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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 須原 理彦 (首都大)
副委員長 藤代 博記 (東京理科大)
幹事 大石 敏之 (佐賀大), 岩田 達哉 (富山県立大)
幹事補佐 小谷 淳二 (富士通研), 堤 卓也 (NTT)

電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 武山 真弓 (北見工大)
副委員長 中村 雄一 (豊橋技科大)
幹事 中澤 日出樹 (弘前大)
幹事補佐 木村 康男 (東京工科大), 寺迫 智昭 (愛媛大), 廣瀬 文彦 (山形大)

レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) [schedule] [select]
専門委員長 有賀 博 (三菱電機)
副委員長 八坂 洋 (東北大)
幹事 川北 泰雅 (古河電工), 永井 正也 (阪大)
幹事補佐 中島 史人 (NTT)

日時 2019年11月21日(木) 10:10 - 16:10
2019年11月22日(金) 09:40 - 15:00
[変更あり]
議題 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 
会場名 静岡大学浜松キャンパス 
住所 浜松市中区城北3-5-1
交通案内 遠鉄バスのりば等 JR東海浜松駅前北口バスターミナル15,16番のりばから 全路線 「静岡大学」下車 (所要時間約20分、1時間に10本程度運行)
http://www.shizuoka.ac.jp/campuslife/campus/hamamatsu/index.html
お知らせ ◎懇親会情報
日時:11/17(木) 18:00~
会場:とろろや メイワン店(浜松駅ビル内)
https://tabelog.com/shizuoka/A2202/A220201/22000897/
参加費:4000円(予定)
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(CPM研究会, LQE研究会, ED研究会)についてはこちらをご覧ください.

11月21日(木) 午前 
10:10 - 12:20
(1) 10:10-10:30 ZnOのALD成長での平坦薄膜成長条件の調査 山本 燎加納寛人中村篤志居波 渉静岡大
(2) 10:30-10:50 ミストCVD法によりc面サファイア基板上に高温下で成長したZnO結晶の発光特性 大橋紘誠藤原健八山本幹大原 和彦静岡大)・酒井 優山梨大)・光野徹也静岡大
(3) 10:50-11:10 化学溶液析出法によって種々のTCOシード層に成長したZnOナノロッドの構造およびフォトルミネッセンス特性 濱本昂大・○寺迫智昭愛媛大)・矢木正和香川高専)・古林 寛山本哲也高知工科大
(4) 11:10-11:30 化学溶液析出法による極薄GZO薄膜シード層上へのZnOナノロッドの成長と構造及び光学特性
[変更あり]
寺迫智昭濱本昂大山田健太甲田真一朗愛媛大)・矢木正和香川高専)・古林 寛山本哲也高知工科大
  11:30-12:20 昼食 ( 50分 )
11月21日(木) 午後 
12:20 - 13:55
(5) 12:20-12:40 電気化学的な処理を用いた酸化亜鉛光触媒の特性改善 安部功二大竹徳人名工大
(6) 12:40-13:00 Ga2O3ショットキーバリアダイオードを用いたマイクロ波-DC変換動作の実証と負荷抵抗依存性 橋川 誠浦田幸佑竹ノ畑拓海網代康佑大島孝仁大石敏之佐賀大
(7) 13:00-13:20 リセス深さによるノーマリーオフ型GaN MOSFETの短チャンネル効果改善 加藤大望梶原瑛祐向井 章大野浩志新留 彩田島純平彦坂年輝蔵口雅彦布上真也東芝
(8) 13:20-13:40 ICP-RIEによって作製されたGaNトレンチ側壁のダメージ評価 山田真嗣櫻井秀樹名大/アルバック)・長田大和中村敏幸上村隆一郎アルバック)・須田 淳加地 徹名大
  13:40-13:55 休憩 ( 15分 )
11月21日(木) 午後 
座長: 川口 真生(パナソニック)
13:55 - 15:30
(9) 13:55-14:15 ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価 横井駿一古岡啓太久保俊晴江川孝志名工大
(10) 14:15-14:35 両極性同時成長を用いたGaN-QPM結晶の作製およびSHGに向けた光学特性評価 松久快生小林佑斗石原弘基杉浦真子杉田篤史井上 翼静岡大)・中野貴之静岡大/静岡大電研
(11) 14:35-14:55 AlGaNを井戸層に用いた電子線励起レーザ 櫻木勇介安江信次手良村昌平荻野雄矢田中隼也岩山 章岩谷素顕上山 智竹内哲也赤崎 勇名城大)・三宅秀人三重大
(12) 14:55-15:15 MOCVD法によるGaN、GaInN上への厚膜AlInN膜のエピタキシャル成長 山中瑞樹三好実人江川孝志名工大)・岡田成仁只友一行山口大)・竹内哲也名城大
  15:15-15:30 休憩 ( 15分 )
11月21日(木) 午後 
座長: 川北 泰雅(古河電工)
15:30 - 16:10 [変更あり]
(13) 15:30-15:50 c面GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価
[変更あり]
原田紘希三好実人江川孝志名工大)・竹内哲也名城大
(14) 15:50-16:10 AlInN/GaN多層膜反射鏡を有するGaN系面発光レーザーの偏波特性 小田 薫飯田涼介岩山 章清原一樹竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大)・赤崎 勇名城大/名大
11月22日(金) 午前 
09:40 - 10:55
(15)
[変更あり]
09:40-10:00 蒸着Sn膜の直接硫化による二硫化錫薄膜の結晶性評価 田村優樹中村篤志静岡大
(16)
[変更あり]
10:00-10:20 有機太陽電池用反射防止ナノテクスチャに関する実験検討 平賀健太久保田 繁鹿又健作有馬ボシールアハンマド山形大)・水野 潤早大)・廣瀬文彦山形大
(17)
[変更あり]
10:20-10:40 エレクトロスピニング法を用いたポリウレタンファイバーマットのコンポジット化 森 拓海中村篤志静岡大
  10:40-10:55 休憩 ( 15分 )
11月22日(金) 午前 
10:55 - 11:55
(18)
[変更あり]
10:55-11:15 pHセンサにおける電極表面特異性の評価 新澤亮介中村篤志静岡大
(19)
[変更あり]
11:15-11:35 非酵素グルコースセンサの作製 丹羽貴大中村篤志静岡大
(20)
[変更あり]
11:35-11:55 脳深部光刺激用LEDプローブの実現に向けた針型構造の作製 中山雄晟安永弘樹豊橋技科大)・稲波千尋大澤匡弘名古屋市大)・関口寛人豊橋技科大/JSTさきがけ
[変更あり]
  11:55-12:45 昼食 ( 50分 )
11月22日(金) 午後 
座長: 山口 敦史(金沢工大)
12:45 - 13:45 [変更あり]
(21)
[変更あり]
12:45-13:05 DCスパッタAlNテンプレートを用いたUVCLEDの進展 最上耀介理研/埼玉大)・大澤篤史尾崎一人谷岡千丈前岡淳史SCREEN)・糸数雄吏理研/埼玉大)・定 昌史前田哲利理研)・矢口裕之埼玉大)・平山秀樹理研
(22)
[変更あり]
13:05-13:25 微傾斜AlN(0001)面上へのGaN極薄膜量子井戸の作製と光学特性 船戸 充小林敬嗣川上養一京大
(23)
[変更あり]
13:25-13:45 UV-B領域AlGaN活性層の光学利得と内部ロスの転位密度依存性 田中隼也川瀬雄太名城大)・佐藤恒輔旭化成/名城大)・安江信次手良村昌平荻野雄矢名城大)・岩山 章名城大/三重大)・岩谷素顕竹内哲也上山 智名城大)・赤﨑 勇名城大/名大)・三宅秀人三重大
  13:45-14:00
[変更あり]
休憩 ( 15分 )
11月22日(金) 午後 
座長: 川口 真生(パナソニック)
14:00 - 15:00 [変更あり]
(24)
[変更あり]
14:00-14:20
[変更あり]
InGaN量子井戸におけるMobility Edgeの見積もり方法に関する理論的・実験的研究 藤田貴志坂井繁太池田優真山口敦史金沢工大)・草薙 進蟹谷裕也工藤喜弘冨谷茂隆ソニー
(25)
[変更あり]
14:20-14:40
[変更あり]
光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の推定 森 恵人高橋佑知森本悠也山口敦史金沢工大)・草薙 進蟹谷裕也工藤喜弘冨谷茂隆SONY
[変更あり]
(26)
[変更あり]
14:40-15:00
[変更あり]
光熱偏向分光によるIII-V族窒化物の評価 角谷正友物質・材料研究機構

講演時間
一般講演発表 15 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 東脇 正高(情報通信研究機構)
TEL : 042-327-6092 Fax : 042-327-5527
E- : m
大石 敏之(佐賀大学)
TEL : 0952-28-8642
E- :oi104cc-u 
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先 寺迫 智昭 (愛媛大学)
TEL: 089-927-9789 FAX: 089-927-9790
E-: amze-u 
LQE レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)   [今後の予定はこちら]
問合先 川北 泰雅(古河電気工業)
TEL 045-311-1219
E-: electc

永井 正也(大阪大学大学院)
TEL 06-6850-6507
E-: mimpes-u 
お知らせ ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/welcome.html
◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。


Last modified: 2019-11-14 15:41:02


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