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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 加地 徹 (豊田中研)
副委員長 原 直紀 (富士通研)
幹事 須原 理彦 (首都大東京), 上田 哲三 (パナソニック)
幹事補佐 葛西 誠也 (北大), 松永 高治 (NEC)

電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 竹村 泰司 (横浜国大)
副委員長 高野 泰 (静岡大)
幹事 圓佛 晃次 (NTT), 阿部 克也 (信州大)
幹事補佐 小舘 淳一 (NTT), 佐藤 知正 (神奈川大)

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 奈良 安雄 (富士通セミコンダクター)
副委員長 大野 裕三 (筑波大)
幹事 野村 晋太郎 (筑波大), 笹子 佳孝 (日立)

日時 2013年 5月16日(木) 13:30 - 17:00
2013年 5月17日(金) 09:30 - 16:45
議題 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) 
会場名 静岡大学創造科学技術大学院 2階会議室(浜松キャンパス) 
住所 〒432-8011 浜松市中区城北3-5-1
交通案内 JR浜松駅よりバスまたはタクシー(http://gsst.shizuoka.ac.jp/others/access.html
http://gsst.shizuoka.ac.jp
会場世話人
連絡先
電子工学研究所 池田 浩也
お知らせ ◎1日目(5月16日)の研究会終了後、懇親会を予定しておりますのでふるってご参加ください。

5月16日(木) 午後 
13:30 - 17:00
(1) 13:30-13:55 様々な加工処理を施した4H-SiC表面のキャリアライフタイム評価 森 祐人加藤正史市村正也名工大
(2) 13:55-14:20 4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み 中根浩貴加藤正史市村正也名工大)・大島 武原子力機構
(3) 14:20-14:45 カーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長プロセス 藤田陽平高野 泰井上 翼中野貴之静岡大
(4) 14:45-15:10 中性子半導体検出器の実現に向けたBGaN薄膜の作製と評価 渥美勝浩三宅亜紀三村秀典井上 翼青木 徹中野貴之静岡大
  15:10-15:20 休憩 ( 10分 )
(5) 15:20-15:45 γ-Al2O3/Si基板上のPZT薄膜を用いた超音波トランスデューサの受信感度測定と音圧マッピング 西村将人尾崎勝弥赤井大輔石田 誠豊橋技科大)・岡田長也本多電子
(6) 15:45-16:10 表面窒化によるGaAsN混晶の形成 浦上法之若原昭浩関口寛人岡田 浩豊橋技科大
(7) 16:10-16:35 The dissolution process of Si into Ge melt and SiGe growth mechanism by X-ray penetration method Muthusamy OmprakashMukannan ArivanandhanRaman Aun KumarHiroshi MoriiToru AokiTadanobu KoyamaYoshimi MomoseHiroshi IkedaHirokazu TatsuokaShizuoka Univ.)・Yasunori OkanoOsaka Univ.)・Tetsuo OzawaShizuoka Inst. of Science and Tech.)・Yuko InatomiJAXA)・Sridharan Moorth BabuAnna Univ.)・Yasuhiro HayakawaShizuoka Univ.
(8) 16:35-17:00 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数 鈴木悠平三輪一聡静岡大)・ファイズ サレ静岡大/学振)・下村 勝石田明広池田浩也静岡大
5月17日(金) 午前 
09:30 - 16:45
(9) 09:30-09:55 Investigation of monodispersed ZnO nanostructures for dye sensitized solar cells application Mani NavaneethanJayaram ArchanaTadanobu KoyamaYasuhiro HayakawaShizuoka Univ.
(10) 09:55-10:20 Investigations of mesoporous TiO2 spheres as active and scattering layers in dye-sensitized solar cells Jayaram ArchanaMani NavaneethanTadanobu KoyamaYasuhiro HayakawaShizuoka Univ.
(11) 10:20-10:45 Low cost synthesized carbon materials as a photo cathode for dye sensitized solar cells Rajan KarthikeyanMani NavaneethanJayaram ArchanaMukannan ArivanandhanYasuhiro HayakawaShizuoka Univ.
(12) 10:45-11:10 Surface Modified FTO Thin Films for Front Electrodes in Dye Sensitized Solar Cells Devinda LiyanageKenji MurakamiShizuoka Univ.
  11:10-11:20 休憩 ( 10分 )
(13) 11:20-11:45 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換 熊崎祐介神保亮平谷田部然治・○佐藤威友北大
(14) 11:45-12:10 Electron-tunneling operation of single-dopant-atom transistors at elevated temperature
-- Toward room temperature operation --
Daniel MoraruEarfan HamidArup SamantaShizuoka Univ.)・Le The AnhJAIST)・Takeshi MizunoShizuoka Univ.)・Hiroshi MizutaJAIST/Southampton Univ.)・Michiharu TabeShizuoka Univ.
(15) 12:10-12:35 電子的確率共鳴の非侵襲生体信号計測への応用に関する検討 今井裕理葛西誠也北大
  12:35-13:30 昼食 ( 55分 )
(16) 13:30-14:05 [招待講演]シリサイド半導体の結晶成長とデバイス応用 鵜殿治彦茨城大
(17) 14:05-14:30 CMOSイメージセンサ技術を用いたファブリペロー干渉計による非標識バイオセンサ 小澤 遼高橋一浩大山泰生二川雅登太斎文博石田 誠澤田和明豊橋技科大
(18) 14:30-14:55 CuとFeを担持したTiO2スパッタ薄膜の光触媒特性の評価 山田良隆渥美 剛白木 遼以西雅章静岡大)・安田洋司星 陽一東京工芸大
(19) 14:55-15:20 高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価 三宅景子安田智成加藤正史市村正也名工大)・畑山智亮奈良先端大)・大島 武原子力機構
  15:20-15:30 休憩 ( 10分 )
(20) 15:30-15:55 LiMn2O4薄膜の電池特性の改善 野口貴史丹羽彬夫木村将士柴田智志以西雅章冨田靖正静岡大
(21) 15:55-16:20 Improvement of photovoltaic characteristics of B-doped Czochralski-Silicon by Ge codoping Mukannan ArivanandhanShizuoka Univ.)・Raira GotohKozo FujiwaraTohoku Univ.)・Yasuhiro HayakawaShizuoka Univ.)・Satoshi UdaTohoku Univ.)・Makoto KonagaiTokyo Inst. of Tech.
(22) 16:20-16:45 Hydrothermal Synthesis of ZnO Nanowire Network using Zinc Acetate Dyhydrate for the DSSC Application Rangga WinantyoKenji MurakamiShizuoka Univ.

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 須原 理彦(首都大)
TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756
E- : t
上田 哲三(パナソニック)
TEL:075-956-8273、FAX:075-956-9110
E-zopac 
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先  
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 小野 行徳(NTT)
Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317
E-: o 


Last modified: 2013-05-15 01:49:51


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