お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2020年10月開催~)
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*** 現時点では現地開催を予定していますが,オンライン開催となる可能性もあります.→ オンライン開催の可能性が高くなってまいりました.→ オンラインのみ開催に決定しました. ***





電子ディスプレイ研究会(EID) [schedule] [select]
専門委員長 山口 留美子 (秋田大)
副委員長 山口 雅浩 (東工大), 石原 朋幸 (ジャパンディスプレイ)
幹事 伊達 宗和 (NTT), 中田 充 (NHK)
幹事補佐 木村 睦 (龍谷大), 志賀 智一 (電通大), 小南 裕子 (静岡大), 水﨑 真伸 (シャープ), 神原 誠之 (奈良先端大)

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 平野 博茂 (タワー パートナーズ セミコンダクター)
副委員長 大見 俊一郎 (東工大)
幹事 森 貴洋 (産総研), 小林 伸彰 (日大)
幹事補佐 野田 泰史 (パナソニック), 諏訪 智之 (東北大)

情報ディスプレイ研究会(ITE-IDY) [schedule] [select]

日時 2020年12月 2日(水) 10:00 - 16:45
議題 シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 / 半導体材料プロセス・デバイス研究会 
会場名 オンライン開催
[変更あり] 
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(EID研究会, SDM研究会)についてはこちらをご覧ください.
参加締切 11月29日

12月2日(水) 午前  測定技術・評価技術
座長: 平野
10:00 - 10:45
(1)
EID
10:00-10:15 アモルファス酸化物半導体メモリスタの特性測定自動化とその効果 EID2020-1 SDM2020-35 角田 涼倉崎彩太木村 睦龍谷大
(2)
EID
10:15-10:30 薄膜デバイスを用いた人工網膜の生体環境模倣実験 EID2020-2 SDM2020-36 内藤直矢豊田航平龍谷大)・岡野仁夫ウェトラブ)・木村 睦龍谷大
(3)
EID
10:30-10:45 非結晶Ga-Sn-O薄膜熱電変換素子の特性評価 EID2020-3 SDM2020-37 山本佑平荒牧達也伊藤 良木村 睦龍谷大
  10:45-10:55 休憩 ( 10分 )
12月2日(水) 午前  太陽電池・ニューロモーフィックシステム [変更あり]
座長: 纐纈
10:55 - 12:25
(4) 10:55-11:25 [特別招待講演]低温および共形ペロブスカイト太陽電池用の真空処理薄膜
Vacuum processed films for low temperature and conformal perovskite solar cells
○Michael Paul A. Jallorina(奈良先端科学技術大学院大)
(5)
EID
11:25-11:40 IGZO薄膜を利用したシナプス素子の積層クロスポイントメモリ EID2020-4 SDM2020-38 岩城江津子龍谷大)・津野拓海奈良先端大)・木村 睦龍谷大
(6)
EID
11:40-11:55 ニューラルネットワーク用強誘電体薄膜の誘電特性評価 EID2020-5 SDM2020-39 石崎勇真梅村浩輝松川大毅木村 睦龍谷大)・徳光永輔北陸先端大)・羽賀健一土井利浩三菱マテリアル
(7)
EID
11:55-12:10 STDP学習側を用いた酸化物半導体薄膜シナプス素子の検討 EID2020-6 SDM2020-40 片桐徹也山川大樹谷内田健太森垣和樹木村 睦龍谷大
(8)
EID
12:10-12:25 IGZO薄膜シナプスを用いた脳型システム EID2020-7 SDM2020-41 大西祐輝柴山友輝山川大樹龍谷大)・池田裕哉中島康彦奈良先端大)・木村 睦龍谷大/奈良先端大
[変更あり]
  12:25-13:10 昼食 ( 45分 )
12月2日(水) 午後  半導体材料・作製・パワーデバイス
座長: 曲
13:10 - 14:20
(1) 13:10-13:40 [特別招待講演]HEMT応用に向けたκ-Ga2O3の結晶成長技術
○西中浩之(京都工芸繊維大)
(2)
SDM
13:40-14:00 粒子配向用チタン酸バリウム単結晶微粒子の合成 EID2020-8 SDM2020-42 山﨑美沙山口正樹芝浦工大
(3)
SDM
14:00-14:20 積層構造によるAl2O3/GaN MOS特性の改善 EID2020-9 SDM2020-43 曽根原 翔上沼睦典・○浦岡行治奈良先端大
  14:20-14:30 休憩 ( 10分 )
12月2日(水) 午後  酸化物半導体・ReRAM
座長: 木村
14:30 - 15:50
(4)
EID
14:30-15:00 [特別招待講演]酸化物半導体の低温欠陥制御とフレキシブルデバイス応用 EID2020-10 SDM2020-44 曲 勇作古田 守高知工大
(5)
SDM
15:00-15:20 TiN電極を用いたTa2O5-ReRAM素子におけるデジタルおよびアナログ抵抗変化の共存 EID2020-11 SDM2020-45 山田和尚木本恒暢京大)・西 佑介京大/舞鶴高専
(6)
EID
15:20-15:35 Ga-Sn-O薄膜を用いた二層構造ReRAMの最適化 EID2020-12 SDM2020-46 倉崎彩太橋本快斗角田 涼赤根詩穂里牧岡大輔杉崎澄生木村 睦龍谷大
(7)
EID
15:35-15:50 Cu2GeTe3を用いた相変化メモリ EID2020-13 SDM2020-47 赤根詩穂里龍谷大)・堀内 功KOA)・木村 睦龍谷大
[変更あり]
  15:50-16:00 休憩 ( 10分 )
12月2日(水) 午後  酸化物薄膜トランジスタ
座長: 浦岡
16:00 - 16:45
(8) 16:00-16:30 [特別招待講演]フレキシブル基板上の全溶液処理酸化物薄膜トランジスタに向けた低温溶液プロセス
Low temperature solution process towards All Solution-Processed Oxide Thin-Film Transistors on Flexible Substrates
○Juan Paolo Bermundo(奈良先端科学技術大学院大)
(9)
EID
16:30-16:45 酸化物半導体Ga-Sn-Oを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタ EID2020-14 SDM2020-48 福井智貴中川滉貴木村 睦龍谷大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
EID 電子ディスプレイ研究会(EID)   [今後の予定はこちら]
問合先  
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 SDM幹事:森 貴洋(産業技術総合研究所)
電話 029-849-1149
E-Mail -aist 
ITE-IDY 情報ディスプレイ研究会(ITE-IDY)   [今後の予定はこちら]
問合先  


Last modified: 2020-11-26 23:44:06


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