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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 平野 博茂 (タワー パートナーズ セミコンダクター)
副委員長 大見 俊一郎 (東工大)
幹事 森 貴洋 (産総研), 小林 伸彰 (日大)
幹事補佐 野田 泰史 (パナソニック), 諏訪 智之 (東北大)

日時 2021年 1月28日(木) 13:05 - 17:05
議題 先端CMOSデバイス・ プロセス技術(IEDM特集) 
会場名 オンライン開催 
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(SDM研究会)についてはこちらをご覧ください.

1月28日(木) 午後 
13:00 - 17:05
  13:00-13:05 講演に関する注意事項などの説明 ( 5分 )
(1) 13:05-13:35 [招待講演]自発分極とトラップ電荷の分離抽出に基づく強誘電HfO2-FeFETにおけるVthウインドウ及び信頼性決定要因の解析 SDM2020-49 市原玲華キオクシア
(2) 13:35-14:05 [招待講演]ダイヤモンド半導体の現状 SDM2020-50 梅沢 仁産総研
(3) 14:05-14:35 [招待講演]CMOS裏面埋設配線による電源供給網と電源容量の形成およびセキュリティ向け三次元積層チップへの応用 SDM2020-51 門田和樹神戸大
  14:35-15:05 休憩 ( 30分 )
(4) 15:05-15:35 [招待講演]InGaAsコアマルチシェルナノワイヤ/Si接合による垂直ゲートオールアラウンドトンネルFETの作製 SDM2020-52 冨岡克広蒲生浩憲本久順一福井孝志北大
(5) 15:35-16:05 [招待講演]プラズマ曝露中に確率的ラテラル散乱によって導入されるシリコン中の欠陥が超低リーク電流デバイスに与える影響の評価 SDM2020-53 佐藤好弘山田隆善西村佳壽子山崎雅之村上雅史パナソニック)・占部継一郎江利口浩二京大
(6) 16:05-16:35 [招待講演]チャネル薄膜化と(111)面方位の組み合わせによるInAs-On-Insulator nMOSFETのサブバンド制御 SDM2020-54 隅田 圭トープラサートポン カシディット竹中 充高木信一東大
(7) 16:35-17:05 [招待講演]IEDM2020を振り返って
○黒田理人(東北大)

講演時間
招待講演発表 25 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 SDM幹事:森 貴洋(産業技術総合研究所)
電話 029-849-1149
E-Mail -aist 


Last modified: 2021-01-04 11:50:24


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[技術研究報告冊子体販売対象研究会向け:技報の当日価格一覧] ※ 開催2週間前頃に掲載されます
 
[研究会発表・参加方法,FAQ] ※ ご一読ください
 
[研究会資料インデックス(vol. no.ごとの表紙と目次)]
 

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