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集積回路研究会(ICD) [schedule] [select]
専門委員長 山村 毅 (富士通研)
副委員長 藤島 実 (広島大)
幹事 松岡 俊匡 (阪大), 渡辺 理 (東芝)
幹事補佐 菊地 克弥 (産総研), 吉田 毅 (広島大), 土谷 亮 (京大), 範 公可 (電通大)

日時 2014年 4月17日(木) 09:30 - 17:20
2014年 4月18日(金) 09:30 - 16:05
議題 メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 
会場名 機械振興会館 地下3階 研修2号室 
住所 〒105-0011 港区芝公園3-5-8
交通案内 JR:浜松町駅下車徒歩約15分,地下鉄日比谷線:神谷町駅下車徒歩約8分,地下鉄都営三田線:御成門駅下車徒歩約6分,東京タワー北側
http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html
他の共催 ◆IEEE SSCS Japan/Kansai Chapter 共催
お知らせ ◎初日研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください

4月17日(木) 午前 
座長: 崎村 昇 (NEC)
09:30 - 11:10
(1) 09:30-10:20 [チュートリアル講演]高速不揮発性RAMとフラッシュメモリで構成するハイブリッド・ストレージ 竹内 健中大
(2) 10:20-11:10 [招待講演]Unified Memory Extensionによりランダムリード性能66.3 KIOPSシーケンシャルリード性能690MB/sを達成するUniversal Flash Storageデバイスコントローラ 吉井謙一郎渡邊幸之介近藤伸宏前田賢一藤澤俊雄弘原海潤治宮下大輔香西昌平畝川康夫藤井伸介青山琢磨田村隆之国松 敦大脇幸人東芝
  11:10-11:20 休憩 ( 10分 )
4月17日(木) 午前 
座長: 三浦 典之 (神戸大学)
11:20 - 13:00
(3) 11:20-11:45 三次元TSV積層ReRAM/NANDフラッシュメモリハイブリッドSSDにおける不揮発メモリへの性能要求 宮地幸祐中大)・藤井裕大東大)・上口 光中大)・樋口和英孫 超東大)・竹内 健中大
(4) 11:45-12:10 [依頼講演]RAID-5/6構成のクラウドデータセンタ向けReRAM/TLC NANDフラッシュメモリのハイブリッドストレージ 山沢裕紀徳富 司中大)・田中丸周平寧 渉洋中大/東大)・竹内 健中大
(5) 12:10-12:35 ビッグデータ向けMLC/TLCハイブリッドストレージアレイのデータマネジメントと交換手法の提案 蜂谷尚悟上口 光中大)・宮地幸祐信州大)・竹内 健中大
(6) 12:35-13:00 SSDを用いたデータベースストレージシステムにおけるアプリケーション層とNANDフラッシュメモリ層の協調設計 宮地幸祐中大)・孫 超東大)・曽我あゆみ竹内 健中大
  13:00-14:00 昼食 ( 60分 )
4月17日(木) 午後 
座長: 竹内 健 (中央大学)
14:00 - 17:20
(7) 14:00-14:50 [チュートリアル講演]高速低消費不揮発メモリSTT-MRAMの展望 藤田 忍東芝RDC
(8) 14:50-15:15 [依頼講演]1.5ns/2.1nsのランダム読出/書込サイクル時間を達成した不揮発性混載メモリ用1Mb STT-MRAM ~ 6T2MTJセルにバックグラウンド・書き込み方式を適用 ~ 大澤 隆・○小池洋紀東北大)・三浦貞彦NEC)・木下啓蔵東北大)・本庄弘明NEC)・池田正二羽生貴弘大野英男遠藤哲郎東北大
(9) 15:15-15:40 [依頼講演]全文検索システム向け階層的パワーゲーティングを活用した低エネルギー不揮発TCAMエンジンチップ 松永翔雲東北大)・崎村 昇根橋竜介杉林直彦NEC)・夏井雅典・○望月 明遠藤哲郎大野英男羽生貴弘東北大
  15:40-15:50 休憩 ( 10分 )
(10) 15:50-17:20 [パネル討論]システムを構成するメモリ、システムに浸透するメモリ 三輪 達サンディスク)・○新居浩二ルネサス エレクトロニクス)・藤田 忍東芝)・小池洋紀東北大)・竹内 健中大
4月18日(金) 午前 
座長: 宮野 信治 (東芝)
09:30 - 10:20
(11) 09:30-09:55 0.38V動作可能なプロセスばらつき耐性を有する65nm 8Mb STT-MRAM読出しセンスアンプ 梅木洋平柳田晃司吉本秀輔和泉慎太郎吉本雅彦川口 博神戸大)・角田浩司杉井寿博超低電圧デバイス技術研究組合
(12) 09:55-10:20 [依頼講演]Adaptive Body Bias技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの0.37V超低電圧動作 山本芳樹槇山秀樹山下朋弘尾田秀一蒲原史朗杉井信之山口泰男超低電圧デバイス技術研究組合)・水谷朋子平本俊郎東大
  10:20-10:30 休憩 ( 10分 )
4月18日(金) 午前 
座長: 宮地 幸祐 (信州大学)
10:30 - 11:45
(13) 10:30-11:20 [招待講演]7nsのアクセスタイム、27fA/bの待機時電流、25μW/MHzの動作時電力を達成した低電力MCU向け65nm 128kb SRAMの開発 福田寿一小原弘治堂坂利彰武山泰久緑川 剛東芝)・橋本健二脇山一郎TOSMEC)・宮野信治北城岳彦東芝
(14) 11:20-11:45 [依頼講演]27%動作電力削減と85%リーク削減を実現する2電源SRAM用ビット線電力計算回路およびデジタル制御リテンション回路 櫛田桂一橘 文彦平林 修武山泰久川澄 篤鈴木 東仁木祐介静野観椰子佐々木慎一矢部友章畝川康夫東芝
  11:45-13:00 昼食 ( 75分 )
4月18日(金) 午後 
座長: 松岡 俊匡 (大阪大学)
13:00 - 14:40
(15) 13:00-13:50 [招待講演]28nmテクノロジを用いた400MHz 4-Parallel 1.6Gsearch/s 80Mb Ternary CAMの設計 新居浩二天野照彦渡邊直也ルネサス エレクトロニクス)・山脇 実吉永賢司和田実邦子ルネサス システムデザイン)・林 勇ルネサス エレクトロニクス
(16) 13:50-14:40 [招待講演]10nm技術世代マルチゲートFinFETデバイス・回路技術 昌原明植遠藤和彦大内真一松川 貴柳 永勛右田真司水林 亘森田行則太田裕之産総研
  14:40-14:50 休憩 ( 10分 )
4月18日(金) 午後 
座長: 梶谷 一彦 (マイクロン)
14:50 - 16:05
(17) 14:50-15:15 [依頼講演]ISSCCにおけるメモリ論文動向 ~ 過去10年のトレンド解析と予想 ~ 川澄 篤東芝
(18) 15:15-15:40 [依頼講演]MTJベース不揮発フリップフロップを用いた3μsec-Entry/Exit遅延時間のマイクロプロセッサ 小池洋紀東北大)・崎村 昇根橋竜介辻 幸秀森岡あゆ香三浦貞彦本庄弘明杉林直彦NEC)・大澤 隆池田正二羽生貴弘大野英男遠藤哲郎東北大
(19) 15:40-16:05 超高速なデータ検索を実現するデータベースプロセッサー(DBP) ~ メモリ型コンピューティングで情報処理を大きく進化革新 ~ 井上克己エイ・オー・テクノロジーズ)・範 公可電通大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 40 分 + 質疑応答 10 分
チュートリアル講演発表 40 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
ICD 集積回路研究会(ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 松岡 俊匡 (大阪大学)
TEL 06-6879-7792,FAX 06-6879-7792
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Last modified: 2014-03-29 19:28:01


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