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研究会終了後に懇親会を開催いたします。



シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
副委員長 品田 高宏 (東北大)
幹事 黒田 理人 (東北大), 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事補佐 池田 浩也 (静岡大)

日時 2016年 6月29日(水) 10:00 - 17:20
議題 MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
会場名 キャンパス・イノベーションセンター東京 
住所 〒108-0023 東京都港区芝浦3-3-6
交通案内 http://www.cictokyo.jp/access.html
他の共催 ◆応用物理学会共催
お知らせ ◎[依頼講演]は、シリコンテクノロジー分科会で企画された講演です。
◎研究会終了後、懇親会を予定していますので御参加ください。
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.
(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

6月29日(水) 午前 
10:00 - 17:20
(1) 10:00-10:20 [依頼講演]強誘電体HfSiOキャパシタにおける形成プロセスと膜物性・電気特性の関係 SDM2016-32 上牟田雄一藤井章輔高石理一郎井野恒洋中崎 靖齋藤真澄小山正人東芝
(2) 10:20-10:40 [依頼講演]HfO2基強誘電体薄膜の作製と特性評価 SDM2016-33 舟窪 浩清水荘雄片山きりは三村和仙東工大
(3) 10:40-11:00 [依頼講演]強誘電体絶縁膜の負性容量を利用した急峻スイッチング実現のためのSOI-FET設計指針 SDM2016-34 太田裕之右田真司服部淳一福田浩一産総研)・鳥海 明東大
  11:00-11:15 休憩 ( 15分 )
(4) 11:15-11:35 強誘電体ナノワイヤキャパシタの作製 ~ 高集積強誘電体メモリへの応用を目指して ~ SDM2016-35 藤沢浩訓清水 勝中嶋誠二兵庫県立大
(5) 11:35-11:55 多段積層型トランジスタ構造を用いたFe-FET NAND論理の提案とそのロジックLSIへの適用検討 SDM2016-36 渡辺重佳湘南工科大)・横田智広DNPデータテクノ
(6) 11:55-12:15 ZrO2/Al2O3/ZrO2多層を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3層が電気特性に及ぼす効果 SDM2016-37 女屋 崇明大/物質・材料研究機構)・生田目俊秀澤田朋実物質・材料研究機構/JST)・栗島一徳明大/物質・材料研究機構)・澤本直美明大)・大井暁彦知京豊裕物質・材料研究機構)・小椋厚志明大
  12:15-13:30 昼食 ( 75分 )
(7) 13:30-13:50 SiO2の絶縁破壊と局所陽極酸化を用いた抵抗変化デバイス SDM2016-38 角嶋邦之若林 整筒井一生岩井 洋東工大
(8) 13:50-14:10 Ge基板上エピタキシャルGeSn膜の電気的活性な欠陥の評価 SDM2016-39 金田裕一兼松正行坂下満男竹内和歌奈中塚 理財満鎭明名大
(9) 14:10-14:30 XPSによるSiO2/半導体界面の電位変化およびダイポールの定量 SDM2016-40 藤村信幸大田晃生渡辺浩成牧原克典宮崎誠一名大
  14:30-14:45 休憩 ( 15分 )
(10) 14:45-15:05 リモート酸素プラズマ支援CVDによる低温SiO2薄膜形成 SDM2016-41 グェンスァン チュン藤村信幸竹内大智大田晃生牧原克典池田弥央宮崎誠一名大
(11) 15:05-15:25 タンタル酸ナノシート/SiO2/Si界面バンドオフセットにおけるUV照射の効果 SDM2016-42 速水脩平豊田智史福田勝利京大)・菅谷英生パナソニック)・森田将史中田明良内本喜晴松原英一郎京大
(12) 15:25-15:45 [依頼講演]カルコゲナイド系層状物質の電界効果トランジスタ素子への応用 SDM2016-43 上野啓司埼玉大
  15:45-16:00 休憩 ( 15分 )
(13) 16:00-16:20 [依頼講演]2次元原子層物質の構造制御合成とプラズマ機能化 SDM2016-44 加藤俊顕金子俊郎東北大
(14) 16:20-16:40 [依頼講演]自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS2 FETの作製 SDM2016-45 川那子高暢小田俊理東工大
(15) 16:40-17:00 TFT応用に向けたRFマグネトロンスパッタリング法によるMoS2膜の形成 SDM2016-46 大橋 匠松浦賢太朗東工大)・石原聖也日比野祐介澤本直美明大)・角嶋邦之筒井一生東工大)・小椋厚志明大)・若林 整東工大
(16) 17:00-17:20 [依頼講演]遷移金属ダイカルコゲナイド原子層の成長と評価 SDM2016-47 宮田耕充首都大東京

講演時間
一般講演発表 15 分 + 質疑応答 5 分
依頼講演発表 15 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E-: e3 


Last modified: 2016-04-18 15:24:06


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