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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 平野 博茂 (タワー パートナーズ セミコンダクター)
副委員長 大見 俊一郎 (東工大)
幹事 森 貴洋 (産総研), 小林 伸彰 (日大)
幹事補佐 野田 泰史 (パナソニック), 諏訪 智之 (東北大)

日時 2021年 6月22日(火) 13:10 - 17:50
議題 MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
会場名 オンライン開催 
会場世話人
連絡先
細井 卓治 (関学大)
079-565-7129
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(SDM研究会)についてはこちらをご覧ください

6月22日(火) 午後 
13:00 - 17:50
  13:00-13:10 SDM研究会 第8回若手優秀発表賞 授賞式 ( 10分 )
(1) 13:10-13:50 [記念講演]イソプロピルアルコールを用いた金属銅及び酸化銅上の表面改質 SDM2021-22 間脇武蔵東北大)・寺本章伸広島大)・石井勝利東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ)・志波良信諏訪智之東北大)・東雲秀司清水 亮梅澤好太東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ)・黒田理人白井泰雪須川成利東北大
(2) 13:50-14:30 [記念講演]Si/HZO強誘電体FETの動作機構 ~ MOS(MFS)界面で起こる現象 ~ SDM2021-23 トープラサートポン カシディット李 宗恩林 早阳田原建人渡辺耕坪竹中 充高木信一東大
  14:30-14:40 休憩 ( 10分 )
(3) 14:40-15:20 [依頼講演]二次元材料をチャネルとするFET SDM2021-24 若林 整東工大
(4) 15:20-16:00 [依頼講演]シリコン量子計算機実現に向けたTFET型高温動作量子ビットの開発 SDM2021-25 森 貴洋産総研
(5) 16:00-16:40 [依頼講演]デバイス応用に向けた強誘電性HfO2の理解をめざして SDM2021-26 鳥海 明
  16:40-16:50 休憩 ( 10分 )
(6) 16:50-17:10 アプリケーション特性に起因するTaOx ReRAMセルの信頼性ばらつきを許容する高速ストレージ SDM2021-27 松井千尋竹内 健東大
(7) 17:10-17:30 組合せ最適化問題に向けたReRAMを用いたコンピュテーション・イン・メモリにおける量子化ビット数とエラー率の解への影響 SDM2021-28 三澤奈央子田岡健太越能俊介松井千尋竹内 健東大
(8) 17:30-17:50 熱処理によるAlおよびAg/Ge(111)上の極薄Ge形成と層厚制御 SDM2021-29 大田晃生松下圭吾田岡紀之牧原克典宮﨑誠一名大

講演時間
一般講演発表 15 分 + 質疑応答 5 分
記念講演発表 30 分 + 質疑応答 10 分
依頼講演発表 30 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 SDM幹事:森 貴洋(産業技術総合研究所)
電話 029-849-1149
E-Mail -aist 


Last modified: 2021-04-27 15:57:35


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