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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 葛原 正明 (福井大)
副委員長 橋詰 保 (北大)
幹事 新井 学 (新日本無線), 高谷 信一郎 (日立)
幹事補佐 村田 浩一 (NTT), 原 直紀 (富士通研)

電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 上村 喜一 (信州大)
副委員長 安井 寛治 (長岡技科大)
幹事 豊田 誠治 (NTT), 清水 英彦 (新潟大)
幹事補佐 竹村 泰司 (横浜国大), 大庭 直樹 (NTT)

レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) [schedule] [select]
専門委員長 辻 伸二 (日立)
副委員長 中野 義昭 (東大)
幹事 中原 宏治 (日立), 山中 孝之 (NTT)

日時 2007年10月11日(木) 13:00 - 18:00
2007年10月12日(金) 09:00 - 16:55
議題 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般 
会場名 福井大学 文京キャンパス アカデミーホール 
住所 〒910-8507 福井市文京3-9-1
交通案内 私鉄えちぜん鉄道;福井駅→福大前西福井駅(所要時間 約10分)
http://www.fukui-u.ac.jp/publication/site/idx_access.html
会場世話人
連絡先
福井大学大学院工学研究科 葛原正明
0776-27-9714
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

10月11日(木) 午後 
13:00 - 18:00
  13:00-13:05 委員長挨拶 ( 5分 )
(1) 13:05-13:30 窒化物半導体量子井戸の偏光特性の基板面方位依存性 ED2007-156 CPM2007-82 LQE2007-57 山口敦史金沢工大
(2) 13:30-13:55 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光 ED2007-157 CPM2007-83 LQE2007-58 金田昭男京大/JST)・金井聡庸京大)・船戸 充川上養一京大/JST)・菊池昭彦岸野克己上智大/JST
(3) 13:55-14:20 RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価 ED2007-158 CPM2007-84 LQE2007-59 関口寛人上智大/JST)・加藤 圭田中 譲上智大)・菊池昭彦岸野克巳上智大/JST
  14:20-14:30 休憩 ( 10分 )
(4) 14:30-14:55 金属・酸化物・GaN接触を利用した紫外発光ダイオードの製作 小宮山重利野口和之増山佳宏吉岡香織本田 徹工学院大
(5) 14:55-15:20 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED ED2007-159 CPM2007-85 LQE2007-60 福島康之高瀬裕志薄田 学折田賢児上田哲三田中 毅松下電器
(6) 15:20-15:45 アンモニアガス中の水分によるInGaN LEDのEL発光強度への影響 ~ MOVPEによるLED構造の成長におけるアンモニアガス中の水分管理 ~ ED2007-160 CPM2007-86 LQE2007-61 万行大貴小野宏之・○小林芳彦松本 功渋谷和信大陽日酸
(7) 15:45-16:10 p-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED ED2007-161 CPM2007-87 LQE2007-62 藤川紗千恵理研)・高野隆好近藤行廣松下電工)・平山秀樹理研
  16:10-16:20 休憩 ( 10分 )
(8) 16:20-16:45 非極性m面InGaN LEDの偏光特性 辻村裕紀・○中川 聡岡本國美太田裕朗ローム
(9) 16:45-17:10 端面電流非注入構造導入による純青色レーザのCOD抑制 ED2007-162 CPM2007-88 LQE2007-63 後藤 修ソニー)・大泉善嗣庄司美和子田中隆之保科幸男太田 誠ソニー白石セミコンダクタ)・矢吹義文冨谷茂隆池田昌夫ソニー
(10) 17:10-17:35 AlGaN多重量子井戸型半導体レーザの深紫外発振と光学異方特性 ED2007-163 CPM2007-89 LQE2007-64 川西英雄新倉栄一郎工学院大
(11) 17:35-18:00 絶縁膜/n-GaN構造の光応答とセンサ応用 ED2007-164 CPM2007-90 LQE2007-65 水江千帆子松山哲也小谷淳二ミツェーク マルチン橋詰 保北大
10月12日(金) 午前 
09:00 - 16:55
(12) 09:00-09:25 多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討 ED2007-165 CPM2007-91 LQE2007-66 酒井亮輔西田猛利塩島謙次葛原正明福井大
(13) 09:25-09:50 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ ED2007-166 CPM2007-92 LQE2007-67 黒田正行上田哲三田中 毅松下電器
(14) 09:50-10:15 ITOショットキ電極を用いたAlGaN/GaN HEMTのリーク電流低減 ED2007-167 CPM2007-93 LQE2007-68 松田慶太川崎 健中田 健五十嵐武司八重樫誠司ユーディナデバイス
(15) 10:15-10:40 4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討 ED2007-168 CPM2007-94 LQE2007-69 寺田 豊鈴江隆晃石川博康江川孝志名工大
  10:40-10:50 休憩 ( 10分 )
(16) 10:50-11:15 AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した緩やかな電流応答と電流コラプスの解析 ED2007-169 CPM2007-95 LQE2007-70 中島 敦堀尾和重芝浦工大
(17) 11:15-11:40 AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用 ED2007-170 CPM2007-96 LQE2007-71 田島正文小谷淳二田村隆博橋詰 保北大
(18) 11:40-12:05 AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討 ED2007-171 CPM2007-97 LQE2007-72 児玉和樹西田猛利塩島謙次葛原正明福井大
(19) 12:05-12:30 Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発 ED2007-172 CPM2007-98 LQE2007-73 柏原 康高木重徳増田和俊松下景一小野寺 賢高木一考川崎久夫高田賢治津田邦男東芝
  12:30-13:50 昼食 ( 80分 )
(20) 13:50-14:15 ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価 ED2007-173 CPM2007-99 LQE2007-74 徳田 豊松岡陽一妹尾 武愛知工大)・上田博之石黒 修副島成雅加地 徹豊田中研
(21) 14:15-14:40 青色発光InGaN微結晶の作製条件 ED2007-174 CPM2007-100 LQE2007-75 蟹江 壽明石健一東京理科大
(22) 14:40-15:05 新規ナノ構造発光デバイス開発に向けた、1分子層InN井戸/GaNマトリクス多重量子井戸構造の作製 ED2007-175 CPM2007-101 LQE2007-76 橋本直樹結城明彦斉藤英幸千葉大)・王 新強JST)・崔 成伯石谷善博吉川明彦千葉大/JST
(23) 15:05-15:30 Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN 選択MOVPE成長 ED2007-176 CPM2007-102 LQE2007-77 中島由樹本田善央山口雅史澤木宣彦名大
  15:30-15:40 休憩 ( 10分 )
(24) 15:40-16:05 窒化リチウムとガリウムとの反応によるGaN結晶の作製 ED2007-177 CPM2007-103 LQE2007-78 馬淵 彰平野隆義杉浦 隆箕浦秀樹岐阜大
(25) 16:05-16:30 分子プレカーサー法によるMgZnO薄膜の製作と紫外透明電極への応用検討 増山佳宏吉岡香織小宮山重利安達信助佐藤光史本田 徹工学院大
(26) 16:30-16:55 高In組成(1~0.5)InAlNの常圧MOVPE成長 ED2007-178 CPM2007-104 LQE2007-79 宝珍禎則橋本明弘山本あき勇福井大

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 新井 学(新日無)
TEL: 049-278-1477、FAX: 049-278-1419
E-: injr
高谷 信一郎(日立中研)
TEL: 0423-23-1111(内線3048)、FAX: 0423-27-7738
E-: crl
村田 浩一(NTT)
TEL:046-240-2871、FAX:046-270-2872
E-aecl
原 直紀 (富士通研究所)
TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-4337
E- : nf 
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先 清水英彦(新潟大学)
TEL 025-262-6811, FAX 025-262-6811
E-: engi-u
竹村 泰司(横浜国立大学)
TEL 045-339-4151, FAX 045-339-4151
E-: y 
LQE レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)   [今後の予定はこちら]
問合先 中原宏治(日立製作所)
TEL 042-323-1111, FAX 042-327-7786
E-: ugu
山中孝之(NTTフォトニクス研究所)
TEL 046-240-4403, FAX 046-240-2859
E-: taecl 
お知らせ ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を新設します。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。


Last modified: 2007-09-03 08:57:13


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