電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催プログラム
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップ  戻る   / [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT]  [Japanese] / [English] 


電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 和保 孝夫
副委員長 葛原 正明
幹事 田中 毅, 新井 学
幹事補佐 高谷 信一郎

電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 石井 清
副委員長 上村 喜一
幹事 北本 仁孝, 松浦 徹
幹事補佐 清水 英彦, 豊田 誠治

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 堀口 文男
副委員長 浅野 種正
幹事 大野 守史, 高柳 万里子
幹事補佐 松井 裕一

日時 2006年 5月18日(木) 13:00 - 16:55
2006年 5月19日(金) 09:00 - 15:50
議題 結晶成長評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、その他の電子材料) 
会場名 豊橋技術科学大学VBL 
住所 〒441-8580 愛知県豊橋市天伯町雲雀ヶ丘1-1
交通案内 JR、名鉄豊橋駅前?番のりばから豊鉄バス細谷線に乗車、技科大前下車 所要時間約30分
http://www.vbl.tut.ac.jp/
会場世話人
連絡先
電気・電子工学系 若原 昭浩
0532-44-6742
お知らせ ◎18日研究会終了後、懇親会を予定していますので御参加ください。

5月18日(木)  
13:00 - 16:55
(1) 13:00-13:25 急速アニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の結晶特性の向上 以西雅章佐々木孝輔中川大輔静岡大
(2) 13:25-13:50 Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製とその評価 長南祐史以西雅章東條 靖静岡大
(3) 13:50-14:15 Influence of Annealing Conditions on the Sensing Properties of Oxygen Gas Sensor with β-Ga2O3 Films Deposited by CSD Method for High Temperatures Marilena BarticShizuoka Univ.)・Cristian-Ioan BabanAl. I. Cuza Univ.)・Masaaki IsaiMasami OgitaShizuoka Univ.
(4) 14:15-14:40 酸化膜還元法による極薄エピタキシャルγ-Al2O3膜の作製とデバイス応用 岡田貴行伊藤幹記豊橋技科大)・澤田和明石田 誠豊橋技科大/JST
  14:40-14:50 休憩 ( 10分 )
(5) 14:50-15:15 RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn1-xCdxO薄膜成長 大橋俊哉石原純二中村篤志青木 徹天明二郎静岡大
(6) 15:15-15:40 サファイア基板上のZnOナノドット制御 岡松航太中川 聡中村篤志青木 徹天明二郎静岡大
(7) 15:40-16:05 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御 橋本佳孝章 国強中村篤志田中 昭天明二郎静岡大
(8) 16:05-16:30 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成 小出晋也中村和哉劉 玉懐三宅秀人平松和政三重大)・中村 淳南部信義中部キレスト
(9) 16:30-16:55 Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価 石井丈晴松岡史晃三宅秀人平松和政三重大
5月19日(金)  
09:00 - 15:50
(1) 09:00-09:25 m面SiC基板上に成長したⅢ族窒化物半導体薄膜の微細構造観察 永井哲也川島毅士仲野靖孝井村将隆岩谷素顕上山 智天野 浩赤崎 勇名城大
(2) 09:25-09:50 Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究 河野達也畠中 奨伊藤幹記若原昭浩岡田 浩石田 誠豊橋技科大
(3) 09:50-10:15 Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性 若原昭浩古川雄三佐藤 淳島田英里箕原大介米津宏雄豊橋技科大
(4) 10:15-10:40 Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造 梅野和行金 聖晩古川雄三米津宏雄若原昭浩豊橋技科大
  10:40-10:50 休憩 ( 10分 )
(5) 10:50-11:15 Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製 太田成人森崎祐二文 秀榮石地正義古川雄三米津宏雄若原昭浩豊橋技科大
(6) 11:15-11:40 GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化 宇治原 徹陳 博安井健一酒井良介山本将博中西 彊竹田美和名大
(7) 11:40-12:05 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成 則竹陽介山田 巧田渕雅夫竹田美和名大
  12:05-13:10 昼食 ( 65分 )
(8) 13:10-13:35 Al薄膜を用いた表面プロセスによるAlGaNショットキー界面のリーク電流制御 小谷淳二金子昌充橋詰 保北大
(9) 13:35-14:00 n型ダイヤモンドショットキーダイオードおよび金属/ダイヤモンド界面の電気的特性 鈴木真理子東芝)・小泉 聡物質・材料研究機構)・片桐雅之筑波大)・小野富男佐久間尚志吉田博昭酒井忠司東芝
(10) 14:00-14:25 過剰キャリア減衰曲線に現れる遅い成分の温度依存性からのトラップパラメータの導出 市村正也名工大
  14:25-14:35 休憩 ( 10分 )
(11) 14:35-15:00 Light irradiation effect on single-hole-tunneling current of an SOI-FET Zainal A. BurhanudinRatno NuryadiMichiharu TabeShizuoka Univ.
(12) 15:00-15:25 Tunneling current oscillations in Si/SiO2/Si structures Daniel MoraruDaisuke NagataShizuoka Univ.)・Seiji HoriguchiAkita Univ.)・Ratno NuryadiHiroya IkedaMichiharu TabeShizuoka Univ.
(13) 15:25-15:50 溶液前処理機構と光同期検出機構を集積化した血液分析用マイクロチップの作製 野田俊彦広久保 望豊橋技科大)・高尾英邦豊橋技科大/JST)・奥 成博松本浩一堀場製作所)・澤田和明石田 誠豊橋技科大/JST

講演時間
一般講演(25分)発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 田中 毅(松下電器)
TEL: 075-956-9083, FAX: 075-956-9110
E-: erlci
新井 学(新日無)
TEL: 049-278-1477、FAX: 049-278-1419
E-: injr
高谷 信一郎(日立中研)
TEL: 0423-23-1111(内線3048)、FAX: 0423-27-7738
E-: crl 
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先 北本仁孝(東京工業大学)
TEL 045-924-5424, FAX 045-924-5433
E-: iem

松浦徹(ATR)
TEL 0774-95-1173, FAX 0774-95-1178
E-: hmatr 
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 高柳 万里子((株)東芝 セミコンダクター社)
TEL 045-770-3638 ,FAX 045-770-3571
E-: giba 


Last modified: 2006-03-27 20:21:08


ご注意: 迷惑メール対策のためメールアドレスの一部の文字を置換しております.ご了承ください.

[この開催に関する講演論文リストをダウンロードする] ※ こちらのページの最下にあるダウンロードボタンを押してください
 

[技術研究報告冊子体販売対象研究会向け:技報の当日価格一覧] ※ 開催2週間前頃に掲載されます
 
[研究会発表・参加方法,FAQ] ※ ご一読ください
 
[研究会資料インデックス(vol. no.ごとの表紙と目次)]
 

[ED研究会のスケジュールに戻る]   /   [CPM研究会のスケジュールに戻る]   /   [SDM研究会のスケジュールに戻る]   /  
 
 トップ  戻る   / [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT]  [Japanese] / [English] 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会