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集積回路研究会(ICD) [schedule] [select]
専門委員長 中屋 雅夫
副委員長 松澤 昭
幹事 宮野 信治, 甲斐 康司
幹事補佐 相本 代志治, 永田 真

日時 2006年 4月13日(木) 09:20 - 18:40
2006年 4月14日(金) 08:40 - 15:35
議題 新メモリ技術とシステムLSI <オーガナイザ:山内寛行(福岡工業大学)> 
会場名 大分大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 
住所 〒870-1192 大分市旦野原700番地
交通案内 JR大分大学前駅から徒歩15分またはJR大分駅からバス30分「大分大学」
http://www.oita-u.ac.jp/gaiyo/map/access.html
会場世話人
連絡先
電気電子工学科 益子 洋治
097-569-3311
お知らせ ◎4月13日研究会終了後、懇親会を予定していますのでご参加ください。

4月13日(木) 午前 
座長: 菊田 繁(ルネサス)
09:20 - 10:35
(1) 09:20-09:45 DRAMにおけるVRT(Variable Retention Time)の起原 ~ 接合リーク電流の2値変動 ~ 毛利友紀日立)・大湯靜憲小此木堅祐エルピーダメモリ)・○山田廉一日立
(2) 09:45-10:10 リテンション時間延長可能なスリープモードを搭載した65nm低消費電力混載DRAM 高井智久永井 健和田政春岩井 斎加来真理子鈴木 淳糸賀尚子宮崎隆行東芝)・竹中博幸東芝マイクロエレクトロニクス)・北城岳彦宮野信治東芝
(3) 10:10-10:35 カラムアクセス8.4ns,1.6Gbpsデータ転送を実現する512M DDR3 SDRAMのデータ転送回路技術の開発 久保内修一日立超LSIシステムズ)・藤澤宏樹黒木浩二西岡直久利穂吉郎野田浩正エルピーダメモリ)・藤井 勇余公秀之瀧下隆治伊藤孝洋田中 均日立超LSIシステムズ)・中村正行エルピーダメモリ
4月13日(木) 午前 
座長: 相本 代志冶(NECエレ)
10:45 - 12:00
(4) 10:45-11:35 [特別招待講演]サブ1V DRAM設計技術 河原尊之日立
(5) 11:35-12:00 90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発 中島博臣南 良博篠 智彰東芝)・坂本篤史東芝情報システム)・東 知輝東芝マイクロエレクトロニクス)・楠 直樹藤田勝之初田幸輔大澤 隆青木伸俊谷本弘吉森門六月生井納和美浜本毅司仁田山晃寛東芝
4月13日(木) 午後 
座長: 榎本 忠儀(中央大学)
13:00 - 14:40
(6) 13:00-13:50 [特別招待講演]Chain FeRAM技術と将来展望 高島大三郎東芝
(7) 13:50-14:40 [特別招待講演]金属酸化物抵抗変調型NVM技術 田口眞男スパンシオン
4月13日(木) 午後 
座長: 山内 寛行(福岡工業大学)
14:50 - 16:30
(8) 14:50-15:40 [特別招待講演]新構造メモリ技術とSoCプラットフォーム 有本和民ルネサステクノロジ
(9) 15:40-16:30 [特別招待講演]SoC設計からみたメモリへの要求 高橋真史東芝
4月13日(木) 午後 
座長: 日高 秀人(ルネサス)
16:40 - 18:40
(10) 16:40-18:40 [パネル討論]新メモリとSoC,今何をすべきか? 日高秀人ルネサステクノロジ)・田口眞男SPANSION JAPAN)・河原尊之日立)・高島大三郎東芝)・上野修一ルネサステクノロジ)・高田雅史金沢大)・高橋真史東芝
4月14日(金) 午前 
座長: 中村 和之(九州工業大学)
08:40 - 10:20
(11) 08:40-09:05 相変化メモリを利用した不揮発性SRAMアーキテクチャの研究 高田雅史中山和也泉 貴富新村 達秋田純一北川章夫金沢大
(12) 09:05-09:30 MRAMに適したパイプライン型セルフリファレンス手法の検討 岡村怜王奈早大)・木原雄治ルネサステクノロジ)・金 泰潤木村史法松井悠亮早大)・大石 司ルネサステクノロジ)・吉原 務早大
(13) 09:30-09:55 4MbMRAMとその応用 杉林直彦本田雄士崎村 昇永原聖万三浦貞彦志村健一辻 清孝福本能之本庄弘明鈴木哲広加藤有光齋藤信作笠井直記沼田秀昭大嶋則和NEC
(14) 09:55-10:20 携帯機器に適した低電圧・高速・高信頼性 16Mb MRAM 清水有威岩田佳久土田賢二稲場恒夫滝沢亮介上田善寛板垣清太郎浅尾吉昭梶山 健細谷啓司池川純夫甲斐 正中山昌彦與田博明東芝
4月14日(金) 午前 
座長: 宮野 信治(東芝)
10:25 - 12:05
(15) 10:25-11:15 [特別招待講演]Spin-Transfer Torque Writing Technology (STT-RAM) For Future MRAM Hide NagaiYiming HuaiGrandis)・Shuichi UenoTsuyoshi KogaRenesas Technology
(16) 11:15-11:40 DRAM技術を用いて特性を改善した16M SRAM 木原雄治中嶋 泰井筒 隆中本正幸ルネサステクノロジ)・吉原 務早大
(17) 11:40-12:05 次世代SRAMのために再定義した書き込みマージン 武田晃一池田秀寿萩原靖彦野村昌弘NEC)・小畑弘之NECエレクトロニクス
4月14日(金) 午後 
座長: 久我 守弘(熊本大学)
13:00 - 14:15
(18) 13:00-13:50 [特別招待講演]バッテリ機器向け低電力・低電圧SRAM回路技術 山岡雅直日立
(19) 13:50-14:15 Worst-Case Ananlysis to Obtain Stable Read/Write DC Margin of High Density 6T-SRAM-Array with Local Vth Variability Yasumasa TsukamotoKoji NiiRenesas Technology)・Susumu ImaokaRenesas Design)・Yuji OdaShikino High-Tech.)・Shigeki OhbayashiMakoto YabuuchiHiroshi MakinoKoichiro IshibashiHirofumi ShinoharaRenesas Technology
4月14日(金) 午後 
座長: 平野 恭章(シャープ)
14:20 - 15:35
(20) 14:20-14:45 Floating Gate Type Planar MOSFET Memory with 35 nm Gate Length using Double Junction Tunneling Ryuji OhbaYuichiro MitaniNaoharu SugiyamaShinobu FujitaToshiba
(21) 14:45-15:10 マイコン搭載フラッシュメモリモジュールの内蔵電源システム 石川次郎田中利広加藤 章山木貴志梅本由紀子下里 健中村 功品川 裕ルネサステクノロジ
(22) 15:10-15:35 99mm2,10MB/secを実現する56nm 8Gb多値NANDフラッシュメモリ 岩井 信竹内 健亀田 靖藤村 進大竹博之細野浩司志賀 仁渡辺慶久二山拓也進藤佳彦小島正嗣白川政信市毛正之畠山多生田中真一東芝

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
特別招待講演発表 40 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
ICD 集積回路研究会(ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 宮野信治(東芝)
TEL 0444-548-2696, FAX 044-548-8324
E-: nba 


Last modified: 2006-05-18 11:42:28


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