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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 奈良 安雄 (富士通セミコンダクター)
副委員長 大野 裕三 (筑波大)
幹事 笹子 佳孝 (日立)
幹事補佐 黒田 理人 (東北大)

集積回路研究会(ICD) [schedule] [select]
専門委員長 山村 毅 (富士通研)
副委員長 藤島 実 (広島大)
幹事 松岡 俊匡 (阪大), 渡辺 理 (東芝)
幹事補佐 大内 真一 (産総研), 吉田 毅 (広島大), 土谷 亮 (京大), 範 公可 (電通大)

日時 2013年 8月 1日(木) 09:00 - 17:10
2013年 8月 2日(金) 09:00 - 17:20
議題 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
会場名 金沢大学 角間キャンパス 自然科学本館1F 大会議室 
住所 〒920-1192 金沢市角間町
会場世話人
連絡先
金沢大学大学院 自然科学研究科 松田吉雄
076-234-4861
他の共催 ◆IEEE SSCS Japan/Kansai Chapter共催
お知らせ ◎第1日目の研究会終了後,懇親会を予定していますので,奮ってご参加ください.
会場(予定):松魚亭 〒920-0831 金沢市東山1丁目38-30
http://www.asadaya.co.jp/shougyotei/

8月1日(木) 午前 
09:00 - 17:10
(1) 09:00-09:25 SOI構造における急峻なサブスレッショルド特性の解析 森 貴之井田次郎金沢工大
(2) 09:25-09:50 合成電界効果によるトンネルトランジスタの性能向上 森田行則森 貴洋右田真司水林 亘田邊顕人福田浩一遠藤和彦松川 貴大内真一柳 永シュン昌原明植太田裕之産総研
(3) 09:50-10:15 マルチ・ゲート酸化膜を備え自己整合プロセスを用いたDual Work Function (DWF) MOSFETsの低消費RFアプリケーションに対するスケーリングの方針 宮田俊敬川中 繁外園 明大黒達也豊島義明東芝
  10:15-10:25 休憩 ( 10分 )
(4) 10:25-11:10 [招待講演]これからの集積回路技術:部品からの脱却 益 一哉東工大
(5) 11:10-11:55 [招待講演]三次元積層技術の世界動向と日本のこれからの取組み 池田博明ASET
  11:55-13:00 昼食 ( 65分 )
(6) 13:00-13:45 [招待講演]Tera-Scale Three-Dimensional Integration (3DI) using Bumpless TSV Interconnects Takayuki OhbaTokyo Inst. of Tech.
(7) 13:45-14:30 [招待講演]貫通シリコンビアとアクティブインタポーザを用いた4096 bit幅100 GByte/秒ワイドI/Oの設計と診断 永田 真高谷 聡神戸大)・池田博明ASET
  14:30-14:40 休憩 ( 10分 )
(8) 14:40-15:25 [招待講演]方向性結合器を用いた携帯機器用途向け0.15mm厚非接触コネクタ 小菅敦丈水原 渉四手井綱章竹谷 勉三浦典之田口眞男石黒仁揮黒田忠広慶大
  15:25-15:40 休憩 ( 15分 )
(9) 15:40-17:10 [パネル討論]3D Integration:何を、いつから期待する? 益 一哉東工大)・池田博明ASET)・永田 真神戸大)・高橋健司東芝)・大場隆之東工大)・鈴木大介Pezy Computing
8月2日(金) 午前 
09:00 - 17:20
(10) 09:00-09:25 SRAMセル安定性指標パラメータの検討:ノイズマージンかVminか? Anil Kumar更屋拓哉東大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・平本俊郎東大
(11) 09:25-09:50 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減 水谷朋子東大)・山本芳樹槇山秀樹篠原博文岩松俊明尾田秀一杉井信之超低電圧デバイス技術研究組合)・平本俊郎東大
(12) 09:50-10:15 低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM 新居浩二薮内 誠藤原英弘塚本康正石井雄一郎ルネサス エレクトロニクス)・松村哲哉日大)・松田吉雄金沢大
  10:15-10:25 休憩 ( 10分 )
(13) 10:25-10:50 0.72ns高速読出しと50%電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス制御方式の28nmマスクROM 梅本由紀子新居浩二石川次郎薮内 誠塚本康正田中信二田中浩司森 和孝柳沢一正ルネサス エレクトロニクス
(14) 10:50-11:15 28nmHKMGテクノロジにおけるEM耐性を強化した1.8V I/O NMOS電源スイッチによる123uWスタンバイ電力技術 福岡一樹森 涼加藤 章五十嵐満彦澁谷宏治山木貴志新居浩二森田貞幸小池貴夫ルネサス エレクトロニクス)・阪本憲成ルネサス モバイル
(15) 11:15-12:00 [招待講演]時間領域アナログ&デジタル混成信号処理技術を用いたLDPC復号回路 宮下大輔山城 遼東芝)・橋吉和典東芝マイクロエレクトロニクス)・小林弘幸香西昌平大脇幸人畝川康夫東芝
  12:00-13:00 昼食 ( 60分 )
(16) 13:00-13:25 広範囲動作非同期制御回路を用いた0.4-1V動作逐次比較型ADC 富山陽介志方 明吉岡健太郎関本竜太黒田忠広石黒仁揮慶大
(17) 13:25-13:50 Boosted Power Gatingを用いた超低電圧ナノワット動作完全非同期型SAR ADC 齋藤 涼関本竜太志方 明慶大
(18) 13:50-14:15 MOSFETの動作領域の統一によるD/Aコンバータの線形性の向上 蓬田拓夢範 公可電通大
  14:15-14:25 休憩 ( 10分 )
(19) 14:25-15:10 [招待講演]ミッションクリティカルUNIXサーバ向け第10世代16コアSPARC64プロセッサ 菅 竜二田中智浩杉崎 剛西山龍一酒林聰太富士通)・小柳洋一富士通研)・岩月竜二早坂和美富士通)・上村大樹富士通セミコンダクター)・伊藤 学小関由知安達裕幸古谷和弘本車田 強富士通
(20) 15:10-15:55 [招待講演]LTE対応コミュニケーションプロセッサR-MobileU2における電力制御技術 ~ Power saverによるクロック制御手法 ~ 藤ヶ谷誠希阪本憲成小池貴夫入田隆宏若原康平松山嗣生長谷川敬司齋藤俊治福田 章寺西 要ルネサス モバイル)・福岡一樹前田徳章新居浩二ルネサス エレクトロニクス)・○片岡 健服部俊洋ルネサス モバイル
  15:55-16:05 休憩 ( 10分 )
(21) 16:05-16:30 バルク制御によるオペアンプの入力同相電圧広域化 大澤 衛範 公可電通大
(22) 16:30-16:55 アフィン動きモデル推定プロセッサの顔器官追跡への応用 森田峻介深山正幸松田吉雄金沢大
(23) 16:55-17:20 太陽電池駆動5mm角ワイヤレスセンサノードを実現するフィードバック型ソースフォロワを採用した間欠送信回路 松永賢一大嶋尚一森村浩季原田 充NTT

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 小野 行徳(NTT)
Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317
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ICD 集積回路研究会(ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 松岡 俊匡 (大阪大学)
TEL 06-6879-7792,FAX 06-6879-7792
E-:eeieng-u 


Last modified: 2013-07-08 13:57:22


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