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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 津田 邦男 (東芝インフラシステムズ)
副委員長 須原 理彦 (首都大)
幹事 東脇 正高 (NICT), 大石 敏之 (佐賀大)
幹事補佐 岩田 達哉 (豊橋技科大), 小谷 淳二 (富士通研)

電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 廣瀬 文彦 (山形大)
副委員長 武山 真弓 (北見工大)
幹事 中村 雄一 (豊橋技科大), 赤毛 勇一 (NTTデバイスイノベーションセンタ)
幹事補佐 木村 康男 (東京工科大), 中澤 日出樹 (弘前大), 寺迫 智昭 (愛媛大)

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 品田 高宏 (東北大)
副委員長 平野 博茂 (パナソニック・タワージャズ)
幹事 池田 浩也 (静岡大), 諸岡 哲 (東芝メモリー)
幹事補佐 森 貴洋 (産総研), 小林 伸彰 (日大)

日時 2019年 5月16日(木) 13:00 - 17:30
2019年 5月17日(金) 08:50 - 12:25
議題 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 
会場名 静岡大学 浜松キャンパス 
住所 〒432-8011 浜松市中区城北3-5-1
交通案内 JR浜松駅北口バスターミナル15番又は16番乗り場から乗車(所要時間約20分) 静岡大学バス停下車
http://gsst.shizuoka.ac.jp/others/access.html
会場世話人
連絡先
電子工学研究所 池田浩也
053-478-1317
お知らせ ◎16日研究会終了後,懇親会を予定しております.
◎参加ご希望の方は,5月8日(水)までに,現地世話人までご連絡ください.
◎現地世話人:池田浩也(i
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(SDM研究会, ED研究会, CPM研究会)についてはこちらをご覧ください.

5月16日(木) 午後 
13:00 - 17:30
(1) 13:00-13:25 Siワイヤサーモパイルの熱起電力に与えるフォノンドラッグ効果の考察 鈴木悠平ホティマトゥル ファウジア静岡大)・鎌倉良成阪工大)・渡邉孝信早大)・ファイズ サレマラヤ大)・池田浩也静岡大
(2) 13:25-13:50 Si上Ge層を用いた近赤外pin受光器の暗電流特性 橘 茉優園井柊平石川靖彦豊橋技科大
(3) 13:50-14:15 3Dフラッシュメモリの製造技術を用いた新しい積層型全加算器の研究 鈴木章矢渡辺重佳湘南工科大
(4) 14:15-14:40 大気圧CVD法による酸化スズナノワイヤーのVLS成長とガスセンシング特性 寺迫智昭倉重利規丸井秀之真鍋 豪愛媛大)・矢木正和香川高専)・森 雅美定岡芳彦愛媛大
(5) 14:40-15:05 貼り合わせSi-on-Quartz基板上にエピタキシャル成長したGe層における格子ひずみと光学物性の評価 野口恭甫豊橋技科大)・西村道治東大)・松井純爾津坂佳幸兵庫県立大)・石川靖彦豊橋技科大
  15:05-15:25 休憩 ( 20分 )
(6) 15:25-16:15 [招待講演]シリコンにおける電子―電子散乱を用いたエレクトロン・ナノ・アスピレーター 小野行徳静岡大
(7) 16:15-16:40 CuとTaを上部電極に用いたTa2O5-δ多値抵抗変化メモリの特性評価 李 遠霖福地 厚有田正志高橋庸夫北大)・森江 隆九工大
(8) 16:40-17:05 論理ゲートイジング計算機におけるビット間結合パラメータの検討 三木 司伊藤光樹櫛谷優希平田鷹介島田萌絵白樫淳一東京農工大
(9) 17:05-17:30 2次元イジング計算機におけるスピン判定論理と演算特性 島田萌絵伊藤光樹櫛谷優希平田鷹介三木 司白樫淳一東京農工大
5月17日(金)  
08:50 - 12:25
(10) 08:50-09:15 GAを用いた実験パラメータ進化手法とAu原子接合の自動形成 竹林敬太櫻井拓哉平田鷹介白樫淳一東京農工大
(11) 09:15-09:40 アクティブスクリーンプラズマによる窒化とその表面構造解析 市村 進高島成剛名古屋産業振興公社)・水流一平大久保大地松尾英明後藤峰男中日本炉工業
(12) 09:40-10:05 Sol-gel法による太陽光発電用MgZnO薄膜の研究 井上 翔静岡大)・高野 泰静岡大/IEICE/JPS/JSAP
(13) 10:05-10:30 化学溶液析出法によるZnOナノロッドの成長とPEDOT:PSS/ZnOナノロッドヘテロ接合による紫外光検出 寺迫智昭小原翔平難波 優橋国直人愛媛大)・矢木正和香川高専)・古林 寛山本哲也高知工科大
  10:30-10:45 休憩 ( 15分 )
(14) 10:45-11:10 ウェアラブル発電デバイスのためのフレキシブル材料の熱電特性評価 池田浩也カーン ファイザン大久保美沙アロクヤサミ ペリヤナヤガ クリスティ静岡大)・山川俊貴熊本大)・池田和司奈良先端大)・下村 勝村上健司早川泰弘静岡大)・ファイズ サレマラヤ大)・鈴木悠平静岡大
(15) 11:10-11:35 ナノ人工物メトリクスのための2次元ランダム構造形成プロセス最適化と電気的読出しの実験的検討 呂 任鵬清水克真殷 翔北大)・上羽陽介石川幹雄北村 満大日本印刷)・○葛西誠也北大
(16) 11:35-12:00 マイクロ波表面波プラズマCVDを用いたGrapheneの直接成長とその分析 市村 進名古屋産業振興公社)・Riteshkumar Ratneshkumar VishwakarmaZhu Rucheng梅野正義シーズテクノ
(17) 12:00-12:25 窒化物半導体集積回路プロセスの検討 ~ Siイオン注入による閾値制御の試み ~ 岡田 浩横山太一三輪清允山根啓輔若原昭浩関口寛人豊橋技科大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 東脇 正高(情報通信研究機構)
TEL : 042-327-6092 Fax : 042-327-5527
E- : m
大石 敏之(佐賀大学)
TEL : 0952-28-8642
E- :oi104cc-u 
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先  
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 諸岡 哲(東芝メモリ)
Tel 059-390-7451 Fax 059-361-2739
E-: ba 


Last modified: 2019-03-15 10:30:31


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