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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 品田 高宏 (東北大)
副委員長 平野 博茂 (パナソニック・タワージャズ)
幹事 池田 浩也 (静岡大), 諸岡 哲 (東芝メモリー)
幹事補佐 森 貴洋 (産総研), 小林 伸彰 (日大)

日時 2018年10月17日(水) 14:00 - 17:25
2018年10月18日(木) 09:30 - 15:20
議題 プロセス科学と新プロセス技術 
会場名 東北大学未来科学技術共同研究センター・未来情報産業研究館5F 
住所 〒980-8579 仙台市青葉区荒巻字青葉6-6-10
交通案内 地下鉄東西線「青葉山駅」から徒歩2分
http://www.fff.niche.tohoku.ac.jp/
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(SDM研究会)についてはこちらをご覧ください.

10月17日(水) 午後 
14:00 - 17:25
(1) 14:00-14:50 [招待講演]次世代車載マイコン対応Fin-FET MONOS SDM2018-52 津田是文斉藤朋也長瀬寛和川嶋祥之吉冨敦司岡西 忍林 倫弘丸山卓也井上真雄村中誠志加藤茂樹萩原琢也齊藤博和山口 直門島 勝丸山隆弘三原竜善柳田博史園田賢一郎山口泰男山下朋弘ルネサス エレクトロニクス
(2) 14:50-15:20 スパッタリングプロセスを用いた新しい圧電材料とセンサへの応用 SDM2018-53 今泉文伸小山高専)・柳田幸祐
(3) 15:20-15:50 Low-Temperature Formation of Ohmic Contact for Si TFT Fabrication by Excimer Laser Doping with Phosphoric Acid Coating SDM2018-54 Kaname ImokawaKyushu Univ)・Nozomu TanakaKyushu Univ.)・Akira SuwaKyushu Univ)・Daisuke NakamuraTaizoh SadohKyushu Univ.)・Tetsuya GotoNew Industry Creation Hatchery Center, Tohoku Univ.)・Hiroshi IkenoueKyushu Univ
  15:50-16:05 休憩 ( 15分 )
(4) 16:05-16:35 Si(100)表面原子レベル平坦化プロセスを用いたHf系MONOS型不揮発性メモリ作製プロセスに関する検討 SDM2018-55 工藤聡也堀内勇介大見俊一郎東工大
(5) 16:35-17:25 [招待講演]低抵抗アモルファス相と高抵抗結晶相を有するCr2Ge2Te6を用いた相変化メモリ SDM2018-56 畑山祥吾須藤祐司安藤大輔小池淳一東北大
10月18日(木) 午前 
09:30 - 15:20
(6) 09:30-10:20 [招待講演]ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング熊本テクノロジーセンターでの熊本震災からの教訓 SDM2018-57 鈴木裕巳熊本大)・上田康弘ソニー
(7) 10:20-10:50 Thin film formation of ferroelectric undoped HfO2 on Si(100) by RF magnetron sputtering SDM2018-58 Min Gee KimRengie Mark D. MailigShun-ichiro OhmiTokyo Tech.
(8) 10:50-11:20 Schottky barrier height reduction of Pd2Si/Si(100) diodes by dopant segregation process SDM2018-59 Rengie Mark D. MailigMin Gee KimShun-ichiro OhmiTokyo Tech.
  11:20-13:00 昼食 ( 100分 )
(9) 13:00-13:30 窒素添加LaB6界面制御層によるペンタセン/SiO2界面特性向上に関する検討 SDM2018-60 前田康貴朴 鏡恩小松勇貴大見俊一郎東工大
(10) 13:30-14:00 ラマン分光法による熱電デバイス応用へ向けたSiナノワイヤのプロセス評価 SDM2018-61 横川 凌明大)・富田基裕渡邉孝信早大)・小椋厚志明大
(11) 14:00-14:30 ソースとドレインが非対称のMOSFETを用いた電気的特性ばらつきの統計的解析 SDM2018-62 市野真也寺本章伸黒田理人間脇武蔵諏訪智之須川成利東北大
(12) 14:30-15:20 [招待講演]熊本地域でのシリコンアイランドの推進と地震からの復興 ~ 日本の半導体産業をどう発展させるか ~ SDM2018-63 久保田 弘熊本大

講演時間
一般講演発表 25 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E-: e3 


Last modified: 2018-08-19 13:26:57


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