お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2020年10月開催~)
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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 加地 徹 (豊田中研)
副委員長 原 直紀 (富士通研)
幹事 須原 理彦 (首都大東京), 上田 哲三 (パナソニック)
幹事補佐 葛西 誠也 (北大), 松永 高治 (NEC)

電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 竹村 泰司 (横浜国大)
副委員長 高野 泰 (静岡大)
幹事 圓佛 晃次 (NTT), 阿部 克也 (信州大)
幹事補佐 小舘 淳一 (NTT), 佐藤 知正 (神奈川大)

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 奈良 安雄 (富士通セミコンダクター)
副委員長 大野 裕三 (筑波大)
幹事 野村 晋太郎 (筑波大), 笹子 佳孝 (日立)

日時 2013年 5月16日(木) 13:30 - 17:00
2013年 5月17日(金) 09:30 - 16:45
議題 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) 
会場名 静岡大学創造科学技術大学院 2階会議室(浜松キャンパス) 
住所 〒432-8011 浜松市中区城北3-5-1
交通案内 JR浜松駅よりバスまたはタクシー(http://gsst.shizuoka.ac.jp/others/access.html
http://gsst.shizuoka.ac.jp
会場世話人
連絡先
電子工学研究所 池田 浩也
お知らせ ◎1日目(5月16日)の研究会終了後、懇親会を予定しておりますのでふるってご参加ください。
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

5月16日(木) 午後 
13:30 - 17:00
(1) 13:30-13:55 様々な加工処理を施した4H-SiC表面のキャリアライフタイム評価 ED2013-16 CPM2013-1 SDM2013-23 森 祐人加藤正史市村正也名工大
(2) 13:55-14:20 4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み ED2013-17 CPM2013-2 SDM2013-24 中根浩貴加藤正史市村正也名工大)・大島 武原子力機構
(3) 14:20-14:45 カーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長プロセス ED2013-18 CPM2013-3 SDM2013-25 藤田陽平高野 泰井上 翼中野貴之静岡大
(4) 14:45-15:10 中性子半導体検出器の実現に向けたBGaN薄膜の作製と評価 ED2013-19 CPM2013-4 SDM2013-26 渥美勝浩三宅亜紀三村秀典井上 翼青木 徹中野貴之静岡大
  15:10-15:20 休憩 ( 10分 )
(5) 15:20-15:45 γ-Al2O3/Si基板上のPZT薄膜を用いた超音波トランスデューサの受信感度測定と音圧マッピング 西村将人尾崎勝弥赤井大輔石田 誠豊橋技科大)・岡田長也本多電子
(6) 15:45-16:10 表面窒化によるGaAsN混晶の形成 ED2013-20 CPM2013-5 SDM2013-27 浦上法之若原昭浩関口寛人岡田 浩豊橋技科大
(7) 16:10-16:35 The dissolution process of Si into Ge melt and SiGe growth mechanism by X-ray penetration method ED2013-21 CPM2013-6 SDM2013-28 Muthusamy OmprakashMukannan ArivanandhanRaman Aun KumarHiroshi MoriiToru AokiTadanobu KoyamaYoshimi MomoseHiroshi IkedaHirokazu TatsuokaShizuoka Univ.)・Yasunori OkanoOsaka Univ.)・Tetsuo OzawaShizuoka Inst. of Science and Tech.)・Yuko InatomiJAXA)・Sridharan Moorth BabuAnna Univ.)・Yasuhiro HayakawaShizuoka Univ.
(8) 16:35-17:00 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数 ED2013-22 CPM2013-7 SDM2013-29 鈴木悠平三輪一聡静岡大)・ファイズ サレ静岡大/学振)・下村 勝石田明広池田浩也静岡大
5月17日(金) 午前 
09:30 - 16:45
(9) 09:30-09:55 Investigation of monodispersed ZnO nanostructures for dye sensitized solar cells application ED2013-23 CPM2013-8 SDM2013-30 Mani NavaneethanJayaram ArchanaTadanobu KoyamaYasuhiro HayakawaShizuoka Univ.
(10) 09:55-10:20 Investigations of mesoporous TiO2 spheres as active and scattering layers in dye-sensitized solar cells ED2013-24 CPM2013-9 SDM2013-31 Jayaram ArchanaMani NavaneethanTadanobu KoyamaYasuhiro HayakawaShizuoka Univ.
(11) 10:20-10:45 Low cost synthesized carbon materials as a photo cathode for dye sensitized solar cells ED2013-25 CPM2013-10 SDM2013-32 Rajan KarthikeyanMani NavaneethanJayaram ArchanaMukannan ArivanandhanYasuhiro HayakawaShizuoka Univ.
(12) 10:45-11:10 Surface Modified FTO Thin Films for Front Electrodes in Dye Sensitized Solar Cells ED2013-26 CPM2013-11 SDM2013-33 Devinda LiyanageKenji MurakamiShizuoka Univ.
  11:10-11:20 休憩 ( 10分 )
(13) 11:20-11:45 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換 ED2013-27 CPM2013-12 SDM2013-34 熊崎祐介神保亮平谷田部然治・○佐藤威友北大
(14) 11:45-12:10 Electron-tunneling operation of single-dopant-atom transistors at elevated temperature
-- Toward room temperature operation --
ED2013-28 CPM2013-13 SDM2013-35
Daniel MoraruEarfan HamidArup SamantaShizuoka Univ.)・Le The AnhJAIST)・Takeshi MizunoShizuoka Univ.)・Hiroshi MizutaJAIST/Southampton Univ.)・Michiharu TabeShizuoka Univ.
(15) 12:10-12:35 電子的確率共鳴の非侵襲生体信号計測への応用に関する検討 ED2013-29 CPM2013-14 SDM2013-36 今井裕理葛西誠也北大
  12:35-13:30 昼食 ( 55分 )
(16) 13:30-14:05 [招待講演]シリサイド半導体の結晶成長とデバイス応用 ED2013-30 CPM2013-15 SDM2013-37 鵜殿治彦茨城大
(17) 14:05-14:30 CMOSイメージセンサ技術を用いたファブリペロー干渉計による非標識バイオセンサ ED2013-31 CPM2013-16 SDM2013-38 小澤 遼高橋一浩大山泰生二川雅登太斎文博石田 誠澤田和明豊橋技科大
(18) 14:30-14:55 CuとFeを担持したTiO2スパッタ薄膜の光触媒特性の評価 ED2013-32 CPM2013-17 SDM2013-39 山田良隆渥美 剛白木 遼以西雅章静岡大)・安田洋司星 陽一東京工芸大
(19) 14:55-15:20 高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価 ED2013-33 CPM2013-18 SDM2013-40 三宅景子安田智成加藤正史市村正也名工大)・畑山智亮奈良先端大)・大島 武原子力機構
  15:20-15:30 休憩 ( 10分 )
(20) 15:30-15:55 LiMn2O4薄膜の電池特性の改善 ED2013-34 CPM2013-19 SDM2013-41 野口貴史丹羽彬夫木村将士柴田智志以西雅章冨田靖正静岡大
(21) 15:55-16:20 Improvement of photovoltaic characteristics of B-doped Czochralski-Silicon by Ge codoping ED2013-35 CPM2013-20 SDM2013-42 Mukannan ArivanandhanShizuoka Univ.)・Raira GotohKozo FujiwaraTohoku Univ.)・Yasuhiro HayakawaShizuoka Univ.)・Satoshi UdaTohoku Univ.)・Makoto KonagaiTokyo Inst. of Tech.
(22) 16:20-16:45 Hydrothermal Synthesis of ZnO Nanowire Network using Zinc Acetate Dyhydrate for the DSSC Application ED2013-36 CPM2013-21 SDM2013-43 Rangga WinantyoKenji MurakamiShizuoka Univ.

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 須原 理彦(首都大)
TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756
E- : t
上田 哲三(パナソニック)
TEL:075-956-8273、FAX:075-956-9110
E-zopac 
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先  
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 小野 行徳(NTT)
Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317
E-: o 


Last modified: 2013-05-15 01:49:51


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