悟鳥取大
(20) 17:10-17:30 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜中の欠陥準位の検出 西 佑介岩田達哉木本恒暢京大

講演時間
一般講演発表 15 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 25 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 安斎 久浩(ソニー)
Tel 046-201-3297 Fax046-202-6572
E-: HiAniny 


Last modified: 2009-10-15 22:59:26


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