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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 渡辺 重佳 (湘南工科大)
副委員長 杉井 寿博 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事 川中 繁 (東芝), 安斎 久浩 (ソニー)
幹事補佐 大見 俊一郎 (東工大)

日時 2008年 6月 9日(月) 13:30 - 17:40
2008年 6月10日(火) 09:30 - 15:00
議題 ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、第101回研究集会「ゲートスタック構造の新展開:高移動度チャネル技術を中心に)」との合同開催) 
会場名 東京大学 駒場リサーチキャンパス生産技術研究所 An棟中セミナー室 (An401・402) 
住所 〒153-8505 東京都目黒区駒場4-6-1
交通案内 小田急線/東京メトロ千代田線 東北沢駅より徒歩7分、代々木上原駅より12分.キャンパスMAP: http://www.iis.u-tokyo.ac.jp/access/campusmap.html
http://www.iis.u-tokyo.ac.jp/access/access.html
会場世話人
連絡先
宮崎誠一(広島大)、藤岡 洋(東京大)
03-5452-6342(藤岡研究室)
他の共催 ◆応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 共催
お知らせ ◎初日の研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください.

6月9日(月) 午後  ゲートスタック構造の新展開-チュートリアル講演
13:30 - 15:40
(1) 13:30-14:30 [チュートリアル講演]Current Status and Prospects of High Mobility Channel Technologies for High performance CMOS Shinichi TakagiUniv. of Tokyo/MIRAI-AIST
  14:30-14:40 休憩 ( 10分 )
(2) 14:40-15:40 [チュートリアル講演]化合物半導体電子デバイス開発の軌跡 大野泰夫徳島大
  15:40-15:50 休憩 ( 10分 )
6月9日(月) 午後  ゲートスタック構造の新展開 (I)
15:50 - 17:40
(3) 15:50-16:15 Si反転層中のホールサブバンド分散 武田さくら森田 誠大杉拓也谷川洋平大門 寛奈良先端大
(4) 16:15-16:40 MOS反転層モビリティの高精度評価 鳥海 明喜多浩之東大
  16:40-16:50 休憩 ( 10分 )
(5) 16:50-17:15 シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性 齋藤真澄小林茂樹内田 建東芝
(6) 17:15-17:40 極薄膜SOIトランジスタにおける量子効果による移動度向上 平本俊郎清水 健筒井 元東大
  18:00-19:30 懇親会 ( 90分 )
6月10日(火) 午前  ゲートスタック構造の新展開 (II)
09:30 - 10:20
(7) 09:30-09:55 歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント 清家 綾丹下智之佐野一拓杉浦裕樹土田育新太田洋道渡邉孝信早大)・小瀬村大亮小椋厚志明大)・大泊 巌早大
(8) 09:55-10:20 III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術 安田哲二宮田典幸産総研)・大竹晃浩物質・材料研究機構
  10:20-10:30 休憩 ( 10分 )
6月10日(火) 午前  メタルゲート/High-k絶縁膜スタック
10:30 - 11:45
(9) 10:30-10:55 Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 ~ Ruの実効仕事関数変化の起源 ~ 森 大樹大田晃生吉永博路宮崎誠一広島大)・門島 勝奈良安雄半導体先端テクノロジーズ
(10) 10:55-11:20 High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO2界面の役割 岩本邦彦上牟田雄一半導体MIRAI-ASET)・布重 裕芝浦工大/半導体MIRAI-産総研ASRC)・平野晃人小川有人渡邉幸宗半導体MIRAI-ASET)・右田慎二水林 亘森田行則半導体MIRAI-産総研ASRC)・高橋正志半導体MIRAI-ASET)・太田裕之半導体MIRAI-産総研ASRC)・生田目俊秀半導体MIRAI-ASET)・鳥海 明半導体MIRAI-産総研ASRC/東大
(11) 11:20-11:45 TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 ~ Al拡散による実効仕事関数変化の緩和 ~ 大田晃生森 大樹吉永博路宮崎誠一広島大)・門島 勝奈良安雄半導体先端テクノロジーズ
  11:45-12:45 昼食 ( 60分 )
6月10日(火) 午後  ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術
12:45 - 15:00
(12) 12:45-13:10 Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定 山本喜久富樫秀晃今野篤史松本光正加藤 篤齋藤英司末光眞希東北大)・寺岡有殿吉越章隆原子力機構
(13) 13:10-13:35 MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価 近藤博基櫻井晋也名大)・酒井 朗阪大)・小川正毅財満鎭明名大
  13:35-13:45 休憩 ( 10分 )
(14) 13:45-14:10 MONOS型メモリの電荷蓄積機構の理論的研究 白石賢二小林賢司筑波大)・石田 猛奥山 裕山田廉一日立
(15) 14:10-14:35 Characterization of Metal Nanodots Nonvolatile Memory Yanli PeiMasahiko NishijimaTakafumi FukushimaTetsu TanakaMitsumasa KoyanagiTohoku Univ.
(16) 14:35-15:00 High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ 小原孝介浦岡行治冬木 隆山下一郎奈良先端大)・八重樫利武茂庭昌弘吉丸正樹半導体理工学研究センター

講演時間
チュートリアル講演発表 50 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 川中繁 (東芝)
TEL 045-776-5670, FAX 045-776-4104
E- geba 


Last modified: 2008-04-17 10:45:33


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