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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 品田 高宏 (東北大)
副委員長 平野 博茂 (パナソニック・タワージャズ)
幹事 池田 浩也 (静岡大), 諸岡 哲 (東芝メモリー)
幹事補佐 森 貴洋 (産総研), 小林 伸彰 (日大)

日時 2019年 1月29日(火) 09:30 - 16:30
議題 先端CMOSデバイス・ プロセス技術(IEDM特集) 
会場名 機械振興会館 地下3F 研修2 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 東京メトロ日比谷線 神谷町駅下車 徒歩8分
http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html
他の共催 ◆応用物理学会共催
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(SDM研究会)についてはこちらをご覧ください.

1月29日(火) 午後 
09:30 - 16:30
(1) 09:30-09:55 [招待講演]強誘電体負性容量のマルチドメイン動力学とトランジスタ特性特性への影響 太田裕之池上 努福田浩一服部淳一浅井栄大遠藤和彦右田真司産総研)・鳥海 明東大
(2) 09:55-10:20 [招待講演]強誘電体トランジスタで観測される急峻スロープ特性の解析 右田真司太田裕之産総研)・鳥海 明東大
(3) 10:20-10:45 [招待講演]負性容量効果をどのように理解するか 李 秀妍鳥海 明東大
  10:45-11:00 休憩 ( 15分 )
(4) 11:00-11:25 [招待講演]The Relationship between Polarization Switching and Subthreshold Behavior in HfO2-based Ferroelectric and Anti-ferroelectric FET: An Experimental Study Chengji JinKyungmin JangTakuya SarayaToshiro HiramotoMasaharu KobayashiUniv. of Tokyo
(5) 11:25-11:50 [招待講演]Simulation study on Ferroelectric-HfO2 Tunnel Junction Memory Based on Non-equilibrium Green Function Method with Self-consistent Potential Fei MoYusaku TagawaTakuya SarayaToshiro HiramotoMasaharu KobayashiUniv. of Tokyo
  11:50-13:20 昼食 ( 90分 )
(6) 13:20-13:45 [招待講演]サブモノレイヤ法によるAlナノクラスタを埋め込んだ高信頼性強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜の開発 山口 直張 田田大森和幸島田康弘国宗依信井手 隆井上真雄松浦正純ルネサス エレクトロニクス
(7) 13:45-14:10 [招待講演]HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作 宮田典幸産総研)・奈良 純山崎隆浩物質・材料研究機構)・住田杏子産総研)・佐野良介野平博司東京都市大
(8) 14:10-14:35 [招待講演]Demonstration of high-speed switching, high thermal stability, and high endurance in 128Mb-density STT-MRAM by development of integration process Hideo SatoTetsuo EndohTohoku Univ.
  14:35-14:50 休憩 ( 15分 )
(9) 14:50-15:15 [招待講演]ナノインプリントによるハーフピッチ14nm直接パターニング 中杉哲郎東芝メモリ
(10) 15:15-15:40 [招待講演]固体量子情報デバイスの実現に向けたシリコン同位体技術 宮本 聡慶大)・宇佐美徳隆名大)・伊藤公平慶大
(11) 15:40-16:05 [招待講演]5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減 更屋拓哉伊藤一夫高倉俊彦福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・附田正則北九州市環境エレクトロニクス研)・沼沢陽一郎明大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子齋藤 渉東芝)・角嶋邦之星井拓也古川和由渡辺正裕執行直之筒井一生岩井 洋東工大)・小椋厚志明大)・西澤伸一九大)・大村一郎九工大)・大橋弘通東工大)・平本俊郎東大
(12) 16:05-16:30 [招待講演]IEDM2018を振り返って
○黒田理人(東北大)

講演時間
招待講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 諸岡 哲(東芝メモリ)
Tel 059-390-7451 Fax 059-361-2739
E-: ba 


Last modified: 2018-11-28 13:46:48


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