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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 原 直紀 (富士通研)
副委員長 前澤 宏一 (富山大)
幹事 上田 哲三 (パナソニック), 葛西 誠也 (北大)
幹事補佐 松永 高治 (NEC), 鈴木 寿一 (北陸先端大)

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 奈良 安雄
副委員長 大野 裕三 (筑波大)
幹事 笹子 佳孝 (日立)
幹事補佐 黒田 理人 (東北大)

日時 2014年 2月27日(木) 13:30 - 18:15
2014年 2月28日(金) 09:00 - 12:30
議題 機能ナノデバイスおよび関連技術 
会場名 北海道大学 百年記念会館 
住所 〒060-0809 北海道札幌市北区北9条西6丁目 北海道大学構内
交通案内 JR「札幌駅」下車、徒歩10分
http://www.hokudai.ac.jp/introduction/campus/100th/
会場世話人
連絡先
情報科学研究科 葛西誠也
011-706-6509
他の共催 ◆応用物理学会共催
お知らせ ◎初日研究会終了後、懇親会を予定していますのでご参加ください。

2月27日(木) 午後 
13:30 - 18:15
(1) 13:30-14:15 [招待講演]粘菌アメーバから着想を得た計算パラダイムとナノフォトニクス・電子デバイス実現 青野真士東工大/JST)・成瀬 誠NICT)・金 成主物質・材料研究機構)・巳波弘佳関西学院大
(2) 14:15-14:40 カーボンナノチューブTFTの試作と評価 田中 朋佐野栄一北大
(3) 14:40-15:05 プラスチック基板上におけるn型カーボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製と評価 安西智洋岸本 茂大野雄高名大
(4) 15:05-15:30 高速なフレキソ印刷技術を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製 樋口健太郎名大)・中嶋勇太外村卓也武居正史バンドー化学)・岸本 茂名大)・畑 克彦バンドー化学)・大野雄高名大
  15:30-15:45 休憩 ( 15分 )
(5) 15:45-16:10 直接ギャップ半導体ヘテロ接合によるトポロジカル絶縁体の実現 鈴木恭一小野満恒二原田裕一村木康二NTT
(6) 16:10-16:35 極薄SOI膜のゼーベック係数制御とナノ構造熱電特性測定技術の構築 池田浩也鈴木悠平三輪一聡静岡大)・ファイズ サレ静岡大/学振
(7) 16:35-17:00 Synthesis of various F- doped tin oxide nanostructures on the glass substrate by the atomized spray pyrolysis deposition for DSSC application Gamini RajapakseUniv. of Peradeniya)・Devinda LiyanageShizuoka Univ.)・Viraj JayaweeraSPD Lab. Inc.)・Vikum Premalal・○Madhu MohanShizuoka Univ.)・Navaratne BandaraUniv. Peradeniya)・Masaru ShimomuraKenji MurakamiShizuoka Univ.
(8) 17:00-17:25 Suppressing the Recombination Rate on DSSC by Forming Blocking Layer Rangga WinantyoMadhu MohanShizuoka Univ.)・Gamini RajapakseUniv. of Peradeniya)・Kenji MurakamiShizuoka Univ.
(9) 17:25-17:50 非対称ゲート制御GaAsナノワイヤによる電子ブラウンラチェットデバイスの特性評価 阿部遊子田中貴之葛西誠也北大
(10) 17:50-18:15 InAsナノワイヤ/CMOS異種技術融合集積回路の試作 道又賢司島本一成和保孝夫荻野雄大下村和彦上智大
2月28日(金) 午前 
09:00 - 12:30
(11) 09:00-09:25 MOVPE法によるGaN/AlN共鳴トンネルダイオード構造の作製 ~ 窒化物量子井戸構造の解析 ~ 伊藤成顕ソダーバンル ハッサネット杉山正和中野義昭東大
(12) 09:25-09:50 共鳴トンネル発振器のセンサー応用 前澤宏一潘 杰角谷祐一郎中野 純森 雅之富山大
(13) 09:50-10:15 簡易転写プロセスによるカーボンナノチューブ薄膜パターン形成とタッチセンサ応用 深谷徳宏名大)・金 東榮早大)・岸本 茂名大)・野田 優早大)・大野雄高名大
(14) 10:15-10:40 カリウムイオンSiO2エレクトレット膜の帯電特性 橋口 原杉山達彦芝田 泰静岡大
  10:40-10:50 休憩 ( 10分 )
(15) 10:50-11:15 リアルタイムOSによる時間確定型エレクトロマイグレーション制御システム 安藤昌澄金丸祐真齋藤孝成白樫淳一東京農工大
(16) 11:15-11:40 FPGAを用いた超高速フィードバック制御型エレクトロマイグレーション 金丸祐真安藤昌澄齋藤孝成白樫淳一東京農工大
(17) 11:40-12:05 Cu/MoOx抵抗変化メモリのスイッチ動作における導電フィラメントの直接観察 大野裕輝廣井孝弘工藤昌輝浜田弘一有田正志高橋庸夫北大
(18) 12:05-12:30 ナノギャップでの原子のマイグレーション現象により作製したNi系ナノスケールデバイス 須田隆太郎伊藤光樹森原康平豊中貴大滝川主喜白樫淳一東京農工大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 40 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 上田 哲三(パナソニック)
TEL:06-6906-4940 Fax :06-6906-2426
E-zopac
葛西 誠也(北海道大)
TEL : 011-706-6509 Fax : 011-716-6004
E- : irciqei 
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 小野 行徳(NTT)
Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317
E-: o 


Last modified: 2013-12-14 11:29:07


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