お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2020年6月開催)
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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 須原 理彦 (首都大)
副委員長 藤代 博記 (東京理科大)
幹事 大石 敏之 (佐賀大), 岩田 達哉 (富山県立大)
幹事補佐 小谷 淳二 (富士通研), 堤 卓也 (NTT)

電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 武山 真弓 (北見工大)
副委員長 中村 雄一 (豊橋技科大)
幹事 中澤 日出樹 (弘前大)
幹事補佐 木村 康男 (東京工科大), 寺迫 智昭 (愛媛大), 廣瀬 文彦 (山形大)

レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) [schedule] [select]
専門委員長 有賀 博 (三菱電機)
副委員長 八坂 洋 (東北大)
幹事 川北 泰雅 (古河電工), 永井 正也 (阪大)
幹事補佐 中島 史人 (NTT)

日時 2019年11月21日(木) 10:10 - 16:10
2019年11月22日(金) 09:40 - 15:00
議題 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 
会場名 静岡大学浜松キャンパス1号館10F 1005室 
住所 浜松市中区城北3-5-1
交通案内 遠鉄バスのりば等 JR東海浜松駅前北口バスターミナル15,16番のりばから 全路線 「静岡大学」下車 (所要時間約20分、1時間に10本程度運行)
http://www.shizuoka.ac.jp/campuslife/campus/hamamatsu/index.html
お知らせ ◎懇親会情報
日時:11/21(木) 18:00~
会場:とろろや メイワン店(浜松駅ビル内)
https://tabelog.com/shizuoka/A2202/A220201/22000897/
参加費:4,500円(予定)
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(CPM研究会, LQE研究会, ED研究会)についてはこちらをご覧ください.

11月21日(木) 午前 
10:10 - 12:20
(1) 10:10-10:30 ZnOのALD成長での平坦薄膜成長条件の調査 ED2019-33 CPM2019-52 LQE2019-76 山本 燎加納寛人中村篤志居波 渉静岡大
(2) 10:30-10:50 ミストCVD法によりc面サファイア基板上に高温下で成長したZnO結晶の発光特性 ED2019-34 CPM2019-53 LQE2019-77 大橋紘誠藤原健八山本幹大原 和彦静岡大)・酒井 優山梨大)・光野徹也静岡大
(3) 10:50-11:10 化学溶液析出法によって種々のTCOシード層に成長したZnOナノロッドの構造およびフォトルミネッセンス特性 ED2019-35 CPM2019-54 LQE2019-78 濱本昂大・○寺迫智昭愛媛大)・矢木正和香川高専)・古林 寛山本哲也高知工科大
(4) 11:10-11:30 化学溶液析出法による極薄GZO薄膜シード層上へのZnOナノロッドの成長と構造及び光学特性 ED2019-36 CPM2019-55 LQE2019-79 寺迫智昭濱本昂大山田健太甲田真一朗愛媛大)・矢木正和香川高専)・古林 寛山本哲也高知工科大
  11:30-12:20 昼食 ( 50分 )
11月21日(木) 午後 
12:20 - 13:55
(5) 12:20-12:40 電気化学的な処理を用いた酸化亜鉛光触媒の特性改善 ED2019-37 CPM2019-56 LQE2019-80 安部功二大竹徳人名工大
(6) 12:40-13:00 β-Ga2O3 SBDを利用したRF-DC変換回路における負荷抵抗と電極面積依存性 ED2019-38 CPM2019-57 LQE2019-81 橋川 誠浦田幸佑竹ノ畑拓海大石敏之大島孝仁佐賀大
(7) 13:00-13:20 リセス深さによるノーマリーオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果改善 ED2019-39 CPM2019-58 LQE2019-82 加藤大望梶原瑛祐向井 章大野浩志新留 彩田島純平彦坂年輝蔵口雅彦布上真也東芝
(8) 13:20-13:40 ICP-RIEによって作製されたGaNトレンチ側壁のダメージ評価 ED2019-40 CPM2019-59 LQE2019-83 山田真嗣櫻井秀樹名大/アルバック)・長田大和中村敏幸上村隆一郎アルバック)・須田 淳加地 徹名大
  13:40-13:55 休憩 ( 15分 )
11月21日(木) 午後 
座長: 川口 真生(パナソニック)
13:55 - 15:30
(9) 13:55-14:15 ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価 ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84 横井駿一古岡啓太久保俊晴江川孝志名工大
(10) 14:15-14:35 両極性同時成長を用いたGaN-QPM結晶の作製およびSHGに向けた光学特性評価 ED2019-42 CPM2019-61 LQE2019-85 松久快生小林佑斗石原弘基杉浦真子杉田篤史井上 翼中野貴之静岡大
(11) 14:35-14:55 AlGaNをを量子井戸に用いた電子線励起レーザ ED2019-43 CPM2019-62 LQE2019-86 櫻木勇介安江信次手良村昌平荻野雄矢田中隼也岩山 章岩谷素顕上山 智竹内哲也赤崎 勇名城大)・三宅秀人三重大
(12) 14:55-15:15 MOCVD法によるGaN、GaInN上への厚膜AlInN膜のエピタキシャル成長 ED2019-44 CPM2019-63 LQE2019-87 山中瑞樹三好実人江川孝志名工大)・岡田成仁只友一行山口大)・竹内哲也名城大
  15:15-15:30 休憩 ( 15分 )
11月21日(木) 午後 
座長: 川北 泰雅(古河電工)
15:30 - 16:10
(13) 15:30-15:50 c面GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価 ED2019-45 CPM2019-64 LQE2019-88 原田紘希三好実人江川孝志名工大)・竹内哲也名城大
(14) 15:50-16:10 AlInN/GaN多層膜反射鏡を有するGaN系面発光レーザーの偏波特性 ED2019-46 CPM2019-65 LQE2019-89 小田 薫飯田涼介岩山 章清原一樹竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大)・赤崎 勇名城大/名大
11月22日(金) 午前 
09:40 - 10:55
(15) 09:40-10:00 蒸着Sn膜の直接硫化による二硫化錫薄膜の結晶性評価 ED2019-47 CPM2019-66 LQE2019-90 田村優樹中村篤志静岡大
(16) 10:00-10:20 有機太陽電池用反射防止ナノテクスチャに関する実験検討 ED2019-48 CPM2019-67 LQE2019-91 平賀健太久保田 繁鹿又健作有馬ボシールアハンマド山形大)・水野 潤早大)・廣瀬文彦山形大
(17) 10:20-10:40 エレクトロスピニング法を用いたポリウレタンファイバーマットのコンポジット化 ED2019-49 CPM2019-68 LQE2019-92 森 拓海中村篤志静岡大
  10:40-10:55 休憩 ( 15分 )
11月22日(金) 午前 
10:55 - 11:55
(18) 10:55-11:15 pHセンサにおける電極表面特異性の評価 ED2019-50 CPM2019-69 LQE2019-93 新澤亮介中村篤志静岡大
(19) 11:15-11:35 非酵素グルコースセンサの作製 ED2019-51 CPM2019-70 LQE2019-94 丹羽貴大中村篤志静岡大
(20) 11:35-11:55 脳深部光刺激用LEDプローブの実現に向けた針型構造の作製 ED2019-52 CPM2019-71 LQE2019-95 中山雄晟安永弘樹豊橋技科大)・稲波千尋大澤匡弘名古屋市大)・関口寛人豊橋技科大/JSTさきがけ
  11:55-12:45 昼食 ( 50分 )
11月22日(金) 午後 
座長: 山口 敦史(金沢工大)
12:45 - 13:45
(21) 12:45-13:05 DCスパッタAlNテンプレートを用いたUVC-LEDの進展 ED2019-53 CPM2019-72 LQE2019-96 最上耀介理研/埼玉大)・大澤篤史尾崎一人谷岡千丈前岡淳史SCREEN)・糸数雄吏桑葉俊輔理研/埼玉大)・定 昌史前田哲利理研)・矢口裕之埼玉大)・平山秀樹理研
(22) 13:05-13:25 微傾斜AlN(0001)面上へのGaN極薄膜量子井戸の作製と光学特性 ED2019-54 CPM2019-73 LQE2019-97 船戸 充小林敬嗣川上養一京大
(23) 13:25-13:45 UV-B領域AlGaN発光層の光学利得と内部ロスの転位密度依存性 ED2019-55 CPM2019-74 LQE2019-98 田中隼也川瀬雄太名城大)・佐藤恒輔旭化成/名城大)・安江信次手良村昌平荻野雄矢名城大)・岩山 章名城大/三重大)・岩谷素顕竹内哲也上山 智名城大)・赤﨑 勇名城大/名大)・三宅秀人三重大
  13:45-14:00 休憩 ( 15分 )
11月22日(金) 午後 
座長: 川口 真生(パナソニック)
14:00 - 15:00
(24) 14:00-14:20 InGaN量子井戸におけるMobility Edgeの見積り方法に関する実験的・理論的検討 ED2019-56 CPM2019-75 LQE2019-99 藤田貴志坂井繁太池田優真山口敦史金沢工大)・草薙 進蟹谷裕也工藤喜弘冨谷茂隆ソニー
(25) 14:20-14:40 光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の推定 ED2019-57 CPM2019-76 LQE2019-100 森 恵人高橋佑知森本悠也山口敦史金沢工大)・草薙 進蟹谷裕也工藤喜弘冨谷茂隆SONY
(26) 14:40-15:00 光熱偏向分光によるIII-V族窒化物の評価 ED2019-58 CPM2019-77 LQE2019-101 角谷正友物質・材料研究機構

講演時間
一般講演発表 15 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 東脇 正高(情報通信研究機構)
TEL : 042-327-6092 Fax : 042-327-5527
E- : m
大石 敏之(佐賀大学)
TEL : 0952-28-8642
E- :oi104cc-u 
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先 寺迫 智昭 (愛媛大学)
TEL: 089-927-9789 FAX: 089-927-9790
E-: amze-u 
LQE レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)   [今後の予定はこちら]
問合先 川北 泰雅(古河電気工業)
TEL 045-311-1219
E-: electc

永井 正也(大阪大学大学院)
TEL 06-6850-6507
E-: mimpes-u 
お知らせ ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/welcome.html
◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。


Last modified: 2019-11-25 11:30:48


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[研究会発表・参加方法,FAQ] ※ ご一読ください
 
[研究会資料インデックス(vol. no.ごとの表紙と目次)]
 

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