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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 葛原 正明 (福井大)
副委員長 橋詰 保 (北大)
幹事 村田 浩一 (NTT)
幹事補佐 原 直紀 (富士通研), 津田 邦男 (東芝)

マイクロ波研究会(MW) [schedule] [select]
専門委員長 橋本 修 (青学大)
副委員長 大平 孝 (豊橋技科大)
幹事 中山 正敏 (三菱電機), 真田 篤志 (山口大)
幹事補佐 張 陽軍 (龍谷大), 佐藤 圭 (NTTドコモ)

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日時 2009年 1月14日(水) 13:00 - 16:40
2009年 1月15日(木) 09:30 - 16:40
2009年 1月16日(金) 09:30 - 12:10
議題 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/一般 
会場名 機械振興会館 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 東京メトロ日比谷線神谷町駅下車 徒歩8分
http://www.jspmi.or.jp/kaikan.htm
他の共催 ◆IEEE MTT-S Japan Chapter協賛
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

1月14日(水) 午後 
13:00 - 16:40
(1) 13:00-13:25 60GHz帯セクタ切替アンテナ用マルチポートスイッチの開発 北沢祥一三浦 周大平昌敬阿野 進上羽正純ATR
(2) 13:25-13:50 24GHz1V動作擬似縦積み型ミキサ回路 ED2008-198 MW2008-163 白水信弘増田 徹中村宝弘鷲尾勝由日立
(3) 13:50-14:15 フリップチップ実装を用いたミリ波帯ディスクリートミクサ ED2008-199 MW2008-164 川上憲司鈴木拓也金谷 康北村洋一檜枝護重三菱電機
  14:15-14:25 休憩 ( 10分 )
(4) 14:25-14:50 出力容量を考慮した回路設計による増幅器の広帯域化 ED2008-200 MW2008-165 桑田英悟山中宏治桐越 祐井上 晃宮崎守泰三菱電機
(5) 14:50-15:15 V帯第8次高調波Push-Push発振器の基礎検討 ED2008-201 MW2008-166 川崎健吾田中高行相川正義佐賀大
  15:15-15:25 休憩 ( 10分 )
(6) 15:25-15:50 GaNナチュラルスーパージャンクションダイオード ED2008-202 MW2008-167 石田秀俊柴田大輔松尾尚慶柳原 学上本康裕上田哲三田中 毅上田大助パナソニック
(7) 15:50-16:15 逆導通GaN FETの特性評価 ED2008-203 MW2008-168 町田 修金子信男馬場良平猪澤道能岩上信一柳原将貴後藤博一岩渕昭夫サンケン電気
(8) 16:15-16:40 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用 ED2008-204 MW2008-169 齋藤 渉東芝)・土門知一東芝ビジネスアンドライフサービス)・大村一郎新田智洋垣内頼人齋藤泰伸津田邦男山口正一東芝
1月15日(木) 午前 
09:30 - 16:40
(9) 09:30-09:55 電子レンジ庫内に置かれた被加熱物質の温度分布解析 ~ 温度に対する誘電率変化を考慮した場合 ~ ED2008-205 MW2008-170 柄川雅樹渡邊慎也橋本 修青学大
(10) 09:55-10:20 コンポジット並列共振器を用いた有極帯形帯域通過フィルタの阻止域特性改善 ED2008-206 MW2008-171 兎澤孝典馬 哲旺埼玉大)・陳 春平穴田哲夫神奈川大)・小林禧夫埼玉大
(11) 10:20-10:45 マイクロストリップパラレル結合デュアルモードリング共振器の特性解析およびフィルタ設計への応用 ED2008-207 MW2008-172 佐々木英行馬 哲旺埼玉大)・陳 春平穴田哲夫神奈川大)・小林禧夫埼玉大
  10:45-10:55 休憩 ( 10分 )
(12) 10:55-11:20 固体プラズマを挿入したサブミリ波帯結合線路の非可逆伝搬特性 ED2008-208 MW2008-173 丸山 契小武内哲雄淀川信一高坂 諭秋田大
(13) 11:20-11:45 高抵抗シリコン基板上低損失コプレーナ線路の構造 ED2008-209 MW2008-174 槇田毅彦玉井 功星 真一関 昇平OKI
  11:45-13:00 休憩 ( 75分 )
(14) 13:00-13:25 GaAs方向性結合器付き検波回路の検討 ED2008-210 MW2008-175 山本和也久留須 整宮下美代鈴木 敏小川喜之中山正敏三菱電機
(15) 13:25-13:50 InGaAsチャネルHEMTの寄生ゲート遅延に及ぼすゲート電極構造の影響 ED2008-211 MW2008-176 堀池恒平福田俊介赤川啓介末光哲也尾辻泰一東北大
(16) 13:50-14:15 超薄層ベースInP系HBTにおけるGraded Baseによるベース走行時間短縮 ED2008-212 MW2008-177 上澤岳史山田真之宮本恭幸古屋一仁東工大
  14:15-14:25 休憩 ( 10分 )
(17) 14:25-14:50 43 Gbit/s DQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC ED2008-213 MW2008-178 福山裕之伊藤敏洋古田知史栗島賢二徳光雅美村田浩一NTT
(18) 14:50-15:15 ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性 ED2008-214 MW2008-179 渡邊一世遠藤 聡NICT)・三村高志NICT/富士通研)・松井敏明NICT
  15:15-15:25 休憩 ( 10分 )
(19) 15:25-15:50 同軸線路給電L字形一次放射器を用いたミリ波平面アンテナの特性 ED2008-215 MW2008-180 沖横田 誠中村元紀黒木太司呉高専
(20) 15:50-16:15 ミリ波帯両面金属装荷トリプレート伝送線路の実験的検討 ED2008-216 MW2008-181 田丸了次黒木太司呉高専
(21) 16:15-16:40 2008年日中合同マイクロ波会議出席報告 ED2008-217 MW2008-182 黒木太司呉高専
1月16日(金) 午前 
09:30 - 12:10
(22) 09:30-09:55 C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器 ED2008-218 MW2008-183 重松寿生井上雄介増田 哲山田全男金村雅仁多木俊裕牧山剛三岡本直哉今西健治吉川俊英常信和清原 直紀富士通研
(23) 09:55-10:20 AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性 ED2008-219 MW2008-184 遠藤 聡渡邊一世山下良美NICT)・三村高志NICT/富士通研)・松井敏明NICT
(24) 10:20-10:45 In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET ED2008-220 MW2008-185 黒田正行村田智洋中澤敏志瀧澤俊幸西嶋将明柳原 学上田哲三田中 毅パナソニック
  10:45-10:55 休憩 ( 10分 )
(25) 10:55-11:20 ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT ED2008-221 MW2008-186 牧山剛三多木俊裕金村雅仁常信和清今西健治富士通/富士通研)・原 直紀富士通研)・吉川俊英富士通/富士通研
(26) 11:20-11:45 ダイオードリニアライザによる高効率F級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償 ED2008-222 MW2008-187 安藤晃洋高山洋一郎吉田 剛石川 亮本城和彦電通大
(27) 11:45-12:10 ナノ細線チャネルを利用した台形ゲートAlGaN/GaN HEMT ED2008-223 MW2008-188 大井幸多橋詰 保北大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 村田 浩一(NTT)
TEL:046-240-2871、FAX:046-270-2872
E-aecl
原 直紀 (富士通研究所)
TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168
E- : o
津田 邦男(東芝)
TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501
E- : oba 
MW マイクロ波研究会(MW)   [今後の予定はこちら]
問合先 張 陽軍 (龍谷大学)
TEL:077-543-7495, ext.:2495
FAX:077-543-7428
E-:zngnsr
もしくは
中山正敏(三菱電機)
E-:NaMacbMibiElectc 


Last modified: 2008-11-14 18:51:12


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