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1日目のセッション終了後に懇親会を開催いたします。



電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 津田 邦男 (東芝)
副委員長 須原 理彦 (首都大)
幹事 新井 学 (新日本無線), 東脇 正高 (NICT)
幹事補佐 大石 敏之 (佐賀大), 岩田 達哉 (豊橋技科大)

日時 2017年10月26日(木) 13:30 - 17:10
2017年10月27日(金) 09:30 - 12:05
議題 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 
会場名 東北大学 電気通信研究所 本館6階大会議室(M601) 
住所 宮城県仙台市青葉区片平2-1-1
交通案内 地下鉄「五橋駅」下車。北2番の出入口より地上へ、徒歩約8分
http://www.riec.tohoku.ac.jp/ja/access/
会場世話人
連絡先
佐藤 信之
022-217-5571
お知らせ ◎10月26日(木)研究会終了後、懇親会を予定しておりますのでご参加ください。

10月26日(木) 午前 
13:30 - 17:10
(1) 13:30-13:55 グラフェンを用いた低真空・低電圧で動作可能な高効率平面型電子放出デバイス 村上勝久産総研)・古家 遼横浜国大)・飯島拓也筑波大)・長尾昌善産総研)・根本善弘竹口雅樹物質・材料研究機構)・鷹尾祥典横浜国大)・山田洋一佐々木正洋筑波大
(2) 13:55-14:20 シリコンフィールドエミッタアレイのレーザ支援電界電子放射特性 嶋脇秀隆八戸工大)・長尾昌善産総研)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・高井幹夫阪大
(3) 14:20-14:45 ファウラーノルドハイムプロットの非直線性が切片傾き解析に与える影響 後藤康仁京大
(4) 14:45-15:10 テラヘルツ波帯における真空デバイスへの取組み(その3) 梶川恵広吉田 満宗廣孝継増田則夫NECネットワーク・センサ)・関根徳彦菅野敦史山本直克笠松章史寳迫 巌NICT
  15:10-15:30 休憩 ( 20分 )
(5) 15:30-15:55 300GHz帯MEMS-FWG-TWTの設計検討(その3) 蔦木邦夫根尾陽一郎三村秀典静岡大)・梶川恵広増田則夫吉田 満NECネットワーク・センサ
(6) 15:55-16:20 単相全波倍圧整流回路を用いる位相制御マグネトロンの研究 楊 波三谷友彦篠原真毅京大
(7) 16:20-16:45 炭化タングステンを用いた低仕事関数電界放射陰極に関する研究 山梨遼太郎根尾陽一郎三村秀典静岡大
(8) 16:45-17:10 リン添加ダイヤモンド表面からの電子放出のエネルギー分析 増澤智昭静岡大)・岡野 健国際基督教大)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・山田貴壽産総研
10月27日(金) 午後 
09:30 - 12:05
(9) 09:30-09:55 時間依存密度汎関数法によるカーボン系エミッタのフィールドエミッション電流の計算(第3報) 樋口敏春佐々木正洋山田洋一筑波大
(10) 09:55-10:20 マルチエミッタ評価装置によるボルケーノ構造スピント型エミッタの動作チップの放出電流測定 田口広大・○村田英一六田英治下山 宏名城大)・長尾昌善村上勝久産総研
  10:20-10:50 休憩 ( 30分 )
(11) 10:50-11:15 高線量率のX線照射下におけるフィールドエミッタアレイの動作 森藤瑛之辻 博司京大)・長尾昌善産総研)・秋吉優史阪府大)・高木郁二後藤康仁京大
(12) 11:15-11:40 微小電子源の作製技術を利用した超小型エレクトロスプレースラスタの試作 村上勝久長尾昌善産総研)・井上直樹鷹尾祥典横浜国大)・クンプアン ソマワン原 史朗産総研/ミニマルファブ推進機構
(13) 11:40-12:05 高速パルス形成の為のSb-Cs光電面に関する研究 吉武 亮高橋隼斗根尾陽一郎三村秀典静岡大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 新井 学(新日本無線(株))
TEL:049-278-1441 Fax :049-278-1269
E-injr
東脇 正高(情報通信研究機構)
TEL : 042-327-6092 Fax : 042-327-5527
E- : m 


Last modified: 2017-08-29 11:16:27


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