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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 浅野 種正
副委員長 杉井 寿博
幹事 大野 守史, 川中 繁
幹事補佐 松井 裕一

集積回路研究会(ICD) [schedule] [select]
専門委員長 中屋 雅夫
副委員長 松澤 昭
幹事 甲斐 康司, 相本 代志治
幹事補佐 永田 真, 藤島 実

日時 2006年 8月17日(木) 09:05 - 17:50
2006年 8月18日(金) 09:00 - 17:30
議題 VLSI回路、デバイス技術(高速、低電圧、低消費電力) <オーガナイザ:平本 俊郎(東京大学)> 
会場名 北海道大学 百年記念会館 
住所 〒060-0808 札幌市北区北8条西5丁目
交通案内 JR札幌駅から徒歩10-20分または北12条駅、北18条駅より徒歩5-15分
http://www.hokudai.ac.jp/footer/ft_access.html (大学までの地図), http://www.hokudai.ac.jp/bureau/gaiyou/2005/p37.htm (大学構内の地図)
他の共催 ◆IEEE SSCS Japan Chapter共催
お知らせ ◎8月17日研究会終了後、懇親会を予定していますので御参加ください.

8月17日(木) 午前 
09:05 - 10:45
(1) 09:05-09:30 マトリックス型超並列SIMDプロセッサ向けデータ変換バスブリッジの開発 谷崎哲志行天隆幸野田英行中島雅美水本勝也堂阪勝己ルネサステクノロジ
(2) 09:30-09:55 0.79mm2 29mw リアルタイム顔位置検出 IP コア 堀 友一黒田忠広慶大
(3) 09:55-10:20 低消費電力向け電源電圧調整手法とマルチVth CMOSを使用したSOCへの応用 岡野 廣塩田哲義川辺幸仁富士通研)・柴本 亘富士通)・橋本鉄太郎井上淳樹富士通研
(4) 10:20-10:45 1 out of 4符号を用いた低消費電力非同期式回路設計 藤井智弘今井 雅中村 宏南谷 崇東大
  10:45-10:55 休憩 ( 10分 )
8月17日(木) 午前 
10:55 - 12:35
(5) 10:55-11:20 ランプ波形分割方式を用いたオンチップサンプリングオシロスコープ 稲垣賢一東大)・ダナルドノ ドゥイ アントノソニー)・高宮 真東大)・熊代成孝NECエレクトロニクス)・桜井貴康東大
(6) 11:20-11:45 広範囲な活性化エネルギーに適応可能なCMOS品質劣化モニタセンサLSI 上野憲一廣瀬哲也浅井哲也雨宮好仁北大
(7) 11:45-12:10 サブスレッショルドMOSFETを用いた温度検出スイッチ回路 萩原淳史廣瀬哲也浅井哲也雨宮好仁北大
(8) 12:10-12:35 MOS容量による電圧増幅を用いた超低消費電力・低雑音増幅器 村上智敏佐々木 守岩田 穆広島大
  12:35-13:30 昼食 ( 55分 )
8月17日(木) 午後 
13:30 - 15:35
(9) 13:30-14:20 [特別招待講演]SOI技術による7.5μm厚、0.15mm角RFIDチップの開発 宇佐美光雄日立
(10) 14:20-14:45 RF-ID向けDickson Charge Pump整流回路における接合容量効果 坂井靖文小谷光司伊藤隆司東北大
(11) 14:45-15:10 Double Thresholding Schemeを用いた1V 299uW Flashing UWBトランシーバ 高宮 真アーティット タムタカーン東大)・石黒仁揮慶大)・石田光一東工大)・桜井貴康東大
(12) 15:10-15:35 誘導結合型チップ間無線通信における低消費電力デイジーチェーン送信器 井上眞梨三浦典之・○新津葵一慶大)・中川源洋田子雅基深石宗生NEC)・桜井貴康東大)・黒田忠広慶大
  15:35-15:45 休憩 ( 10分 )
8月17日(木) 午後 
15:45 - 17:50
(13) 15:45-16:10 スパイラルインダクタ対の電磁結合による非接触シリアル伝送システム 閻 彬佐々木 守岩田 穆広島大
(14) 16:10-16:35 25%のロッキングレンジを持つ20GHzインジェクションロックLC分周器 柴崎崇之慶大)・田村泰孝神田浩一山口久勝小川淳二富士通研)・黒田忠広慶大
(15) 16:35-17:00 定在波を用いた17GHzクロック分配法の研究 森 敦佐々木 守汐崎 充岩田 穆広島大)・池田博明エルピーダメモリ
(16) 17:00-17:25 低消費電力・高速90nm-CMOSクロックドライバ 萩原洋介永山 卓小林伸彰榎本忠儀中大
(17) 17:25-17:50 完全平滑3相動作SCループフィルタを用いた広帯域入力レンジを持つデジタル制御アダプティブPLLの開発 道正志郎柳沢直志曽川和昭山田祐嗣森江隆史松下電器
8月18日(金) 午前 
09:00 - 10:40
(18) 09:00-09:25 CMOSFETのチャネル幅方向の信頼性を分離して評価するためのテスト構造 大曽根隆志石井英二森下賢幸小椋清孝岡山県立大)・松田敏弘岩田栄之富山県立大
(19) 09:25-09:50 (110)面<100>方向pMOSFETにおける移動度崩壊の実証 清水 健更屋拓哉平本俊郎東大
(20) 09:50-10:15 薄膜BOX 完全空乏型SOI MOSFET におけるばらつきの影響 大藤 徹東大)・杉井信之日立)・平本俊郎東大
(21) 10:15-10:40 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果 岡山康則齋藤友博大石 周中嶋一明松尾浩司谷口修一小野高稔中山和宏渡辺竜太英保亜弓菰田泰生木村泰己濱口雅史竹川陽一青山知憲東芝
  10:40-10:50 休憩 ( 10分 )
8月18日(金) 午前 
10:50 - 12:55
(22) 10:50-11:40 [特別招待講演]バルクCMOS 向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発 山口晋平田井香織平野智之安藤崇志檜山 進Junli Wang萩本賢哉長濱嘉彦加藤孝義長野 香山中真由美寺内早苗神田さおり山本 亮館下八州志ソニー
(23) 11:40-12:05 hp32 nm ノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk FinFETで構成されたSRAM技術について 川崎博久東芝アメリカ電子部品)・○稲葉 聡岡野王俊金子明生東芝)・八木下淳史東芝アメリカ電子部品)・泉田貴士金村貴永佐々木貴彦大塚伸朗青木伸俊須黒恭一江口和弘綱島祥隆東芝)・石丸一成東芝アメリカ電子部品)・石内秀美東芝
(24) 12:05-12:30 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発 今岡 進ルネサスデザイン)・新居浩二ルネサステクノロジ)・増田康浩ルネサスデザイン)・薮内 誠塚本康正大林茂樹五十嵐元繁冨田和朗坪井信生牧野博之石橋孝一郎篠原尋史ルネサステクノロジ
(25) 12:30-12:55 リード/ライト同時ディスターブ・アクセスに対して安定なSRAMセル設計手法 鈴木利一松下電器)・山内寛行福岡工大)・山上由展里見勝治赤松寛範松下電器
  12:55-13:45 昼食 ( 50分 )
8月18日(金) 午後 
13:45 - 15:50
(26) 13:45-14:35 [特別招待講演]Deep Pipelined SRAM Design for High Performance Processor 浅野 融日本IBM
(27) 14:35-15:00 65nm混載SRAMでの動作マージン改善回路 薮内 誠大林茂樹新居浩二塚本康正ルネサステクノロジ)・今岡 進ルネサスデザイン)・五十嵐元繁竹内雅彦川島 光牧野博之山口泰男塚本和宏犬石昌秀石橋孝一郎篠原尋史ルネサステクノロジ
(28) 15:00-15:25 しきい値電圧ばらつきを克服したDVS環境下における0.3V動作SRAMの開発 野口紘希神戸大)・森田泰弘金沢大)・藤原英弘川上健太郎宮越純一神戸大)・三上真司金沢大)・新居浩二川口 博吉本雅彦神戸大
(29) 15:25-15:50 多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響 倉田英明大津賀一雄小田部 晃梶山新也長部太郎笹子佳孝日立)・鳴海俊一冨上健司蒲原史朗土屋 修ルネサステクノロジ
  15:50-16:00 休憩 ( 10分 )
8月18日(金) 午後 
16:00 - 17:30
(30) 16:00-17:30 パネルディスカッション
「SRAM:低電圧化とばらつきへの挑戦」

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 40 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 川中 繁 (東芝 セミコンダクター社)
TEL:045-770-3638, FAX:045-770-3571
E-:geba 
ICD 集積回路研究会(ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 永田 真 (神戸大学)
TEL 078-803-6569,FAX 078-803-6221
E-:be-u 


Last modified: 2006-07-21 21:30:36


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