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レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) [schedule] [select]
専門委員長 松尾 慎治 (NTT)
副委員長 近藤 正彦 (阪大)
幹事 田中 有 (富士通研), 有賀 博 (三菱電機)

日時 2013年12月13日(金) 09:30 - 17:05
議題 半導体レーザ関連技術,及び一般 
会場名 機械振興会館 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 JR浜松町駅から徒歩15分または東京メトロ日比谷線神谷町駅から徒歩8分
http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html
お知らせ ◎今回の研究会では,H24年度LQE奨励賞の表彰式および受賞記念講演が行われます.

12月13日(金) 午前 
09:30 - 17:05
  09:30-09:35 副委員長挨拶 ( 5分 )
(1) 09:35-10:00 Design of Capsule-Shaped Cavity for Nanometallic Semiconductor Lasers Baifu ZhangTakuya OkimotoTakuo TanemuraYoshiaki NakanoUniv. of Tokyo
(2) 10:00-10:25 液体ガラスを用いた量子井戸混晶化とその面発光レーザ応用に関する研究 阿久津友宏牛尾拓也菊池麻子松谷晃宏宮本智之東工大
(3) 10:25-10:50 マイクロマシンを用いたアサーマル面発光レーザの波長掃引特性 中濱正統佐野勇人坂口孝浩松谷晃宏小山二三夫東工大
(4) 10:50-11:15 オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの消費電力検討 平谷拓生土居恭平厚地祐輝雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大
(5) 11:15-11:40 InP/Siハイブリッド光デバイスにおける複数機能一括貼り付け形成のための構造検討 鈴木純一福田渓太林 侑介姜 晙炫渥美裕樹西山伸彦荒井滋久東工大
  11:40-13:00 昼食 ( 80分 )
  13:00-13:10 LQE奨励賞表彰式 ( 10分 )
(6) 13:10-13:35 [奨励講演]オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの低しきい値動作への進展 進藤隆彦二見充輝土居恭平平谷拓生雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大
(7) 13:35-14:00 [奨励講演]不等間隔アレイ型チューナブルLDを用いた背面波長モニタ 望月敬太有賀 博三菱電機
(8) 14:00-14:25 歪補償多重積層InAs量子ドットを用いた1.55um帯半導体光増幅器 赤羽浩一山本直克梅沢俊匡菅野敦史呂 國偉川西哲也NICT
(9) 14:25-14:50 全光論理ゲート素子に向けたInP(311)B基板を用いた1550 nm帯20層積層QD-SOAの特性評価 松本 敦松下明日香武井勇樹早大)・赤羽浩一NICT)・松島裕一宇高勝之早大
  14:50-15:00 休憩 ( 10分 )
(10) 15:00-17:00 パネルディスカッション
題目:データセンターにおける光インターコネクションの将来
~ポストVCSELはVCSELかシリコンフォトニクスか~
  17:00-17:05 委員長挨拶 ( 5分 )

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
LQE レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)   [今後の予定はこちら]
問合先 田中 有(富士通研究所)
TEL 046-250-8251, FAX 046-250-8146
E-: _

有賀 博 (三菱電機)
TEL 0467-41-2906,FAX 0467-41-2519
E-: AHiabMibiElectc 
お知らせ ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。


Last modified: 2013-10-17 18:13:06


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