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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 遠藤 哲郎 (東北大)
副委員長 奈良 安雄 (富士通セミコンダクター)
幹事 小野 行徳 (NTT), 野村 晋太郎 (筑波大)
幹事補佐 笹子 佳孝 (日立)

日時 2012年 3月 5日(月) 10:00 - 16:30
議題 配線・実装技術と関連材料技術 
会場名 機会振興会館 
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.
(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

3月5日(月) 午後 
10:00 - 16:30
  10:00-10:05 開会の挨拶 ( 5分 )
(1) 10:05-10:50 [基調講演]BEOLプロセスを用いた超低電圧デバイスの開発 SDM2011-176 木村紳一郎超低電圧デバイス技研組合
(2) 10:50-11:20 Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス SDM2011-177 久米一平井上尚也肱岡健一郎川原 潤武田晃一古武直也白井浩樹風間賢也桑原愼一渡會雅敏佐甲 隆高橋寿史小倉 卓泰地稔二笠間佳子ルネサス エレクトロニクス
(3) 11:20-11:50 InGaZnOチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化 SDM2011-178 金子貴昭井上尚也齋藤 忍古武直也砂村 潤川原 潤羽根正巳林 喜宏ルネサス エレクトロニクス
  11:50-13:00 昼食,休憩 ( 70分 )
(4) 13:00-13:30 ラマン分光法およびXPSによるSiO2/Si基板上での多層グラフェン成長初期の研究 SDM2011-179 尾白佳大小川修一東北大)・犬飼 学高輝度光科学研究センター)・佐藤元伸産総研)・池永英司室 隆桂之高輝度光科学研究センター)・二瓶瑞久産総研)・高桑雄二東北大)・横山直樹産総研
(5) 13:30-14:00 ALD/CVDによる次世代Cu配線用単層バリヤ/ライナーCo(W)膜 SDM2011-180 清水秀治大陽日酸/東大)・嶋 紘平百瀬 健東大)・小林芳彦大陽日酸)・霜垣幸浩東大
(6) 14:00-14:30 微小流路型反応器を利用した銅めっき液中添加剤作用の解析 SDM2011-181 齊藤丈靖宮本 豊服部 直岡本尚樹近藤和夫阪府大
  14:30-14:55 休憩 ( 25分 )
(7) 14:55-15:25 3次元実装TSVへのコンフォーマル無電解バリアメタルの形成 SDM2011-182 有馬良平三宅浩志井上史大清水智弘新宮原正三関西大
(8) 15:25-15:55 Si貫通ビア(TSV)の側壁ラフネスに起因したリーク電流特性とビア応力の関係 SDM2011-183 北田秀樹東大/富士通研)・前田展秀藤本興冶児玉祥一金 永束東大)・水島賢子東大/富士通研)・中村友二富士通研)・大場隆之東大
(9) 15:55-16:25 Wafer-on-wafer構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価 SDM2011-184 中塚 理名大)・北田秀樹金 永束東大)・水島賢子中村友二富士通研)・大場隆之東大)・財満鎭明名大
  16:25-16:30 閉会の挨拶 ( 5分 )

講演時間
一般講演発表 25 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 小野 行徳(NTT)
Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317
E-: o 


Last modified: 2012-02-14 15:50:45


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