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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 平野 博茂 (タワー パートナーズ セミコンダクター)
副委員長 大見 俊一郎 (東工大)
幹事 森 貴洋 (産総研), 小林 伸彰 (日大)
幹事補佐 野田 泰史 (パナソニック), 諏訪 智之 (東北大)

日時 2022年 1月31日(月) 13:15 - 17:00
議題 先端CMOSデバイス・ プロセス技術(IEDM特集) 
会場名 オンライン開催 
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(SDM研究会)についてはこちらをご覧ください.

1月31日(月) 午後 
13:10 - 17:00
  13:10-13:15 講演に関する注意事項などの説明 ( 5分 )
(1) 13:15-13:45 [招待講演]16nm Fin FETプロセス混載STT-MRAM における72%の書込みエネルギー低減を達成したセルフターミネーション書込み方式 SDM2021-68 斉藤朋也伊藤 孝帯刀恭彦園田賢一郎渡辺源太松原 謙神田明彦下井貴裕武田晃一河野隆司ルネサス
(2) 13:45-14:15 [招待講演]大容量STT-MRAM向け一桁ナノメートル磁気トンネル接合技術 SDM2021-69 陣内佛霖五十嵐純太篠田峻伸渡部杏太舩津拓也佐藤英夫深見俊輔大野英男東北大
(3) 14:15-14:45 [招待講演]高速荷電中心解析によるチャージトラップのダイナミクス把握に基づくHfO2-FeFETサイクル劣化メカニズム解明 SDM2021-70 市原玲華キオクシア
  14:45-15:00 休憩 ( 15分 )
(4) 15:00-15:30 [招待講演]表面ラフネス散乱の新モデルに基づく極薄膜nMOSFETの最適なチャネル材料と面方位の設計 SDM2021-71 隅田 圭陳 家驄トープラサートポン カシディット竹中 充高木信一東大
(5) 15:30-16:00 [招待講演]CAAC-IGZO FET/Si CMOS微小電流メモリセルによる高演算効率アナログインメモリコンピューティング SDM2021-72 黒川義元馬場晴之大下 智濱田俊樹安藤善範方堂涼太大野敏和廣瀬貴史國武廣司村川 努半導体エネルギー研)・名倉 徹福岡大)・小林正治東大)・吉田 宏Min-Cheng ChenPSMC)・Ming-Han LiaoNational Taiwan Univ.)・Shou-Zen ChangPSMC)・山﨑舜平半導体エネルギー研
(6) 16:00-16:30 [招待講演]3Dシーケンシャル技術を用いたCMOSイメージセンサー SDM2021-73 中澤圭一・○山元純平森 茂貴岡本晋太郎清水暁人馬場公一藤井宣年上原睦雄平松克規熊野秀臣松本 晃財津光一郎大沼英寿田谷圭司平野智之岩元勇人ソニーセミコンダクターソリューションズ
(7) 16:30-17:00 [招待講演]IEDM2021を振り返って
○黒田理人(東北大)

講演時間
招待講演発表 25 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 SDM幹事:森 貴洋(産業技術総合研究所)
電話 029-849-1149
E-Mail -aist 


Last modified: 2021-11-22 15:24:44


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