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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 堀口 文男
副委員長 浅野 種正
幹事 大野 守史, 高柳 万里子
幹事補佐 松井 裕一

集積回路研究会(ICD) [schedule] [select]
専門委員長 中屋 雅夫
副委員長 松澤 昭
幹事 宮野 信治, 甲斐 康司
幹事補佐 相本 代志治, 永田 真

日時 2005年 8月18日(木) 08:30 - 18:20
2005年 8月19日(金) 08:30 - 17:15
議題 VLSI回路、デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力) オーガナイザ 中央大学 榎本忠儀 
会場名 函館国際ホテル 0138-23-5151(代表) 
住所 〒040-0064北海道函館市大手町5-10
交通案内 JR函館駅から徒歩約5分、函館空港からタクシーで約20分、シャトルバスで約25分
http://www.hakodate.ne.jp/kokusaihotel/
会場世話人
連絡先
三浦守
0138-34-6226
お知らせ ◎研究会1日目終了後,懇親会を予定していますので御参加ください.
◎JTBから宿泊・航空機のパックがございますので,ぜひご利用ください.
詳細は下記のWEBをご覧ください.
http://www.kameyama.ecei.tohoku.ac.jp/icd/jtb.pdf

8月18日(木) 午前 
08:30 - 12:00
(1) 08:30-08:55 携帯機器応用 95mW MPEG2 MP@HL 動き検出プロセッサコア 村地勇一郎神戸大)・浜野康司・○松野哲郎金沢大)・宮越純一神戸大)・深山正幸金沢大)・吉本雅彦神戸大
(2) 08:55-09:20 ディジタル無線通信用FFT回路のビット幅制御による低消費エネルギー化手法の検討 徳永将之樽見幸祐安浦寛人九大
(3) 09:20-09:45 温度変化によるLSI性能ばらつきを低減するTISロック回路 小野豪一宮崎祐行渡邊一希河原尊之日立
(4) 09:45-10:10 CMOSプロセスにおけるゲート遅延ばらつき測定回路の提案 坂本良太室山真徳樽見幸祐安浦寛人九大
  10:10-10:25 休憩 ( 15分 )
(5) 10:25-11:10 [特別招待講演]サブ45nm時代に向けて、SOI基板技術の現状と展望 吉見 信SOITEC Asia
(6) 11:10-11:35 面方位(110)極薄SOI pMOSFETにおける高移動度の実験的検証 筒井 元齋藤真澄平本俊郎東大
(7) 11:35-12:00 VTCMOSに最適な基板バイアス係数可変完全空乏型 SOI MOSFET 大藤 徹南雲俊治東大)・横山弘毅東大/中大)・平本俊郎東大
  12:00-13:00 昼食 ( 60分 )
8月18日(木) 午後 
13:00 - 18:20
(8) 13:00-13:25 誘導性・容量性クロストークノイズによる遅延変動の測定と評価 小笠原泰弘橋本昌宜尾上孝雄阪大
(9) 13:25-13:50 CMOSミックストシグナル/RF回路における基板結合対策 小坂大輔永田 真神戸大)・村坂佳隆岩田 穆エイアールテック
(10) 13:50-14:15 LDD構造CMOSFETにおける(高ドープ/低ドープ)・ドレイン解析用テスト構造 大曽根隆志岡山県立大)・松田敏弘富山県立大)・岡田和彦森下賢幸小椋清孝岡山県立大)・岩田栄之富山県立大
  14:15-14:30 休憩 ( 15分 )
(11) 14:30-14:55 MTCMOS回路の遅延時間モデリングと静的タイミング解析への応用手法 大久保直昭宇佐美公良芝浦工大
(12) 14:55-15:20 動作時および待機時における電源電圧およびしきい電圧の制御による消費電力最小化のためのモニタリング方式 池永佳史野村昌弘武田晃一中澤陽悦NEC)・相本代志治NECエレクトロニクス)・萩原靖彦NEC
(13) 15:20-15:45 低消費電力・低リーク電流CMOS平方根回路 小林伸彰榎本忠儀中大
(14) 15:45-16:10 レプリカセルバイアス技術を用いた低リークSRAMマクロ 平林 修武山泰久大竹博之櫛田桂一大塚伸朗東芝
  16:10-16:20 休憩 ( 10分 )
(15) 16:20-18:20 [パネルディスカッション] サブ50-nm時代の切り札、SOI ~ SOIがBulkに勝てる技術はこれだ! ~ 榎本忠儀中大)・○道関隆国NTT)・有本和民ルネサステクノロジ)・井田次郎OKI)・一法師隆志ルネサステクノロジ)・三木和彦東芝)・山岡雅直日立)・吉見 信SOITEC
8月19日(金) 午前 
08:30 - 12:00
(16) 08:30-08:55 -90dBc@10kHzの位相ノイズを実現するバンド幅制御機能付き分数分周シンセサイザの開発 道正志郎森江隆史岡本好史山田祐嗣曽川和昭松下電器
(17) 08:55-09:20 ディジタルI/Qミスマッチ補正回路を搭載したLow-IF方式シングルチップCMOS Bluetooth-EDR送信機 石黒仁揮宮下大輔島田太郎香西昌平小林弘幸間島秀明阿川謙一濱田基嗣羽鳥文敏東芝
(18) 09:20-09:45 セグメント反転構成とカスケード・ダイナミックエレメントマッチングを用いた106dBオーディオ用ディジタル-アナログ変換器 井戸 徹石塚総一郎日本テキサス・インスツルメンツ
  09:45-10:00 休憩 ( 15分 )
(19) 10:00-10:45 [特別招待講演]HfSiON ~ その高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題 ~ 西山 彰小山正人上牟田雄一小池正浩飯島良介山口 豪鈴木正道井野恒洋小野瑞城東芝
(20) 10:45-11:10 Mixed Signal CMOS用HfSiON ゲート絶縁膜の最適化 小島健嗣飯島良介大黒達也渡辺 健高柳万里子百瀬寿代石丸一成石内秀美東芝
(21) 11:10-11:35 Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善 門島 勝小川有人高橋正志MIRAI-ASET)・太田裕之MIRAI-ASRC)・三瀬信行岩本邦彦MIRAI-ASET)・右田真司MIRAI-ASRC)・藤原英明佐竹秀喜生田目俊秀MIRAI-ASET)・鳥海 明MIRAI-ASRC/東大
(22) 11:35-12:00 poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト ~ SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果 ~ 由上二郎ルネサステクノロジ)・嶋本泰洋日立)・井上真雄水谷斉治林 岳志賀克哉藤田文子土本淳一大野吉和米田昌弘ルネサステクノロジ
  12:00-13:00 昼食 ( 60分 )
8月19日(金) 午後 
13:00 - 17:15
(23) 13:00-13:25 MTJ抵抗比による電圧センス型1T2MTJ MRAM 青木正樹岩佐 拓佐藤嘉洋富士通研
(24) 13:25-13:50 90nm GenericロジックCMOSプロセスを用いたメモリアレイ0.5V動作Asymmetric Three-Tr. Cell (ATC) DRAMの提案 市橋 基半導体理工学研究センター/ルネサステクノロジ)・戸田春希半導体理工学研究センター/東芝)・伊藤寧夫半導体理工学研究センター/東芝マイクロエレクトロニクス)・石橋孝一郎半導体理工学研究センター/ルネサステクノロジ
(25) 13:50-14:15 0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F2ツインセルDRAMアレー 竹村理一郎伊藤清男関口知紀秋山 悟半澤 悟日立)・梶谷一彦エルピーダメモリ)・河原尊之日立
(26) 14:15-14:40 AG-ANDフラッシュメモリにおける多値高速書込み技術 ~ 多値レベルに応じて最適容量を選択する改良型定電荷注入書込み方式 ~ 大津賀一雄倉田英明日立)・小堺健司野田敏史ルネサステクノロジ)・笹子佳孝有金 剛河村哲史小林 孝日立
(27) 14:40-15:05 FinFETを用いたhp22nm node SRAMのロバストなデバイス設計 岡野王俊石田達也佐々木貴彦泉田貴士近藤正樹藤原 実青木伸俊稲葉 聡大塚伸朗石丸一成石内秀美東芝
  15:05-15:15 休憩 ( 10分 )
(28) 15:15-17:15 [パネルディスカッション] ゲートリークの救世主、それはHigh-k! 榎本忠儀中大)・○高柳万里子東芝)・佐藤成生富士通)・新居浩二ルネサステクノロジ)・西山 彰東芝)・長谷 卓NEC)・濱田基嗣東芝)・由上二郎ルネサステクノロジ

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 西岡泰城(日本大学理工学部 精密機械工学科)
TEL047-469-6482,FAX047-467-9504
E-:etn-u,acmsk 
ICD 集積回路研究会(ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 相本代志治(NECエレクトロニクス)
TEL 044-435-1258, FAX 044-435-1878
E-: aicel 


Last modified: 2005-07-04 18:51:20


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