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集積回路研究会(ICD) [schedule] [select]
専門委員長 藤島 実 (広島大)
副委員長 日高 秀人 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事 吉田 毅 (広島大)
幹事補佐 高宮 真 (東大), 岩崎 裕江 (NTT), 橋本 隆 (パナソニック), 伊藤 浩之 (東工大), 範 公可 (電通大)

日時 2016年 4月14日(木) 10:10 - 17:05
2016年 4月15日(金) 09:30 - 11:45
議題 メモリ技術と一般 
会場名 機械振興会館 地下3階 研修2号室 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html
お知らせ ◎研究会1日目終了後,懇親会を予定していますので御参加ください。
日時:4月14日 17:30~19:30
場所:機械振興会館 ニュー・トーキョー

4月14日(木) 午前 
座長: 新居 浩二(ルネサスエレクトロニクス)
10:10 - 11:50
(1) 10:10-10:35 [依頼講演]低消費電力MCU向け40-nm 4-Mb組込みSRAMを用いた効率的なスクリーニング手法 良田雄太ルネサス システムデザイン)・横山佳巧石井雄一郎ルネサス エレクトロニクス)・稲田敏浩田中浩司田中美紀辻橋良樹ルネサス システムデザイン)・新居浩二ルネサス エレクトロニクス
(2) 10:35-11:00 [依頼講演]容量結合データ書込技術を用いた7T-SRAM 高島大三郎遠藤真人東芝)・島崎一浩齋 学東芝マイクロエレクトロニクス)・谷野雅章東芝情報システム
(3) 11:00-11:25 [依頼講演]298-fJ/writecycle 650-fJ/readcycleを実現する画像処理プロセッサ向け28-nm FD-SOI 8T 3ポートSRAM 森 陽紀中川知己北原佑起河本優太高木健太吉本秀輔和泉慎太郎神戸大)・新居浩二ルネサス エレクトロニクス)・川口 博吉本雅彦神戸大
(4) 11:25-11:50 A 64kb 16nm Asynchronous Disturb Current Free 2-Port SRAM with PMOS Pass-Gates for FinFET Technologies Hidehiro FujiwaraLi-Wen WangYen-Huei ChenKoo-Cheng LinDar SunShin-Rung WuJhon-Jhy LiawChin-Yung LinMu-Chi ChiangHung-Jen LiaoShien-Yang WuJonathan ChangTSMC
  11:50-13:00 昼食 ( 70分 )
4月14日(木) 午後 
座長: 三浦 典之(神戸大学)
13:00 - 14:40
(5) 13:00-13:25 [依頼講演]ReRAMの抵抗スイッチ動作におけるフィラメント形成・消滅の透過電子顕微鏡内その場観察 高橋庸夫北大)・工藤昌輝九大)・有田正志北大
(6) 13:25-13:50 [依頼講演]IoT向け端末に組み込まれるコンパレータ回路のバイアス電流を最適化した0.6V動作ReRAM書き込み電圧生成回路 田中誠大石井智也蜂谷尚悟寧 渉洋竹内 健中大
(7) 13:50-14:15 [依頼講演]Reliability Projecting for ReRAM based on Stochastic Differential Equation Zhiqiang WeiPSCS)・Koji EriguchiKyoto Univ.)・Shunsaku MuraokaKoji KatayamaRyotaro YasuharaKawai KenYukio HayakawaKazuhiko ShimakawaTakumi MikawaYoneda ShinichiPSCS
(8) 14:15-14:40 [依頼講演]ReRAM reliability characterization and improvement by machine learning Tomoko Ogura IwasakiSheyang NingHiroki YamazawaChao SunShuhei TanakamaruKen TakeuchiChuo Univ.
  14:40-14:50 休憩 ( 10分 )
4月14日(木) 午後 
座長: 川口 博(神戸大学)
14:50 - 17:05
(9) 14:50-15:15 [依頼講演]A Triple-Protection Structured COB FRAM with 1.2-V Operation and 1E17-Cycle Endurance 齋藤 仁中村 亘小澤聡一郎佐次田直也三原 智彦坂幸信王 文生堀 智之高井一章中澤光晴小杉 騰濱田 誠川嶋将一郎恵下 隆松宮正人FSL
(10) 15:15-15:40 [依頼講演]適応型リファレンス電圧生成回路を用いた1T1MTJ STT-MRAMセルアレイ設計 小池洋紀三浦貞彦本庄弘明渡辺俊成佐藤英夫佐藤創志那須野 孝野口靖夫安平光雄谷川高穂丹羽正昭伊藤顕知池田正二大野英男遠藤哲郎東北大
  15:40-15:50 休憩 ( 10分 )
(11) 15:50-16:15 [依頼講演]Power reduction based on MRAM Hiroaki YodaShinobu Fujitatoshiba
(12) 16:15-17:05 [招待講演]混載STT-MRAMテクノロジのトレンドと近未来のアプリケーション 藤田 忍東芝
4月15日(金) 午前 
座長: 新居 浩二(ルネサスエレクトロニクス)
09:30 - 11:45
(13) 09:30-09:55 [依頼講演]ガベージコレクション最適化によるLBA scramblerを使用したしたSSDの高速化 松井千尋荒川飛鳥孫 超Tomoko Ogura Iwasaki竹内 健中大
(14) 09:55-10:20 [依頼講演]データアクセスパターンを考慮したSCM/NANDハイブリッドSSDシステムの設計 山田知明岡本 峻孫 超蜂谷尚悟トモコ オグラ イワサキ竹内 健中大
(15) 10:20-10:45 [依頼講演]長期保存向け半導体データストレージの高信頼手法 高橋知紀山﨑泉樹田中丸周平Tomoko Ogura Iwasaki蜂谷尚悟竹内 健中大
  10:45-10:55 休憩 ( 10分 )
(16) 10:55-11:45 [招待講演]車載向け高温Tj=175℃書換え1億回以上、エネルギー0.07mJ/8kBの90nm 1T-MONOS eFlashの開発 中西 悟三谷秀徳松原 謙吉田 浩河野隆司帯刀恭彦伊藤 孝倉藤 崇野口健二日高秀人山内忠明ルネサス エレクトロニクス

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
依頼講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 45 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ICD 集積回路研究会(ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 ICD幹事補佐:高宮 真(東京大学)
miisu- 


Last modified: 2016-04-01 10:04:12


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