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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 和保 孝夫
副委員長 葛原 正明
幹事 田中 毅, 新井 学
幹事補佐 高谷 信一郎, 村田 浩一

マイクロ波研究会(MW) [schedule] [select]
専門委員長 荒木 純道
副委員長 橋本 修
幹事 丸橋 建一, 古神 義則
幹事補佐 和田 光司, 松本 好太

日時 2007年 1月17日(水) 09:45 - 17:45
2007年 1月18日(木) 09:45 - 17:05
2007年 1月19日(金) 09:45 - 17:05
議題 超高速・超高周波デバイスおよびIC/一般 
会場名 機械振興会館17日:地下3階2号室18日,19日:地下3階研修1号室 
住所 〒105-0011東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 ・東京メトロ日比谷線神谷町駅下車 徒歩8分,都営地下鉄三田線御成門駅下車 徒歩8分,都営地下鉄大江戸線赤羽橋駅下車 徒歩10分,営地下鉄浅草線・大江戸線大門駅下車 徒歩10分,JR浜松町駅下車 徒歩15分
http://www.jspmi.or.jp/kaikan.htm
他の共催 ◆IEEE MTT-S Japan Chapter 共催

1月17日(水)  
09:45 - 17:45
(1) 09:45-10:10 NTCサーミスタを用いたW-CDMA用PAモジュールの利得の温度特性改善 栗山 哲日立)・湯山茂浩ルネサステクノロジ)・大西正己松本秀俊日立)・田上知紀大部 功ルネサステクノロジ
(2) 10:10-10:35 速度飽和特性を利用したVddゲートバイアスRF-CMOS増幅回路 石原 昇群馬大
(3) 10:35-11:00 マイクロストリップ集中定数形超広帯域(UWB)帯域通過フィルタの設計 馬 哲旺・○石原浩明小林禧夫埼玉大)・穴田哲夫神奈川大
  11:00-11:10 休憩 ( 10分 )
(4) 11:10-11:35 集中定数形コンポジット共振器を用いた小形マイクロストリップ帯域通過フィルタの設計 馬 哲旺・○阿部尚義小林禧夫埼玉大)・穴田哲夫神奈川大
(5) 11:35-12:00 コンポジット共振器を用いたマイクロストリップトリプルバンド帯域通過フィルタの設計 清水太一馬 哲旺小林禧夫埼玉大)・穴田哲夫神奈川大
  12:00-13:30 休憩 ( 90分 )
(6) 13:30-13:55 容量装荷λ/2MSL共振器を用いた直接結合型BPFに関する実験的検討 松本 真電通大)・島方幸広山内拡幸太陽誘電)・和田光司岩崎 俊電通大
(7) 13:55-14:20 タップ結合法を適用したマイクロストリップ線路共振器を用いた有極形デュアルバンドフィルタに関する実験的検討 奥崎伸彦電通大)・島方幸弘山内拡幸太陽誘電)・和田光司岩崎 俊電通大
(8) 14:20-14:45 固体プラズマ上におかれた周期金属構造のサブミリ波放射特性 土井和也淀川信一高坂 諭小武内哲雄秋田大
  14:45-14:55 休憩 ( 10分 )
(9) 14:55-15:20 反射形0次共振器を用いたKu帯発振器 水谷浩之津留正臣川上憲司西野 有宮崎守泰三菱電機
(10) 15:20-15:45 ブランチスタブを用いたBPFによる通過帯域近傍の特性改善に関する基礎検討 安住壮紀大野貴信橋本 修青学大)・和田光司電通大
(11) 15:45-16:10 帯域切替型マルチバンドアイソレータの検討 古田敬幸福田敦史岡崎浩司楢橋祥一NTTドコモ
(12) 16:10-16:35 四肢生体内計測用チャープパルスマイクロ波CTの開発 (講演なし) 石黒隆志岩田直之三星裕樹宮崎康彰宮川道夫新潟大
  16:35-16:45 休憩 ( 10分 )
(13) 16:45-17:45 [特別講演]第36回欧州マイクロ波会議出席報告 関 智弘上綱秀樹NTT)・福田敦史NTTドコモ)・田中高行佐賀大)・西野 有宮口賢一三菱電機)・陳 春平神奈川大)・杉浦慎哉豊田中研)・風間保裕日本無線
1月18日(木)  
09:45 - 17:05
(14) 09:45-10:10 広帯域同軸-CPW変換器 グェン コク ディングェン タイン亀井利久内海要三防衛大
(15) 10:10-10:35 液晶装荷浮遊電極付高速移相器の特性改善の検討 前田壮彦亀井利久内海要三防衛大
(16) 10:35-11:00 60GHz帯NRDガイドパルスレーダを用いたレベルセンサシング信号処理部における連続サンプリングによる測定精度の向上 出穂剛史黒木太司呉高専)・米山 務東北工大
  11:00-11:10 休憩 ( 10分 )
(17) 11:10-11:35 UHF帯TV信号受信用小型・薄型J字型モノポールアンテナアレイ 黒木太司・○太田宙志呉高専
(18) 11:35-12:00 誘電体基板両面に配置した小型・薄型クロスミアンダラインアンテナ 黒木太司太田宙志呉高専
  12:00-13:00 休憩 ( 60分 )
(19) 13:00-13:25 ミリ波帯におけるプリント伝送線路の伝送損失軽減法に関する考察 黒木太司・○宮本和哉舛本亮太田丸了次呉高専
(20) 13:25-13:50 ミリ波帯誘電体基板支持トリプレート伝送線路フィルタの不要放射抑圧 黒木太司・○宮本和哉呉高専
(21) 13:50-14:15 FDTD法による共振器結合係数の算出 鈴木健司石田哲也粟井郁雄龍谷大
(22) 14:15-14:40 広帯域積層導波管バランスフィルタの一検討 福永達也TDK)・和田光司電通大
  14:40-14:50 休憩 ( 10分 )
(23) 14:50-15:15 FDTDシミュレーション技術を用いた材料測定法に関する検討 ~ ミリ波帯金属表皮抵抗と半導体ウェハを含む誘電体板の測定 ~ 飯田幸雄中尾公一大村泰久田村 進関西大
(24) 15:15-15:40 低融点樹脂を用いた粉体の複素比誘電率の測定法に関する検討 大塚健二郎・○佐藤彰祐橋本 修青学大
(25) 15:40-16:05 集光レンズアンテナを用いた高損失誘電材料の複素比誘電率テンソルの測定に関する検討 宮本昌尚橋本 修渡邊慎也青学大
  16:05-16:15 休憩 ( 10分 )
(26) 16:15-16:40 石膏ボードと抵抗膜を用いた二周波対応型無線LAN用電波吸収体 中村卓哉大塚健二郎・○祥雲勇一橋本 修青学大
(27) 16:40-17:05 耐環境性に優れたゴムシートを用いた円形格子型電波吸収体に関する検討 小澤 健松本好太三浦 裕青学大)・岡田 治ブリヂストン)・橋本 修青学大
1月19日(金)  
09:45 - 17:05
(28) 09:45-10:10 CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器 森脇孝雄山本和也小川喜之三浦 猛前村公正紫村輝之三菱電機
(29) 10:10-10:35 携帯電話基地局向け歪相殺ドハティ28V動作330W GaAsヘテロ接合FETパワーアンプ 竹中 功石倉幸治高橋英匡長谷川浩一上田 隆栗原俊道麻埜和則岩田直高NECエレクトロニクス
(30) 10:35-11:00 GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET 後藤清毅國井徹郎井上 晃三菱電機)・大植利和Wave Technology)・河野正基奥 友希石川高英三菱電機
  11:00-11:10 休憩 ( 10分 )
(31) 11:10-11:35 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル 井上 晃天清宗山後藤清毅國井徹郎奥 友希石川高英三菱電機
(32) 11:35-12:00 InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC 上綱秀樹NTT)・山根康郎NEL)・徳光雅美NTT)・菅原裕彦NTT-AT)・榎木孝知NTT
  12:00-13:00 休憩 ( 60分 )
(33) 13:00-13:25 GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器 山本和也宮下美代小川喜之三浦 猛紫村輝之三菱電機
(34) 13:25-13:50 ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価 田村隆博小谷淳二葛西誠也橋詰 保北大
(35) 13:50-14:15 Si基板上にMOCVD成長した高品質InAIN/GaN HEMTエピ 渡邉則之横山春喜廣木正伸小田康裕NTT)・八木拓真NTT-AT)・小林 隆NTT
  14:15-14:25 休憩 ( 10分 )
(36) 14:25-14:50 AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化 松尾尚慶上野弘明上田哲三田中 毅松下電器
(37) 14:50-15:15 ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ 上本康裕引田正洋上野弘明松尾尚慶石田秀俊柳原 学上田哲三田中 毅上田大助松下電器
(38) 15:15-15:40 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス 金村雅仁多木俊裕今西健治牧山剛三岡本直哉富士通/富士通研)・原 直紀富士通研)・吉川俊英常信和清富士通/富士通研
  15:40-15:50 休憩 ( 10分 )
(39) 15:50-16:15 GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路 齋藤 渉土門知一津田邦男大村一郎東芝
(40) 16:15-16:40 X帯80W出力AlGaN/GaN HEMT開発 松下景一柏原 康増田和俊桜井博幸高塚眞治高木一考川崎久夫高田賢治津田邦男東芝
(41) 16:40-17:05 ミリ波向け高耐圧・高fmax GaN-HEMT 牧山剛三多木俊裕今西健治金村雅仁富士通/富士通研)・原 直紀富士通研)・吉川俊英富士通/富士通研

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 田中 毅(松下電器)
TEL: 075-956-9083, FAX: 075-956-9110
E-: erlci
新井 学(新日無)
TEL: 049-278-1477、FAX: 049-278-1419
E-: injr
高谷 信一郎(日立中研)
TEL: 0423-23-1111(内線3048)、FAX: 0423-27-7738
E-: crl
村田 浩一(NTT)
TEL:046-240-2871、FAX:046-270-2872
E-aecl 
MW マイクロ波研究会(MW)   [今後の予定はこちら]
問合先 和田光司 (電通大)
TEL:0424-43-5212,FAX:0424-43-5212
E-:eec 


Last modified: 2006-12-09 19:18:59


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