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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 平野 博茂 (タワー パートナーズ セミコンダクター)
副委員長 大見 俊一郎 (東工大)
幹事 森 貴洋 (産総研), 小林 伸彰 (日大)
幹事補佐 野田 泰史 (パナソニック), 諏訪 智之 (東北大)

日時 2021年11月11日(木) 09:55 - 17:40
2021年11月12日(金) 09:30 - 17:35
議題 プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
会場名 オンライン開催 
他の共催 ◆応用物理学会共催
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(SDM研究会)についてはこちらをご覧ください.
参加費支払い手続き期限 本研究会はオンライン開催です.準備の都合上,原則として開催の3日前までに受付を終了しますので,お早めにお手続きください.なお,会議用URLなどは研究会幹事からご案内します.
  新型コロナウイルスの感染拡大防止のため本研究会はオンライン開催のみとなります.

11月11日(木) 午前 
09:55 - 12:00
  09:55-10:00 挨拶 ( 5分 )
(1) 10:00-11:00 [招待講演]シリコンIGBTの新展開 ~ スケーリングIGBTと両面ゲートIGBT ~ 平本俊郎更屋拓哉東大
(2) 11:00-12:00 [招待講演]統計的回路シミュレーションのための非正規分布モデルパラメータの生成 佐藤高史塚本裕貴辺 松京大)・新谷道広奈良先端大
  12:00-13:00 昼食 ( 60分 )
11月11日(木) 午後 
13:00 - 15:00
(3) 13:00-14:00 [招待講演]極低消費電力メモリ・ロジック・AI応用に向けたHfZrO2系FeFETへの期待 高木信一トープラサートポン カシディット羅 璇名幸瑛心王 澤宇李 宗恩田原建人竹中 充中根了昌東大
(4) 14:00-15:00 [招待講演]三次元積層構造に向けた強誘電体HfO2 FeFETの消去動作の効率化に関する研究 小林正治Mo, FeiXiang, JiawenMei, Xiaoran沢辺慶起更屋拓哉平本俊郎東大)・Su, Chun-JungTSRI)・Hu, Vita Pi-HoNTU
  15:00-15:15 休憩 ( 15分 )
11月11日(木) 午後 
15:15 - 17:40
(5) 15:15-16:15 [招待講演]プラズマからのイオン衝撃により形成される欠陥構造の解析技術 江利口浩二京大
(6) 16:15-16:40 標準化された電荷密度対電圧特性に基づく新しいしきい値定義の提案 竹内 潔水谷朋子更屋拓哉小林正治平本俊郎東大
(7) 16:40-17:40 [招待講演]SISPAD2021レビュー 三成英樹ソニーセミコンダクタソリューションズ
11月12日(金) 午前 
09:30 - 12:30
(8) 09:30-10:30 [招待講演]炭素欠陥制御に基づくSiC/SiO2界面の高品質化
[変更あり]
小林拓真京大/東工大)・奥田貴史立木馨大伊藤滉二京大)・松下雄一郎東工大)・木本恒暢京大
(9) 10:30-11:30 [招待講演]4H-SiCの高エネルギー輸送における一軸性応力の影響に関するフルバンドモンテカルロ解析 西村智也永久克己園田賢一郎緒方 完ルネサス エレクトロニクス
(10) 11:30-12:30 [招待講演]セルオートマトン法によるGaN HEMTの移動度の温度依存のモデリング 福田浩一服部淳一浅井栄大産総研)・矢板潤也小谷淳二富士通
  12:30-13:30 昼食 ( 60分 )
11月12日(金) 午後 
13:30 - 15:30
(11) 13:30-14:30 [招待講演]乱層構造を持つ多層グラフェンナノリボンの合成およびキャリア輸送現象 根岸良太東洋大
(12) 14:30-15:30 [招待講演]A Theoretical Study on Strain-Induced Change of Schottky Energy Barrier of Dumbbell-Shape Graphene-Nanoribbons for Highly Sensitive Strain Sensors
[変更あり]
Qinqiang ZhangKen SuzukiHideo MiuraTohoku Univ.
  15:30-15:45 休憩 ( 15分 )
11月12日(金) 午後 
15:45 - 17:35
(13) 15:45-16:45 [招待講演]非平衡グリーン関数法に基づくナノスケールデバイスシミュレーションの機械学習を用いた高速化 相馬聡文神戸大
(14) 16:45-17:10 Physics Informed Neural Networksを用いたシリコンナノワイヤ中のフォノン輸送解析 藤田悠摩鈴木悠平鎌倉良成阪工大
(15) 17:10-17:35 機械学習を用いた極微細MOSFETの電気特性およびパラメータの推定 赤澤光平中西唯吾鈴木悠平鎌倉良成阪工大

講演時間
招待講演発表 50 分 + 質疑応答 10 分
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 〒570-8501 大阪府守口市八雲中町3丁目1番1号
パナソニック株式会社
野田泰史
TEL 070-2917-5991
E-:noda.taiji[atmark]jp.panasonic.com 


Last modified: 2021-09-08 18:33:17


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