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集積回路研究会(ICD) [schedule] [select]
専門委員長 亀山 充隆
副委員長 中屋 雅夫
幹事 内山 邦男, 宮野 信治
幹事補佐 張山 昌論, 甲斐 康司

日時 2005年 4月14日(木) 09:00 - 21:00
2005年 4月15日(金) 10:30 - 15:00
議題 新メモリ技術、メモリ応用技術、一般 
会場名 福岡システムLSI総合開発センター 
住所 福岡県早良区百道浜3-8-33
交通案内 福岡空港からバス45分
http://www.ist.or.jp/lsi/pg03_01.html
会場世話人
連絡先
九州大学大学院 システムLSI情報科学科研究院 井上弘士

4月14日(木) 午前  ISSCC特集1 SRAM
09:00 - 10:30
(1) 09:00-09:30 低電圧時の安定高速動作を実現するノイズマージンフリーSRAM技術 武田晃一萩原靖彦NEC)・相本代志治NECエレクトロニクス)・野村昌弘中澤陽悦NEC)・石井利生小畑弘之NECエレクトロニクス
(2) 09:30-10:00 書き込みマージンを増加させた低電力SoC向け混載SRAM 山岡雅直日立)・前田徳章ルネサステクノロジ)・篠崎義弘日立超LSIシステムズ)・島崎靖久新居浩二島田 茂柳沢一正ルネサステクノロジ)・河原尊之日立
(3) 10:00-10:30 A 256Mb Synchronous Burst DDR SRAM using Single-crystal Silicon Thin Film Transisitor (SSTFT) SRAM cell Youngho SuhHyouyoun NamYoungdae LeeHungiun AnSangbeom KangByunggil ChoiHoon LimChoongkeun KwakHyunguen ByunSamsung
  10:30-10:40 休憩 ( 10分 )
4月14日(木) 午前  ISSCC特集2 DRAM
10:40 - 12:10
(4) 10:40-11:40 [招待講演]ナノスケール時代のDRAM ~ 非1T1Cアプローチ ~ 石井智之日立
(5) 11:40-12:10 SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM 大澤 隆藤田勝之初田幸輔東芝)・東 知輝東芝マイクロエレクトロニクス)・森門六月生南 良博篠 智彰中島博臣井納和美浜本毅司渡辺重佳東芝
  12:10-13:00 昼食 ( 50分 )
4月14日(木) 午後  ISSCC特集2(続き) DRAM
13:00 - 15:00
(6) 13:00-14:00 [招待講演]デジタル家電向け混載メモリの現状と将来展望 ~ SoCの構造改革に向けたチャレンジ ~ 山内寛行松下電器
(7) 14:00-14:30 A 196-mm2, 2-Gb DDR2 SDRAM using an 80-nm Triple Metal Technology Jeong Hoon kookKyehyun KyungChiwook KimJaeyoung LeeSamsung
(8) 14:30-15:00 [招待講演]ギガビット時代のDRAM設計における統計的手法導入の提案 関口知紀秋山 悟日立)・梶谷一彦エルピーダメモリ)・半澤 悟竹村理一郎河原尊之日立
  15:00-15:15 休憩 ( 15分 )
4月14日(木) 午後  ISSCC特集3 不揮発性メモリ
15:15 - 16:45
(9) 15:15-15:45 Improved write methods for 64Mb Phase-change Random Access Memory (PRAM) Hyung-rok OhBeak-hyung ChoWoo Yeong ChoSangbeom KangByung-gil ChoiHye-jin KimKi-sung KimDu-eung KimChoong-keun KwakHyun-geun ByunGi-tae JeongHong-sik JeongKinam KimSamsung
(10) 15:45-16:15 70nm 8ギガビットNANDフラッシュメモリの設計 阿部 巧原 毅彦福田浩一金澤一久柴田 昇細野浩司前嶋 洋中川道雄小島正嗣藤生政樹竹内義昭雨宮和美師岡 翠東芝)・亀井輝彦那須弘明サンディスク
(11) 16:15-16:45 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ 倉田英明笹子佳孝大津賀一雄有金 剛河村哲史小林 孝久米 均日立)・本間和樹小堺健司野田敏史伊藤輝彦清水雅裕池田良広土屋 修古沢和則ルネサステクノロジ
  16:45-19:00 休憩 懇親会 ( 135分 )
4月14日(木) 午後  イブニングパネル
19:00 - 21:00
(12) 19:00-21:00 [パネル討論] デジタルコンシューマ時代に向けたメモリ技術 佐藤克之エルピーダメモリ)・山内寛行松下電器)・沼田健二東芝)・赤沢 隆ルネサステクノロジ)・片山泰尚日本IBM
4月15日(金) 午前 
10:30 - 12:00
(13) 10:30-11:00 低電圧・高速動作を実現した1.2V単一動作の130nm混載向け1Mbit MRAMコア 辻 高晴ルネサステクノロジ)・谷崎弘晃ルネサスデバイスデザイン)・石川正敏大谷 順山口雄一郎上野修一大石 司日高秀人ルネサステクノロジ
(14) 11:00-11:30 高密度低消費電力FeRAMメモリセルアーキテクチャー 三木 隆平野博茂坂上雅彦中熊哲治山岡邦吏岩成俊一村久木康夫五寳 靖藤井英治松下電器
(15) 11:30-12:00 高速大容量混載 DRAM Pre-Fuse Wafer-Level テストのための Burst-Cycle Data圧縮方式 福田 良小林謙二東芝)・赤松正志開発 実田村 淳谷口一雄ソニー)・渡辺陽二東芝
  12:00-13:00 昼食 ( 60分 )
4月15日(金) 午後 
13:00 - 15:00
(16) 13:00-13:30 1.5nsアクセス時間0.25μm CMOS/SIMOX SRAMマクロセル ~ デュアルワード線による高速化と低電力化 ~ 柴田信太郎石原隆子NTT)・栗田茂弘沖山秀臣NEL
(17) 13:30-14:00 バンク型多ポートメモリによる並列プロセッサ用キャッシュメモリの設計 上口 光朱 兆旻広島大)・平川 泰広島市大)・マタウシュ ハンス ユルゲン小出哲士広島大)・弘中哲夫谷川一哉広島市大
(18) 14:00-14:30 電荷収集と寄生バイポーラ効果を考慮したSRAMの中性子ソフトエラー解析 長田健一日立)・北井直樹日立超LSIシステムズ)・蒲原史朗ルネサステクノロジ)・河原尊之日立
(19) 14:30-15:00 中性子ソフトエラーシミュレーションの新展開 上村大樹戸坂義春芦澤芳夫岡 秀樹佐藤成生富士通研

問合先と今後の予定
ICD 集積回路研究会(ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 宮野信治(東芝)
TEL 044-548-2696 , FAX 044-548-8324
E-: nba 


Last modified: 2005-03-30 20:08:03


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