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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 奈良 安雄 (富士通セミコンダクター)
副委員長 大野 裕三 (筑波大)
幹事 野村 晋太郎 (筑波大), 笹子 佳孝 (日立)

日時 2013年 6月18日(火) 09:00 - 17:45
議題 ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
会場名 機械振興会館 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 地下鉄 神谷町駅または御成門駅下車 徒歩8分またはJR浜松町駅下車 徒歩15分
http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html
会場世話人
連絡先
宮崎誠一(名古屋大学)
052-789-3588
他の共催 ◆公益社団法人 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との共催
お知らせ ◎今回、参加希望者が少ないため、懇親会は開催致しません。
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.
(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

6月18日(火) 午前  高誘電率膜、界面制御、 メモリ技術
09:00 - 14:55
(1) 09:00-09:20 酸化剤分圧およびSi拡散の制御によるPr酸化膜結晶構造制御 SDM2013-44 加藤公彦坂下満男竹内和歌奈田岡紀之中塚 理財満鎭明名大
(2) 09:20-09:40 テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO2膜の形成 SDM2013-45 吉田鉄兵加藤公彦柴山茂久坂下満男田岡紀之竹内和歌奈中塚 理財満鎭明名大
(3) 09:40-10:00 Al2O3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響 SDM2013-46 柴山茂久加藤公彦坂下満男竹内和歌奈田岡紀之中塚 理財満鎭明名大
(4) 10:00-10:20 Metal/High-k/Geゲートスタックにおけるジャーマナイド形成とその電気特性への影響 SDM2013-47 細井卓治秀島伊織箕浦佑也田中亮平阪大)・吉越章隆寺岡有殿原子力機構)・志村考功渡部平司阪大
  10:20-10:35 休憩 ( 15分 )
(5) 10:35-10:55 HfO2/Ge界面へのルチル型TiO2挿入によるGeOx生成の抑制 SDM2013-48 小橋和義明大)・長田貴弘生田目俊秀山下良之物質・材料研究機構)・小椋厚志明大)・知京豊裕物質・材料研究機構
(6) 10:55-11:15 ゲートスタックへのHf導入によるメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化 SDM2013-49 山本圭介佐田隆宏王 冬中島 寛九大
(7) 11:15-11:35 Impact of metal gate electrodes on electrical properties of InGaAs MOS gate stacks SDM2013-50 Chih-Yu ChangMasafumi YokoyamaSang-Hyeon KimUniv. of Tokyo)・Osamu IchikawaTakenori OsadaMasahiko HataSumitomo Chemical)・Mitsuru TakenakaShinichi TakagiUniv. of Tokyo
(8) 11:35-11:55 Fe3Si/Geの界面構造によるSBHとスピン電流の変調:第一原理計算による理論的検討 SDM2013-51 小日向恭祐中山隆史千葉大
(9) 11:55-12:15 MONOS型メモリを用いた長期保存メモリの設計指針 SDM2013-52 白川裕規山口慶太神谷克政白石賢二筑波大
  12:15-13:15 昼食 ( 60分 )
(10) 13:15-13:35 リモートH2プラズマ支援によるCoPtナノドットの高密度形成と帯電・帯磁特性評価 SDM2013-53 牧原克典福岡 諒張 海壁谷悠希名大)・大田晃生広島大)・宮崎誠一名大
(11) 13:35-13:55 Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定 SDM2013-54 石部貴史中村芳明・○松井秀紀竹内正太郎酒井 朗阪大
(12) 13:55-14:15 シリコン酸化膜中に埋め込んだバイオナノ粒子の抵抗変化メモリ効果 SDM2013-55 上沼睦典阪大)・番 貴彦山下一郎浦岡行治奈良先端大
(13) 14:15-14:35 SiOx/TiO2積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価 SDM2013-56 大田晃生広島大)・福嶋太紀牧原克典名大)・村上秀樹東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大
(14) 14:35-14:55 SiC電界誘起抵抗変化型不揮発性メモリ ~ MIS型およびpnダイオード型メモリ ~ SDM2013-57 須田良幸小松辰己山口伸雄佐藤芳彦山田有希乃山下淳史塚本貴広東京農工大
  14:55-15:10 休憩 ( 15分 )
6月18日(火) 午後  SiC-MOSゲートスタック技術の進展
15:10 - 17:45
(1) 15:10-15:30 [依頼講演]POCl3アニールによるSiC-MOSデバイスの高性能化 SDM2013-58 矢野裕司畑山智亮冬木 隆奈良先端大
(2) 15:30-15:50 [依頼講演]SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術 SDM2013-59 細井卓治阪大)・東雲秀司柏木勇作保坂重敏東京エレクトロン)・中村亮太中野佑紀浅原浩和中村 孝ローム)・木本恒暢京大)・志村考功渡部平司阪大
(3) 15:50-16:10 [依頼講演]SiC-MOSゲート構造の高信頼性化 SDM2013-60 先﨑純寿下里 淳田中保宣奥村 元産総研
(4) 16:10-16:30 [依頼講演]熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術 SDM2013-61 渡部平司チャンタパン アタウット阪大)・中野佑紀中村 孝ローム)・細井卓治志村考功阪大
  16:30-16:45 休憩 ( 15分 )
(5) 16:45-17:05 [依頼講演]SiC酸化メカニズム解明への試み ~ Si酸化との共通点/異なる点 ~ SDM2013-62 土方泰斗八木修平矢口裕之埼玉大
(6) 17:05-17:25 [依頼講演]FTIR-ATRスペクトルによる4H-SiCと熱酸化膜の界面構造の解析 SDM2013-63 喜多浩之東大/JST)・平井悠久東大
(7) 17:25-17:45 [依頼講演]4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価 SDM2013-64 梅田享英筑波大)・岡本光央小杉亮治産総研)・荒井 亮佐藤嘉洋筑波大)・原田信介奥村 元産総研)・牧野高紘大島 武原子力機構

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 野村晋太郎(筑波大学)
E-: sccba 


Last modified: 2013-04-12 16:12:02


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