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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
副委員長 品田 高宏 (東北大)
幹事 黒田 理人 (東北大), 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事補佐 池田 浩也 (静岡大)

日時 2016年10月26日(水) 14:00 - 16:50
2016年10月27日(木) 10:00 - 14:40
議題 プロセス科学と新プロセス技術 
会場名 東北大学未来情報産業研究館5F 
住所 〒980-8579 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉6-6-10
交通案内 地下鉄東西線青葉山駅から徒歩1分
会場世話人
連絡先
東北大学 黒田 理人
022-795-4833
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

10月26日(水) 午後 
14:00 - 16:50
(1) 14:00-14:50 [招待講演]最先端LSIプロセスにおける重金属汚染の制御 SDM2016-69 嵯峨幸一郎ソニー
(2) 14:50-15:15 高濃度ドーピングされた(100)方位SOIウェーハに対するSi選択エピタキシャル成長後の平坦な表面形成技術 SDM2016-70 古川貴一寺本章伸黒田理人諏訪智之橋本圭市須川成利東北大)・鈴木大介千葉洋一郎石井勝利清水 亮長谷部一秀東京エレクトロン東北
  15:15-15:30 休憩 ( 15分 )
(3) 15:30-16:10 [招待講演]超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術 SDM2016-71 槇山秀樹山本芳樹長谷川拓実岡西 忍前川径一新川田裕樹蒲原史朗山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・杉井信之日立)・石橋孝一郎電通大)・水谷朋子平本俊郎東大
(4) 16:10-16:50 [招待講演]基板バイアス技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの超低電圧動作 SDM2016-72 山本芳樹槇山秀樹長谷川拓実岡西 忍前川径一新川田裕樹蒲原史朗山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・杉井信之日立)・水谷朋子平本俊郎東大
10月26日(水) 午後  平成27年度SDM研究専門委員会若手優秀発表賞 表彰式
16:50 - 16:50
10月27日(木) 午前 
10:00 - 14:40
(5) 10:00-10:25 原子層堆積法で成膜したAl2O3膜界面に及ぼす酸化種の影響 SDM2016-73 齋藤雅也諏訪智之寺本章伸黒田理人幸田安真杉田久哉石井秀和志波良信白井泰雪須川成利東北大)・林 真里恵土本淳一キヤノンアネルバ
(6) 10:25-10:50 SiO2上におけるウェットプロセスがペンタセン薄膜形成に与える影響 SDM2016-74 前田康貴廣木瑞葉大見俊一郎東工大
(7) 10:50-11:15 動作電圧変化時の過渡状態におけるランダムテレグラフノイズの挙動に関する研究 SDM2016-75 間脇武蔵寺本章伸黒田理人市野真也後藤哲也諏訪智之須川成利東北大
(8) 11:15-11:40 Si基板表面平坦化によるHf系MONOS構造の電気特性向上に関する検討 SDM2016-76 工藤聡也大見俊一郎東工大
  11:40-13:00 昼食 ( 80分 )
(9) 13:00-13:50 [招待講演]Novel Pixel Structure with Stacked Deep Photodiode to Achieve High NIR Sensitivity and High MTF SDM2016-77 Hiroki TakahashiHiroshi TanakaMasahiro OdaMitsuyoshi AndoNaoto NiisoeTPSCo)・Shinichi KawaiTakuya AsanoMitsugu YoshitaTohru YamadaPSCS
(10) 13:50-14:40 [招待講演]Low-Noise Imaging Techniques for Scientific CMOS Image Sensors SDM2016-78 Min-Woong SeoShoji KawahitoShizuoka Univ.

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E--mail: e3 


Last modified: 2016-08-19 13:11:18


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