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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 渡辺 重佳 (湘南工科大)
副委員長 杉井 寿博 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事 川中 繁 (東芝), 安斎 久浩 (ソニー)
幹事補佐 大見 俊一郎 (東工大)

日時 2008年10月 9日(木) 13:30 - 17:45
2008年10月10日(金) 10:00 - 17:15
議題 プロセス科学と新プロセス技術 
会場名 東北大学未来科学技術共同研究センター 
住所 〒980-8579 仙台市青葉区荒巻字青葉6-6-10
交通案内 仙台駅バスプール9番より、「工学部経由動物公園循環」、「宮教大」もしくは「青葉台」行きに乗ってください。最寄のバス停は、「情報科学研究科前」
http://www.fff.niche.tohoku.ac.jp/ja/index.php?%5B%5BMap%5D%5D
会場世話人
連絡先
未来科学技術共同研究センター 寺本章伸
022-795-3977

10月9日(木) 午後 
13:30 - 17:45
(1) 13:30-14:00 Evaluation of Post Cu-CMP Cleaning Chemicals for Non-Porous Ultra Low-k Dielectric Fluorocarbon Film Xun GuTakenao NemotoAkinobu TeramotoTakashi ItoTadahiro OhmiTohoku Univ.
(2) 14:00-14:30 Investigation of Novel End-Point-Detection for Ta/Cu CMP Xun Gu・○Takenao NemotoTohoku Univ.)・Ara PhilipossianYasa Adi SampurnoUniv. of Arizona/Araca)・Jiang ChengAraca)・Yun ZhuangUniv. of Arizona/Araca)・Akinobu TeramotoTakashi ItoTadahiro OhmiTohoku Univ.
(3) 14:30-15:00 エタノール添加スラリーを用いたCMPによるCWレーザ結晶化Si薄膜の平坦化 沼田雅之黒木伸一郎藤井俊太朗小谷光司伊藤隆司東北大
(4) 15:00-15:30 マルチスケール配線寿命予測シミュレータの開発とCu配線への応用 坪井秀行鈴木 愛サヌーン リアド古山通久畠山 望遠藤 明高羽洋充デルカルピオ カルロス久保百司宮本 明東北大
  15:30-15:45 休憩 ( 15分 )
(5) 15:45-16:15 計算化学手法によるダイヤモンドライクカーボン(DLC)の摩擦特性・微細構造の検討 栗秋貴謹森田祐輔小野寺 拓鈴木 愛Riadh Sahnoun古山通久坪井秀行畠山 望遠藤 明高羽洋充Carlos A. Del Carpio久保百司宮本 明東北大
(6) 16:15-16:45 Tight-Binding Quantum Chemistry Study on Excitation Properties of Perylene with Acrylic Acid on Anatas(001) Surface Chen LvKei OgiyaAi SuzukiRiadh SahnounMichihisa KoyamaHideyuki TsuboiNozomu HatakeyamaAkira EndouHiromitsu TakabaCarlos A. Del CarpioMomoji KuboAkira MiyamotoTohoku Univ.
(7) 16:45-17:15 計算化学によるプラズマディスプレイ用電極保護膜材料の二次電子放出特性評価 芹澤和実山下 格大沼宏彰東北大)・菊地宏美東北大/広島大)・北垣昌規広島大)・鈴木 愛Sahnoun Riadh古山通久坪井秀行畠山 望遠藤 明高羽洋充デルカルピオ カルロス久保百司東北大)・梶山博司広島大
(8) 17:15-17:45 超高速化量子分子動力学法に基づく構造解析・分光シミュレータの開発とシリコン半導体への応用 遠藤 明山下 格芹澤和実大沼宏彰小野寺 拓古山通久坪井秀行畠山 望高羽洋充Carlos A. Del Carpio久保百司宮本 明東北大
  - 懇親会
10月10日(金) 午前 
10:00 - 17:15
(9) 10:00-10:30 三次元多孔質構造に基づく色素増感TiO2電極の電子移動シミュレーション 扇谷 恵呂 晨鈴木 愛Riadh Sahnoun古山通久坪井秀行畠山 望遠藤 明高羽洋充Carlos A. Del Carpio久保百司宮本 明東北大
(10) 10:30-11:00 発光材料の構造とキャリア移動特性に関する計算化学的解析 山下 格大沼 宏彰/芹澤和実鈴木 愛Sahnoun Riadh古山通久坪井秀行畠山 望遠藤 明高羽洋充Carlos A. Del Carpio久保百司宮本 明東北大
(11) 11:00-11:30 実験との融合を指向した計算化学手法による蛍光体の構造解析 大沼宏彰山下 格芹澤和実鈴木 愛Sahnoun Riadh古山通久坪井秀行畠山 望遠藤 明高羽洋充Carlos A. Del Carpio久保百司宮本 明東北大
(12) 11:30-12:00 ペロブスカイト型BaTiO3の誘電特性解析のための超高速化量子分子動力学法の開発 肖 紅君平井 敬鈴木 愛Riadh Sahnoun古山通久坪井秀行畠山 望遠藤 明高羽洋充Carlos A. Del Carpio久保百司宮本 明東北大
  12:00-13:00 昼食 ( 60分 )
(13) 13:00-13:30 B18H22注入のミリ秒アニールに対する適用性 川崎洋司遠藤誠一北澤雅志丸山祥輝山下朋弘黒井 隆吉村秀文米田昌弘ルネサステクノロジ
(14) 13:30-14:00 Hf混晶化PtSiの仕事関数変調機構の検討 高 峻石川純平大見俊一郎東工大
(15) 14:00-14:30 MOSFET特性ばらつき、RTSノイズの統計的評価 藤澤孝文須川成利渡部俊一阿部健一寺本章伸大見忠弘東北大
(16) 14:30-15:00 Impact of Fully Depleted Silicon-On-Insulator Accumualation-mode CMOS on Si(110) Ching Foa TyeWeitao ChengAkinobu TeramotoShigetoshi SugawaTadahiro OhmiTohoku Univ.
  15:00-15:15 休憩 ( 15分 )
(17) 15:15-15:45 Stress Induced Leakage CurrentとRandom Telegraph Signalノイズとの相関 熊谷勇喜寺本章伸阿部健一藤澤孝文渡部俊一諏訪智之宮本直人須川成利大見忠弘東北大
(18) 15:45-16:15 シリコン酸化膜中に取り込まれたドーパントの影響 永嶋賢史赤堀浩史東芝
(19) 16:15-16:45 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究 諏訪智之東北大)・荒谷 崇信越化学)・樋口正顕東芝)・須川成利東北大)・池永英司高輝度光科学研究センター)・牛尾二郎日立)・野平博司武蔵工大)・寺本章伸大見忠弘服部健雄東北大
(20) 16:45-17:15 原子オーダ平坦化シリコンウェハ表面のAFM評価手法及びデータ解析手法 譽田正宏寺本章伸諏訪智之黒田理人大見忠弘東北大

講演時間
一般講演(30)発表 25 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 川中繁 (東芝)
TEL 045-776-5670, FAX 045-776-4104
E- geba 


Last modified: 2008-09-11 09:46:21


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