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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 加地 徹 (豊田中研)
副委員長 原 直紀 (富士通研)
幹事 津田 邦男 (東芝), 須原 理彦 (首都大東京)
幹事補佐 上田 哲三 (パナソニック), 葛西 誠也 (北大)

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 遠藤 哲郎 (東北大)
副委員長 奈良 安雄 (富士通セミコンダクター)
幹事 小野 行徳 (NTT), 野村 晋太郎 (筑波大)
幹事補佐 笹子 佳孝 (日立)

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日時 2012年 2月 7日(火) 13:30 - 17:20
2012年 2月 8日(水) 09:30 - 14:40
議題 機能ナノデバイスおよび関連技術 
会場名 北海道大学 百年記念会館 大会議室 
住所 〒060-0808 札幌市北区北8条西5丁目
交通案内 JR北海道札幌駅下車、徒歩10分
http://www.hokudai.ac.jp/bureau/info-j/hyaku.html
会場世話人
連絡先
大学院情報科学研究科 葛西誠也
011-706-6509
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

2月7日(火) 午後 
13:30 - 17:20
(1) 13:30-14:10 [招待講演]Deterministicドープシリコンデバイスと量子輸送現象 ED2011-142 SDM2011-159 品田賢宏堀 匡寛早大)・Filipo Guagliardoミラノ工科大)・小野行徳NTT)・熊谷国憲谷井孝至早大)・Enrico PratiCNR
(2) 14:10-14:35 第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析 ED2011-143 SDM2011-160 葛屋陽平モラル ダニエル水野武志田部道晴静岡大)・水田 博北陸先端大/サザンプトン大
(3) 14:35-15:00 KFM observation of individual dopant potentials and electron charging ED2011-144 SDM2011-161 Roland NowakMiftahul AnwarDaniel MoraruTakeshi MizunoShizuoka Univ.)・Ryszard JablonskiWarsaw Univ. of Tech.)・Michiharu TabeShizuoka Univ.
  15:00-15:15 休憩 ( 15分 )
(4) 15:15-15:40 パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性 ED2011-145 SDM2011-162 竹中浩人篠原迪人内田貴史有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大
(5) 15:40-16:05 InAsナノワイヤMISFETの高周波特性評価 ED2011-146 SDM2011-163 渡邉龍郎乙幡 温和保孝夫上智大)・Kai BlekkerWerner ProstFranz-Josef TegudeUniv. of Duisburg-Essen
(6) 16:05-16:30 共鳴トンネル素子を装荷したアクティブ伝送線路を用いた高次高調波発振器の可能性 ED2011-147 SDM2011-164 潘 ケツ早野一起森 雅之前澤宏一富山大
(7) 16:30-16:55 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化 ED2011-148 SDM2011-165 高塚裕也高萩和宏北大)・佐野栄一北大/JST)・Victor Ryzhii会津大/JST)・尾辻泰一東北大/JST
(8) 16:55-17:20 シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光 ED2011-149 SDM2011-166 登坂仁一郎西口克彦影島博之藤原 聡NTT
2月8日(水) 午前 
09:30 - 14:40
(9) 09:30-09:55 SPMスクラッチ加工を用いた金属チャネル狭窄過程におけるコンダクタンスの量子化 ED2011-150 SDM2011-167 須田隆太郎大山隆宏白樫淳一東京農工大
(10) 09:55-10:20 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法を用いた直列型ナノギャップの集積化と特性制御 ED2011-151 SDM2011-168 伊藤光樹秋元俊介白樫淳一東京農工大
(11) 10:20-10:45 MgF_(2)/Feナノドット/MgF_(2)薄膜における電気伝導特性 ED2011-152 SDM2011-169 石川琢磨佐藤栄太浜田弘一有田正志高橋庸夫北大
  10:45-11:00 休憩 ( 15分 )
(12) 11:00-11:25 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数 ED2011-153 SDM2011-170 ファイズ サレ静岡大/学振)・三輪一聡池田浩也静岡大
(13) 11:25-11:50 急峻な電流特性のトランジスタを利用した確率共鳴 ED2011-154 SDM2011-171 西口克彦藤原 聡NTT
  11:50-13:00 昼食 ( 70分 )
(14) 13:00-13:25 単層カーボンナノチューブネットワークにおける一次元伝導特性 ED2011-155 SDM2011-172 田中 朋森 健一郎佐野栄一古月文志Hongwen Yu北大
(15) 13:25-13:50 CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響 ED2011-156 SDM2011-173 鈴木耕佑大野雄高岸本 茂水谷 孝名大
(16) 13:50-14:15 SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析 ED2011-157 SDM2011-174 村松 徹・○葛西誠也谷田部然治北大
(17) 14:15-14:40 光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討 ED2011-158 SDM2011-175 佐藤将来村松 徹葛西誠也北大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 35 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 津田 邦男(東芝)
TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501
E- : oba
須原 理彦(首都大)
TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756
E- : t
上田 哲三(パナソニック)
TEL:075-956-8273、FAX:075-956-9110
E-zopac
葛西 誠也(北大)
TEL:011-706-6509、FAX:011-716-6004
E-irciqei 
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 小野 行徳(NTT)
Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317
E-: o 


Last modified: 2011-11-18 16:39:33


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