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光エレクトロニクス研究会(OPE) [schedule] [select]
専門委員長 小山 二三夫
副委員長 日比野 善典
幹事 井上 靖之, 佐川 みすず

レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) [schedule] [select]
専門委員長 辻 伸二
副委員長 中野 義昭
幹事 中原 宏治, 山中 孝之

集積光デバイス技術時限研究専門委員会(IPD)
専門委員長 吉國 裕三
幹事 瀧口 浩一, 中津原 克己

日時 2007年 6月29日(金) 09:25 - 17:05
議題 量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術,及び一般 
会場名 機械振興会館 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 http://www.jspmi.or.jp/

6月29日(金) 午前 
09:25 - 17:05
  09:25-09:30 開会の挨拶 ( 5分 )
(1) 09:30-09:55 1.55um帯InGaAlAs系EA/DFBレーザによる広温度範囲10Gbit/s-40km/80kmファイバ伝送 牧野茂樹篠田和典塩田貴支北谷 健深町俊彦青木雅博日立)・笹田紀子直江和彦岡本 薫元田勝也佐久間 康日本オプネクスト
(2) 09:55-10:20 TDA-DFBアレイ集積型波長可変レーザ 高林和雅関口茂昭早川明憲苫米地秀一植竹理人鍬塚治彦富士通研
(3) 10:20-10:45 位相制御波長可変DFBレーザの波長可変幅拡大 布谷伸浩柴田泰夫石井啓之岡本 浩川口悦弘近藤康洋大橋弘美NTT
(4) 10:45-11:10 アイソレータフリーモジュール用 1.3μm 利得結合型DFBレーザの反射戻り光耐性 中村幸治宮村悟史関川 亮志村大輔OKI)・中谷 晋小里貞二郎フジクラ)・八重樫浩樹小川 洋OKI
(5) 11:10-11:35 エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ 内藤秀幸阪本真一大竹 守奥村忠嗣東工大)・丸山武男東工大/JST)・西山伸彦東工大)・荒井滋久東工大/JST
(6) 11:35-12:00 MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振 橋本 玲櫛部光弘江崎瑞仙東芝/東大)・西岡政雄荒川泰彦東大
  12:00-13:00 昼食 ( 60分 )
(7) 13:00-14:00 [材料デバイスサマーミーティング特別講演]
題目:スピントロニクス -材料からデバイス・回路へ-
大野英男(東北大)
(8) 14:00-14:25 GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムにおけるサブバンド間遷移 田中海一幾野敬太葛西洋平福永和哉上智大)・欅田英之江馬一弘菊池昭彦岸野克巳上智大/JST
(9) 14:25-14:50 半導体光増幅器の高速非線形応答への動作条件の総合的検討 長谷川元樹宇高勝之早大
(10) 14:50-15:15 テーパー中空導波路を用いた多波長面発光レーザアレイの合波器の検討 北林直人今村明博松谷晃宏小山二三夫東工大
  15:15-15:25 休憩 ( 10分 )
(11) 15:25-15:50 Experimental Investigation on Temperature and Strain Dependence of Brillouin Frequency Shift in GeO2-doped Optical Fibers Weiwen ZouZuyuan HeKazuo HotateUniv. of Tokyo
(12) 15:50-16:15 ダイヤフラム構造を利用したガラス基板光導波型マイクロホンの設計 ~ 感度のダイヤフラム厚依存性およびダイヤフラム辺比依存性 ~ 新國広幸渡部 裕大河正志関根征士佐藤 孝新潟大
(13) 16:15-16:40 スタブ付きフォトニック結晶導波路の伝搬特性とフィルタへの応用 高山功介小楠和彦静岡大
(14) 16:40-17:05 半導体光ディジタル・アナログ変換器の動作条件に関する検討 澤田憲吾植之原裕行東工大

問合先と今後の予定
OPE 光エレクトロニクス研究会(OPE)   [今後の予定はこちら]
問合先 井上 靖之(NTTフォトニクス研究所)
〒243-0198 神奈川県厚木市森の里若宮3-1
TEL 046-240-4022 FAX 046-240-4529
E-:yiaecl

佐川みすず(日立製作所 中央研究所)
〒185-8601 東京都国分寺市東恋ヶ窪1-280
TEL 042-323-1111 FAX 042-327-7673
E-:wx 
お知らせ ◎OPE研究会では、H18年度より「学生優秀研究賞」を新設しました。学生の方の発表の中から特に優れた研究を表彰いたしますので、積極的なご投稿をお待ちしています。詳細は研究会HPをご覧ください。
LQE レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)   [今後の予定はこちら]
問合先 中原宏治(日立製作所)
TEL 042-323-1111, FAX 042-327-7786
E-: ugu
山中孝之(NTTフォトニクス研究所)
TEL 046-240-4403, FAX 046-240-2859
E-: taecl 
お知らせ ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を新設します。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。
IPD 集積光デバイス技術時限研究専門委員会(IPD)   
問合先 〔幹事〕
瀧口浩一(NTTフォトニクス研究所)
TEL〔046〕240-4397,FAX〔046〕240-4528
E-aecl
中津原克己(神奈川工科大学)
TEL〔046〕291-3276,FAX〔046〕291-3276
E- : kele-it 
お知らせ ◎☆IPD時限研究専門委員会の最新情報は,ホームページをご覧ください.
http://www.ieice.org/~ipd/jpn/welcome.html


Last modified: 2007-04-19 18:17:01


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