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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 津田 邦男 (東芝インフラシステムズ)
副委員長 須原 理彦 (首都大)
幹事 東脇 正高 (NICT), 大石 敏之 (佐賀大)
幹事補佐 岩田 達哉 (豊橋技科大), 小谷 淳二 (富士通研)

電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 廣瀬 文彦 (山形大)
副委員長 武山 真弓 (北見工大)
幹事 中村 雄一 (豊橋技科大), 赤毛 勇一 (NTTデバイスイノベーションセンタ)
幹事補佐 木村 康男 (東京工科大), 中澤 日出樹 (弘前大), 寺迫 智昭 (愛媛大)

レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) [schedule] [select]
専門委員長 浜本 貴一 (九大)
副委員長 有賀 博 (三菱電機)
幹事 八木 英樹 (住友電工), 川北 泰雅 (古河電工)
幹事補佐 永井 正也 (阪大)

日時 2018年11月29日(木) 12:55 - 16:55
2018年11月30日(金) 09:00 - 15:25
議題 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 
会場名 名古屋工業大学 窒化物半導体マルチビジネス創生センター 56号館 
住所 〒466-8555 名古屋市昭和区御器所町
交通案内 http://www.nitech.ac.jp/access/index.html#a2
会場世話人
連絡先
名古屋工業大学 久保俊晴
052-735-5591
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.
(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(ED研究会, LQE研究会, CPM研究会)についてはこちらをご覧ください.

(1) 12:55-13:00 開会のあいさつ 津田 邦男(東芝)
11月29日(木) 午後  LQE1
座長: 川口真生(Panasonic)
13:00 - 14:15
(1) 13:00-13:25 GaN/AlN極薄膜量子井戸の作製と偏光特性 ED2018-32 CPM2018-66 LQE2018-86 船戸 充市川修平川上養一京大
(2) 13:25-13:50 c面GaN上へのエピタキシャルAlInN膜の成長ならびにその混晶組成と微細構造の関係 ED2018-33 CPM2018-67 LQE2018-87 山中瑞樹三好実人江川孝志名工大)・竹内哲也名城大
(3) 13:50-14:15 AlGaN深紫外LDの実現に向けた最近の進展 ED2018-34 CPM2018-68 LQE2018-88 前田哲利理研)・山田陽一山口大)・定 昌史平山秀樹理研
11月29日(木) 午後  ED1
座長: 大石敏之(佐賀大)
14:15 - 15:05
(4) 14:15-14:40 GaN-MOSFETにおけるGaN表面処理とゲート絶縁膜アニールによるチャネル移動度の改善 ED2018-35 CPM2018-69 LQE2018-89 梶原瑛祐新留 彩彦坂年輝蔵口雅彦東芝)・吉岡 啓東芝デバイス&ストレージ)・布上真也東芝
(5) 14:40-15:05 n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定 ED2018-36 CPM2018-70 LQE2018-90 塩島謙次前田昌嵩福井大)・三島友義法政大
  15:05-15:15 休憩 ( 10分 )
11月29日(木) 午後  CPM1
15:15 - 16:55
(6) 15:15-15:40 ナノインプリントによるモスアイ構造作製法に関する評価実験 ED2018-37 CPM2018-71 LQE2018-91 平賀健太久保田 繁鹿又健作有馬ボシールアハンマド廣瀬文彦山形大
(7) 15:40-16:05 ALD法を用いたフレキシブルフィルム上へのゼオライト薄膜の試作とイオン吸着特性評価 ED2018-38 CPM2018-72 LQE2018-92 森 義晴野口雄祐鹿又健作三浦正範有馬 ボシール アハンマド久保田 繁廣瀬文彦山形大
(8) 16:05-16:30 フォト電極修飾によるCdS量子ドット太陽電池の効率向上に関する研究 ED2018-39 CPM2018-73 LQE2018-93 木幡優弥三浦正範鹿又健作久保田 繁廣瀬文彦有馬 ボシール アハンマド山形大
(9) 16:30-16:55 酒石酸添加三段パルス電気化学堆積によるFeSxOy薄膜の作製とZnO/FeSxOyヘテロ接合太陽電池の作製 ED2018-40 CPM2018-74 LQE2018-94 季 ぶん市村正也名工大
11月30日(金) 午前  ED2
座長: 久保俊晴(名工大)
09:00 - 09:50
(10) 09:00-09:25 歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET ED2018-41 CPM2018-75 LQE2018-95 細見大樹古岡啓太陳 珩斉藤早紀久保俊晴江川孝志三好実人名工大
(11) 09:25-09:50 ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすアニール雰囲気の効果 ED2018-42 CPM2018-76 LQE2018-96 古岡啓太久保俊晴三好実人江川孝志名工大
11月30日(金) 午前  CPM2
座長: 久保俊晴(名工大)/津田 邦男(東芝)
09:50 - 11:40
(12) 09:50-10:15 化学溶液析出法による無添加及びLi添加CuO薄膜の成長と構造及び電気的特性 ED2018-43 CPM2018-77 LQE2018-97 岡田英之・○寺迫智昭五丁健治林本直也愛媛大
  10:15-10:25 休憩 ( 10分 )
(13) 10:25-10:50 化学溶液析出法によるGZOシード層上へのZnOナノロッドの成長とPEDOT:PSS/ZnOナノロッドヘテロ接合の形成 ED2018-44 CPM2018-78 LQE2018-98 小原翔平・○寺迫智昭難波 優橋国直人愛媛大)・矢木正和香川高専)・野本淳一山本哲也高知工科大
(14) 10:50-11:15 電気化学堆積法によるp-NiO/n-ZnO透明太陽電池の作製 ED2018-45 CPM2018-79 LQE2018-99 古山実季市村正也名工大
(15) 11:15-11:40 光化学堆積法によるp型Cu-AlOx薄膜の作製・評価 ED2018-46 CPM2018-80 LQE2018-100 梅村将成市村正也名工大
  11:40-12:40 昼食 ( 60分 )
11月30日(金) 午後  LQE2
座長: 江川孝志(名工大)/山口敦史(金沢工大)
12:40 - 15:25
(16) 12:40-13:05 SiO2埋め込みによる光導波構造を有するIII族窒化物面発光レーザ ED2018-47 CPM2018-81 LQE2018-101 飯田涼介名城大)・林 菜摘村永 亘岩山 章竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大)・赤﨑 勇名城大/名大
(17) 13:05-13:30 InGaN量子井戸の組成揺らぎ評価に関する実験的・理論的検討 ED2018-48 CPM2018-82 LQE2018-102 藤田貴志坂井繁太池田優真山口敦史金沢工大)・蟹谷裕也冨谷茂隆ソニー
(18) 13:30-13:55 光励起誘導放出光測定によるInGaN量子井戸レーザのポテンシャル揺らぎ評価 ED2018-49 CPM2018-83 LQE2018-103 大島一輝池田優真坂井繁太山口敦史金沢工大)・蟹谷裕也冨谷茂隆ソニー
  13:55-14:05 休憩 ( 10分 )
(19) 14:05-14:30 r面サファイア上a面AlNスパッタ膜の高品質化と特性評価 ED2018-50 CPM2018-84 LQE2018-104 福田 涼正直花奈子蒋 楠上杉謙次郎林 侑介肖 世玉三宅秀人三重大
(20) 14:30-14:55 Recent Progress towards realizing GaN/AlGaN Quantum Cascade Lasers ED2018-51 CPM2018-85 LQE2018-105 Ke WangLi WangLin Tsung TseHideki HirayamaRIKEN
(21) 14:55-15:20 GaN系フォトニック結晶レーザ実現のためのMOVPE空孔形成法の検討 ED2018-52 CPM2018-86 LQE2018-106 小泉朋朗江本 渓スタンレー電気)・石崎賢司デ ゾイサ メーナカ田中良典京大)・園田純一スタンレー電気)・野田 進京大
(22) 15:20-15:25 閉会のあいさつ 浜本 貴一(九大)

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 東脇 正高(情報通信研究機構)
TEL : 042-327-6092 Fax : 042-327-5527
E- : m
大石 敏之(佐賀大学)
TEL : 0952-28-8642
E- :oi104cc-u 
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先  
LQE レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)   [今後の予定はこちら]
問合先 八木 英樹(住友電気工業)
TEL 045-851-2174
E-: gi-dei

川北 泰雅(古河電気工業)
TEL 045-311-1219
E-: electc 
お知らせ ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/welcome.html
◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。


Last modified: 2018-11-28 16:46:48


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[研究会資料インデックス(vol. no.ごとの表紙と目次)]
 

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