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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 原 直紀 (富士通研)
副委員長 前澤 宏一 (富山大)
幹事 上田 哲三 (パナソニック), 葛西 誠也 (北大)
幹事補佐 松永 高治 (NEC), 鈴木 寿一 (北陸先端大)

電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 高野 泰 (静岡大)
副委員長 野毛 悟 (沼津高専)
幹事 圓佛 晃次 (NTT), 佐藤 知正 (神奈川大)
幹事補佐 小舘 淳一 (NTT), 岩田 展幸 (日大)

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 奈良 安雄
副委員長 大野 裕三 (筑波大)
幹事 笹子 佳孝 (日立)
幹事補佐 黒田 理人 (東北大)

日時 2014年 5月28日(水) 10:50 - 17:10
2014年 5月29日(木) 09:00 - 16:15
議題 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 
会場名 名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 3階 
交通案内 JR名古屋駅から名古屋市営地下鉄 「名古屋大学」 下車
http://www.vbl.nagoya-u.ac.jp/facilities.html

5月28日(水) 午前  結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他
10:50 - 17:10
(1) 10:50-11:10 GaInN/GaNヘテロ接合における緩和過程の転位密度依存性 石原耕史近藤保成松原大幸岩谷素顕上山 智竹内哲也名城大)・赤﨑 勇名城大/名大
(2) 11:10-11:30 GaNSbのSb取り込みと表面形態に関する検討 小森大資笹島浩希鈴木智行竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大)・赤崎 勇名城大/名大
  11:30-13:00 昼休憩 ( 90分 )
(3) 13:00-13:20 空気中で熱処理したTiN粉末の光触媒特性の評価 以西雅章山田良隆静岡大)・星 陽一東京工芸大
(4) 13:20-13:40 酸化チタンナノ構造の作製と色素増感太陽電池光電極への応用 岸 直希野崎雅之榊原将太都築拓也藤満新太曽我哲夫名工大
(5) 13:40-14:00 All carbon p-i-n solar cell by microwave surface wave plasma CVD Dilip Chandra GhimireSudhip AdhikariSusumu IchimuraHideo UchidaKoichi WakitaMasayoshi UmenoChubu Univ.
(6) 14:00-14:20 LiMn2O4薄膜の生成条件の最適化 早川由洋以西雅章冨田靖正静岡大
  14:20-14:35 休憩 ( 15分 )
(7) 14:35-14:55 積層界面数が異なる強磁性-強誘電複合体の電気磁気効果 岩水大樹籠宮 功柿本健一名工大
(8) 14:55-15:15 パルスレーザー堆積法にてSrTiO3(100)基板上に作製したBiFe1-xMnxO3薄膜の結晶構造と電気的磁気的特性 稲葉隆哲・○岩田展幸渡部雄太大島佳祐高瀬浩一橋本拓也山本 寛日大
(9) 15:15-15:35 超高密度ターゲットを用いたパルスレーザー堆積法によるFe系およびMn系ペロブスカイト型酸化物薄膜の作製 大島佳祐・○岩田展幸渡部雄太稲葉隆哲橋本拓也高瀬浩一山本 寛日大
(10) 15:35-15:55 磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション 洗平昌晃名大)・山本貴博東京理科大)・白石賢二名大
  15:55-16:10 休憩 ( 15分 )
(11) 16:10-16:30 導波路を伝搬した表面プラズモン信号によるMOSFETの直流および交流動作 酒井宏基相原卓磨武田愛弓福原誠史太田 雅木村 優石井佑弥福田光男豊橋技科大
(12) 16:30-16:50 表面波プラズマを用いたシリコン窒化膜の化学気相堆積とデバイス応用 川上恭平石丸貴博篠原正俊岡田 浩豊橋技科大)・古川雅一アリエースリサーチ)・若原昭浩関口寛人豊橋技科大
(13) 16:50-17:10 蒸気圧制御温度差液相成長法によるGaSe結晶の電気特性と差周波THz波発生特性 鈴木康平長井悠輝前田健作小山 裕東北大
5月29日(木) 午前  結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他
09:00 - 16:15
(14) 09:00-09:20 窒化物系LED作製のレーザー加工による光取り出し効率向上の検討 花井 駿名城大)・鈴木敦志北野 司ELSEED)・飯田大輔加藤貴久竹内哲也岩谷素顕上山 智赤﨑 勇名城大
(15) 09:20-09:40 酸素分光計測用760nm分布帰還形半導体レーザの開発 北島秀訓樋口 彰藤原淳志内藤秀幸前田純也浜松ホトニクス
(16) 09:40-10:00 窒化物半導体LEDにおけるキャリア輸送への分極固定電荷の影響 勝野翔太林 健人安田俊輝岩谷素顕竹内哲也上山 智赤﨑 勇名城大)・天野 浩名大
(17) 10:00-10:20 窒化物半導体HFET型紫外受光素子の火炎センサー応用 山本雄磨村瀬卓弥石黒真未山田知明岩谷素顕上山 智竹内哲也名城大)・赤﨑 勇名城大/名大
  10:20-10:35 休憩 ( 15分 )
(18) 10:35-10:55 超狭帯域LED光源の開発とその皮膚医学応用 小笠原正弘ミニョンベルクリニック)・平尾 孝藤田静雄京大
(19) 10:55-11:15 絶縁ゲートGaAsナノワイヤFETのヒステリシス特性の評価と解析 黒田亮太殷 翔佐藤将来葛西誠也北大
(20) 11:15-11:35 AlN基板の表面処理とホモエピタキシャル成長 渡邉祥順三宅秀人平松和政三重大)・岩崎洋介JFEミネラル
(21) 11:35-11:55 SiC溶液成長における貫通転位変換現象と高品質化 原田俊太山本祐治宇治原 徹名大
  11:55-13:20 昼休憩 ( 85分 )
(22) 13:20-13:40 異なるAl濃度を有するp型4H-SiCエピ膜の価電子帯近傍の深い準位 中根浩貴加藤正史市村正也名工大
(23) 13:40-14:00 高水準注入状態のSiCからの反射マイクロ波信号 ~ キャリアライフタイムの正確な評価に向けて ~ 加藤正史森 祐人市村正也名工大
(24) 14:00-14:20 P - GaN by Mg Ion Implantation for Power Device Applications Zheng SunMarc OlssonNagoya Univ.)・Tsutomu NagayamaNissin Ion Equipment)・Yoshio HondaHiroshi AmanoNagoya Univ.
(25) 14:20-14:40 n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用 竹内和歌奈田岡紀之坂下満男中塚 理財満鎭明名大
  14:40-14:55 休憩 ( 15分 )
(26) 14:55-15:15 光化学堆積酸化スズ薄膜(SnO2)の光応答性 朴木貴法市村正也名工大
(27) 15:15-15:35 溶液成長法によるSnS薄膜堆積 山中雄貴・○高野 泰静岡大
(28) 15:35-15:55 光照射電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とCdS/SnSヘテロ接合太陽電池への応用 田中良和市村正也名工大
(29) 15:55-16:15 デバイス応用に向けたコランダム構造酸化物半導体の電気特性評価 金子健太郎鈴木規央李 三東北島雅士赤岩和明藤田静雄京大

講演時間
一般講演発表 14 分 + 質疑応答 6 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先  
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先  
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先  


Last modified: 2014-05-11 21:42:44


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