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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 津田 邦男 (東芝インフラシステムズ)
副委員長 須原 理彦 (首都大)
幹事 東脇 正高 (NICT), 大石 敏之 (佐賀大)
幹事補佐 岩田 達哉 (豊橋技科大), 小谷 淳二 (富士通研)

マイクロ波研究会(MW) [schedule] [select]
専門委員長 村口 正弘 (東京理科大)
副委員長 古神 義則 (宇都宮大), 岡崎 浩司 (NTTドコモ), 田島 賢一 (三菱電機)
幹事 中村 宝弘 (日立), 清水 隆志 (宇都宮大)
幹事補佐 本良 瑞樹 (東北大), 吉田 賢史 (鹿児島大)

日時 2019年 1月17日(木) 09:30 - 17:15
2019年 1月18日(金) 10:40 - 15:45
議題 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/マイクロ波/一般 
会場名 (株)日立製作所 中央研究所 記念館6F 講堂 
住所 〒185-8601 国分寺市東恋ヶ窪1-280
交通案内 JR中央線、東京駅より特別快速で約35分、快速で43分。国分寺駅下車、北口より徒歩約10分。
http://www.hitachi.co.jp/rd/about/location/crl/index.html
会場世話人
連絡先
中央研究所 中村宝弘
080-1072-8741
他の共催 ◆IEEE MTT-S Japan Chapter;IEEE MTT-S Kansai Chapter;IEEE MTT-S Nagoya Chapter協賛
お知らせ ◎1月17日(木)研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください.
◎★★★(ご注意!)参加費については、下記をご覧ください ★★★
なお,IEEE MTT-S Japan Chapter 特別講演および IEEE MTT-S Japan Young Engineer Award特別講演会の参加費は無料です.
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(MW研究会, ED研究会)についてはこちらをご覧ください.

1月17日(木) 午前  MW研 一般講演
座長: 望月章志(NTT)
09:30 - 10:50
  09:30-09:35 委員長挨拶 ( 5分 )
(1) 09:35-10:00 モーメント法による損失試料が装着された同軸プローブのTEMモード解析の基礎検討 柴田幸司小林正樹八戸工大
(2) 10:00-10:25 電磁界結合型2分の1波長共振器フィルタの開発 清水彩加石崎俊雄龍谷大
(3) 10:25-10:50 DUTと異なるポートに既知負荷を接続するSパラメータの間接測定の検討 関根敏和高橋康宏岐阜大
  10:50-11:00 休憩 ( 10分 )
1月17日(木) 午前  MW研 特別講演
座長: 中村宝弘(日立)
11:00 - 11:50
(4) 11:00-11:50 [特別講演]90GHz/100GHz帯を利用したインフラ用レーダー及び通信システムの検討と国際標準化の動向 ~ RoFとミリ波を用いた新しい電波システム ~ 柴垣信彦日立国際電気
  11:50-12:50 昼食 ( 60分 )
1月17日(木) 午後  IEEE MTT-S JC主催特別講演
座長: 大平昌敬(埼玉大)
12:50 - 13:40
(5) 12:50-13:40 [特別講演]2018年ヨーロッパマイクロ波会議出席報告 池内裕章東芝)・陳 春平神奈川大)・牛嶋 優神岡 純三菱電機)・高野恭弥東京理科大)・村田健太郎東芝)・清水隆志宇都宮大
  13:40-13:50 休憩 ( 10分 )
1月17日(木) 午後  IEEE MTT-S Japan Young Engineer Award特別講演会
座長: 大平昌敬(埼玉大)
13:50 - 14:50
(6) 13:50-14:10 [特別講演]サブミリ波帯高感度受信機の広帯域化に向けた超伝導ミキサおよび導波管技術の研究 小嶋崇文国立天文台
(7) 14:10-14:30 [特別講演]The Open-end Microstrip Line of Fixed Width Terminations Using Lossy Grayscale Inkjet Printing
-- Introduction of IEEE Transaction for Young Engineering Award 2018 --
Yasuo MorimotoMitsubishi Electric
(8) 14:30-14:50 [特別講演]空間・周波数領域における干渉除去機能を有する電波環境モニタリング用フェーズドアレイ広帯域受信機 大島直樹狐塚正樹塚本健太國弘和明NEC
  14:50-15:00 休憩 ( 10分 )
1月17日(木) 午後  ED研 一般講演
座長: 小谷淳二(富士通研)
15:00 - 16:15
(9) 15:00-15:25 ピットアシストオーミック技術によるInAlGaN/GaN HEMTの性能向上 熊崎祐介尾崎史朗美濃浦優一牧山剛三多木俊裕岡本直哉中村哲一富士通研
(10) 15:25-15:50 ノーマリオフ型GaN MOS-HFETにおけるバイアスアニールの効果 南條拓真小山英寿今井章文綿引達郎山向幹雄三菱電機
(11) 15:50-16:15 GaN-on-GaN構造の採用による転位密度低減に伴う高電界ストレスに対する電流コラプス特性の改善効果 今井章文吉嗣晃治南條拓真綿引達郎山向幹雄三菱電機
  16:15-16:25 休憩 ( 10分 )
1月17日(木) 午後  MW研 招待講演
座長: 村口正弘(東京理科大)
16:25 - 17:15
(12) 16:25-17:15 [招待講演]シリコン半導体の過去・現在・未来 ~ 低電力モードと高性能モードを柔軟に変えられる薄膜BOX-SOI ~ 木村紳一郎日立
1月18日(金) 午前  ED研 一般講演
座長: 山本佳嗣(三菱電機)
10:40 - 11:55
(13) 10:40-11:05 高温動作時のGaN-HEMTの故障モード分析 四田泰代住友電工デバイス・イノベーション)・舘野泰範米村卓巳古川将人山本 洋住友電工)・野瀬幸則清水 聡住友電工デバイス・イノベーション
(14) 11:05-11:30 高温信頼度試験におけるGaN-HEMTのパルスI-V特性劣化メカニズムの解析 舘野泰範住友電工)・四田泰代住友電工デバイス・イノベーション)・山本 洋中林隆志住友電工
(15) 11:30-11:55 大電力RF-DC変換に向けたGaN HEMT/Siダイオードのカスコード接続回路の検討 浦田幸佑網代康佑佐賀大)・山口裕太郎大塚友絢新庄真太郎三菱電機)・大石敏之佐賀大
  11:55-13:00 昼食 ( 65分 )
1月18日(金) 午後  MW研 依頼講演
13:00 - 13:50
(16) 13:00-13:50 [依頼講演]光通信・無線通信向け超高速IC技術 野坂秀之長谷宗彦濱田裕史徐 照男脇田 斉堤 卓也杉山弘樹武藤美和井田 実松崎秀昭NTT
  13:50-14:00 休憩 ( 10分 )
1月18日(金) 午後  MW研 一般講演
座長: 加保貴奈(NTT)
14:00 - 15:45
(17) 14:00-14:25 短絡結合スタブを用いた有極型広帯域BPFの設計 桂馬康輔馬 哲旺大平昌敬埼玉大
(18) 14:25-14:50 共振器並列構造を用いたマイクロストリップリコンフィギャラブルBPFの設計及び試作 橋本周磨大平昌敬馬 哲旺埼玉大
(19) 14:50-15:15 絶対帯域幅一定のマイクロストリップチューナブルフィルタリングアンテナの設計 相馬朝康大平昌敬馬 哲旺埼玉大
(20) 15:15-15:40 TE102モードによる負結合を用いた準ミリ波帯有極形SIW帯域通過フィルタの設計 清水由太大平昌敬馬 哲旺埼玉大
  15:40-15:45 閉会 ( 5分 )

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
特別講演(MTT-S Japan Young Engineer Award特別講演会)発表 15 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 東脇 正高(情報通信研究機構)
TEL : 042-327-6092 Fax : 042-327-5527
E- : m
大石 敏之(佐賀大学)
TEL : 0952-28-8642
E- :oi104cc-u 
MW マイクロ波研究会(MW)   [今後の予定はこちら]
問合先 本良 瑞樹(東北大)
E-: ec
もしくは
中村 宝弘(日立)
E-:  


Last modified: 2019-01-17 00:15:17


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