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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 渡辺 重佳 (湘南工科大)
副委員長 杉井 寿博 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事 安斎 久浩 (ソニー), 遠藤 哲郎 (東北大)
幹事補佐 大西 克典 (九工大), 小野 行徳 (NTT)

日時 2009年11月12日(木) 10:00 - 16:20
2009年11月13日(金) 10:00 - 16:15
議題 プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
会場名 機械振興会館 地下3階研修1号室 
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.
(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

11月12日(木) 午前 
10:00 - 16:20
  10:00-10:10 イントロダクトリー・トーク 小田中紳二 (阪大) ( 10分 )
(1) 10:10-11:00 [招待講演]誘導結合通信による低消費電力3次元システムインテグレーションとその展望 黒田忠広慶大
(2) 11:00-11:50 [招待講演]MOSFETコンパクトモデルと今後の展開 ~ バルクMOSFETからマルチゲートMOSFETに向けて ~ SDM2009-135 三浦道子三宅正尭上口 光楠 隼太石村健太菊地原秀行Feldmann UweMattausch Hans Juergen広島大
  11:50-13:00 昼食 ( 70分 )
(3) 13:00-13:40 [招待講演]2009 SISPADレビュー SDM2009-136 田中克彦MIRAI-Selete
(4) 13:40-14:20 [招待講演]2009 SISPADレビュー (2) SDM2009-137 小川真人神戸大
  14:20-14:40 休憩 ( 20分 )
(5) 14:40-15:05 表面ポテンシャルを用いた薄膜トランジスタのドレイン電流モデル SDM2009-138 辻 博史阪大/JST)・鎌倉良成谷口研二阪大
(6) 15:05-15:30 回路シミュレーション用IGBTモデル"HiSIM-IGBT" SDM2009-139 三宅正尭舛岡弘基ウヴェ フェルドマン三浦道子広島大
(7) 15:30-15:55 MEMS等価回路ジェネレータの開発 SDM2009-140 藤原信代浅海和雄みずほ情報総研)・小池智之マイクロマシンセンター)・土屋智由京大)・橋口 原静岡大
(8) 15:55-16:20 CMOSバイオセンサー応用のためのデバイスモデリングとシミュレーション SDM2009-141 宇野重康中里和郎名大
11月13日(金) 午前 
10:00 - 16:15
(9) 10:00-10:25 自己発熱効果がナノスケールトランジスタの電気特性に与える影響 SDM2009-142 鎌倉良成森 伸也阪大/JST)・谷口研二阪大
(10) 10:25-10:50 原子論モデルにおけるR行列量子輸送シミュレーション SDM2009-143 ミリニコフ ゲナディ・○森 伸也鎌倉良成阪大/JST
(11) 10:50-11:15 フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析 SDM2009-144 竹田 裕NECエレクトロニクス)・河田道人NEC情報システムズ)・竹内 潔羽根正巳NECエレクトロニクス
(12) 11:15-11:40 微細金属配線における抵抗率のサイズ効果予測のためのモンテカルロ・シミュレーション SDM2009-145 来栖貴史和田 真松永範昭梶田明広谷本弘吉青木伸俊豊島義明柴田英毅東芝
  11:40-13:00 昼食 ( 80分 )
(13) 13:00-13:50 [チュートリアル招待講演]薄層SOIデバイスの性能、有用性と今後の展開の見通し ~ 20年前の議論、10年前の議論と現在の課題 ~ SDM2009-146 大村泰久関西大
(14) 13:50-14:40 [招待講演]微細MOSデバイスにおけるランダムばらつき SDM2009-147 竹内 潔MIRAI-Selete/NECエレクトロニクス)・西田彰男MIRAI-Selete)・平本俊郎MIRAI-Selete/東大
  14:40-15:00 休憩 ( 20分 )
(15) 15:00-15:25 チャネル不純物分布を正確に反映した離散化表面ポテンシャルモデルとその超高速不純物濃度ばらつき解析への応用 SDM2009-148 坂本浩則有本 宏増田弘生船山 敏熊代成孝MIRAI-Selete
(16) 15:25-15:50 Atomic Scale Analysis of the Degradation Mechanism of the Integrity High-k/Metal-gate Interface Caused by the Interaction between Point-Defects and Residual Strain around the Interface SDM2009-149 Ken SuzukiYuta ItohTatsuya InoueHideo MiuraTohoku Univ.)・Hideki YoshikawaKeisuke KobayashiNational Inst. for Materials Science)・Seiji SamukawaTohoku Univ.
(17) 15:50-16:15 構造緩和したSiO2中のSiクラスタへのタイトバイディング計算の適用 SDM2009-150 川端研二市川尚志渡辺浩志東芝

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 安斎 久浩(ソニー)
Tel 046-201-3297 Fax046-202-6572
E-: HiAniny 


Last modified: 2009-09-28 18:12:05


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