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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 橋詰 保 (北大)
副委員長 加地 徹 (豊田中研)
幹事 原 直紀 (富士通研), 津田 邦男 (東芝)
幹事補佐 須原 理彦 (首都大東京), 上田 哲三 (パナソニック)

マイクロ波研究会(MW) [schedule] [select]
専門委員長 本城 和彦 (電通大)
副委員長 大平 孝 (豊橋技科大), 黒木 太司 (呉高専)
幹事 川端 和生 (富士通研), 西川 健二郎 (NTT)
幹事補佐 佐藤 圭 (NTTドコモ), 柴田 幸司 (八戸工大)

日時 2011年 1月13日(木) 13:30 - 16:55
2011年 1月14日(金) 09:30 - 15:20
議題 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/一般 
会場名 機械振興会館 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 東京メトロ日比谷線神谷町下車 徒歩8分
http://www.jspmi.or.jp/kaikan.htm
他の共催 ◆IEEE MTT-S Japan Chapter, IEEE MTT-S Kansai Chapter協賛
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.
(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

1月13日(木) 午後 
13:30 - 16:55
(1) 13:30-13:55 無線通信電力伝送のための受信受電用5.8GHzレクテナアレー ED2010-175 MW2010-135 堀 正和磯野晃輔野地紘史澁谷賢広東京理科大)・川崎繁男JAXA
(2) 13:55-14:20 フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討 ED2010-176 MW2010-136 山本和也久留須 整宮下美代鈴木 敏井上 晃三菱電機
(3) 14:20-14:45 信号線間交差部容量補償用近接グラウンドスルーホールを有するオフセット結合線路型カプラ ED2010-177 MW2010-137 湯浅 健田原志浩大和田 哲米田尚史三菱電機
  14:45-15:00 休憩 ( 15分 )
(4) 15:00-15:25 高導電率溶液のマイクロ波均一加熱を目的とした電力吸収特性解析 ED2010-178 MW2010-138 中島裕貴今井 卓田口健治柏 達也北見工大)・北澤敏秀立命館大)・鈴木政浩藤井寛一原子力機構
(5) 15:25-15:50 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器 ED2010-179 MW2010-139 山中宏治湯之上則弘茶木 伸中山正敏平野嘉仁三菱電機
  15:50-16:05 休憩 ( 15分 )
(6) 16:05-16:30 光多値伝送に向けたInP HBT技術による高速D/A変換器 ED2010-180 MW2010-140 長谷宗彦野坂秀之山中祥吾佐野公一村田浩一NTT
(7) 16:30-16:55 810度の移相範囲を持つ32GHz移相器IC ED2010-181 MW2010-141 野坂秀之長谷宗彦佐野公一村田浩一NTT
1月14日(金)  
09:30 - 15:20
(8) 09:30-09:55 デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価 ED2010-182 MW2010-142 田島正文橋詰 保北大
(9) 09:55-10:20 AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した電流コラプスに与える裏面電極とゲートフィールドプレートの影響の2次元解析 ED2010-183 MW2010-143 小野寺 啓中島 敦堀尾和重芝浦工大
  10:20-10:35 休憩 ( 15分 )
(10) 10:35-11:00 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化 ED2010-184 MW2010-144 梅田英和鈴木朝実良按田義治石田昌宏上田哲三田中 毅上田大助パナソニック
(11) 11:00-11:25 Si基板上AlGaN/GaN HFETにおける高濃度Cドーピングの影響 ED2010-185 MW2010-145 古川拓也賀屋秀介池田成明加藤禎宏次世代パワーデバイス技研組合
(12) 11:25-11:50 Ka帯20W出力AlGaN/GaN HEMTの開発 ED2010-186 MW2010-146 松下景一桜井博幸柏原 康増田和俊小野寺 賢川崎久夫高木一考高田賢治津田邦男東芝
  11:50-13:00 昼食 ( 70分 )
(13) 13:00-13:25 3C-SiC-OI基板上でのMOSゲート絶縁膜のプロセス依存性 ED2010-187 MW2010-147 横山圭祐中村浩之中尾 基大西克典九工大
(14) 13:25-13:50 裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET ED2010-188 MW2010-148 金澤 徹寺尾良輔山口裕太郎池田俊介米内義晴加藤 淳宮本恭幸東工大
(15) 13:50-14:15 InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ ED2010-189 MW2010-149 堤 卓也杉谷末広西村一巳井田 実NTT
  14:15-14:30 休憩 ( 15分 )
(16) 14:30-14:55 76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT ED2010-190 MW2010-150 金谷 康天清宗山渡辺伸介山本佳嗣小坂尚希宮國晋一後藤清毅島 顕洋三菱電機
(17) 14:55-15:20 IMSL線路を用いたミリ波CMOS WLCSP技術 ED2010-191 MW2010-151 河井康史宇治田信二福田健志酒井啓之上田哲三田中 毅パナソニック

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 原 直紀 (富士通研究所)
TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168
E- : o
津田 邦男(東芝)
TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501
E- : oba
須原 理彦(首都大)
TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756
E- : t
上田 哲三(パナソニック)
TEL:075-956-8273、FAX:075-956-9110
E-zopac 
MW マイクロ波研究会(MW)   [今後の予定はこちら]
問合先 佐藤 圭 (NTTドコモ)
TEL:046-840-6230
FAX:046-840-3789
E-:i
もしくは
川端和生(富士通研)
E-:KabaKao 


Last modified: 2010-11-17 13:18:53


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