お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2020年10月開催~)
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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 橋詰 保 (北大)
副委員長 加地 徹 (豊田中研)
幹事 原 直紀 (富士通研), 津田 邦男 (東芝)
幹事補佐 須原 理彦 (首都大東京), 上田 哲三 (パナソニック)

日時 2010年 6月17日(木) 13:00 - 17:05
2010年 6月18日(金) 10:00 - 12:40
議題 半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般 
会場名 北陸先端科学技術大学院大学 
住所 〒923-1292 石川県能美市旭台1丁目1番地
交通案内 JR金沢駅-約5分(180円)→JR西金沢駅-(乗換え)-北陸鉄道石川線新西金沢駅-約25分(440円) →北陸鉄道石川線鶴来(つるぎ)駅-シャトルバス約11分(無料)→大学
http://www.jaist.ac.jp/general_info/access/index.html
会場世話人
連絡先
ナノマテリアルテクノロジーセンター 鈴木 寿一
0761-51-1441
他の共催 ◆北陸先端科学技術大学院大学
お知らせ ◎研究会会場詳細
6月17日:知識科学研究科講義棟2F 中講義室
6月18日:知識科学研究科講義棟2F K3・4講義室
http://www.jaist.ac.jp/general_info/campusmap.html (14番の建物)
http://www.jaist.ac.jp/~gakusei/kyoumu/rishu-annai/risyu-annai21/room.pdf (一番下の図)
6月17日 研究会終了後,懇親会を予定しておりますので是非ご参加ください.
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

6月17日(木) 午後 
13:00 - 17:05
(1) 13:00-13:25 InSb単分子層を介したV溝加工したSi(001)基板上へのInSb薄膜の成長 ED2010-33 岩杉達矢カマセ サラ角田 梓中谷公彦森 雅之前澤宏一富山大
(2) 13:25-13:50 フレキシブル基板上InAs超薄膜の作製と評価 ED2010-34 滝田隼人橋本紀彦工藤昌宏赤堀誠志鈴木寿一北陸先端大
(3) 13:50-14:15 電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用 ED2010-35 佐藤威友吉澤直樹岡崎拓行橋詰 保北大
  14:15-14:25 休憩 ( 10分 )
(4) 14:25-14:50 AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタにおける自己発熱による電子速度低下率の解析 ED2010-36 鈴木寿一田中成明北陸先端大
(5) 14:50-15:15 リセスゲートAlGaN/GaNヘテロ接合FETの電気的特性評価 ED2010-37 向野美郷山田直樹徳田博邦葛原正明福井大
(6) 15:15-15:40 高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製 ED2010-38 山下良美渡邊一世遠藤 聡広瀬信光松井敏明NICT)・三村高志NICT/富士通研
  15:40-15:50 休憩 ( 10分 )
(7) 15:50-16:15 AlGaN/GaN HFETの表面バリア高さに対するデバイスプロセス中表面酸化の影響 ED2010-39 東脇正高NICT/JST/カリフォルニア大)・Srabanti ChowdhuryBrian L. SwensonUmesh K. Mishraカリフォルニア大
(8) 16:15-16:40 AlGaN/GaN MIS構造におけるC-V特性の解釈 ED2010-40 水江千帆子北大)・橋詰 保北大/JST
(9) 16:40-17:05 トップゲートカーボンナノチューブFETにおけるゲート絶縁膜界面電荷の影響 ED2010-41 大野雄高森山直希北村隆光鈴木耕佑岸本 茂水谷 孝名大
6月18日(金) 午前 
10:00 - 12:40
(10) 10:00-10:25 InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析 ED2010-42 本間嵩広渡邉久巨原 紳介藤代博記東京理科大
(11) 10:25-10:50 微分負性抵抗領域にバイアスされた共鳴トンネルダイオードの緩和振動抑制条件の理論解析 ED2010-43 板垣陽介浅川澄人新屋秀秋斉藤光史須原理彦首都大東京
(12) 10:50-11:15 低純度シリコンを用いた太陽電池の高効率化 ED2010-44 廣瀬文彦佐野裕紀都築 暁鈴木貴彦山形大
  11:15-11:25 休憩 ( 10分 )
(13) 11:25-11:50 欠陥消滅型半導体洗浄液によるシリコン材料表面の汚染銅除去 ED2010-45 高橋昌男東 裕子成田比呂晃岩佐仁雄小林 光阪大/JST
(14) 11:50-12:15 ウェトプロセスによるメタルゲートの光コロージョン ED2010-46 渡辺大祐ダイキン工業)・木村千春青木秀充阪大
(15) 12:15-12:40 メチルBCN膜の低温ドライエッチング評価 ED2010-47 青木秀充原 誠増住拓朗呂 志明九鬼知博木村千春杉野 隆阪大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 E-aecl
原 直紀 (富士通研究所)
TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168
E- : o
津田 邦男(東芝)
TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501
E- : oba
須原 理彦(首都大)
TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756
E- : t
上田 哲三(パナソニック)
TEL : 075-956-8273 Fax : 075-956-9110
E- : zopac 


Last modified: 2010-04-19 13:20:00


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