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研究会終了後に懇親会を開催いたします.



シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 遠藤 哲郎 (東北大)
副委員長 奈良 安雄 (富士通セミコンダクター)
幹事 小野 行徳 (NTT), 野村 晋太郎 (筑波大)
幹事補佐 笹子 佳孝 (日立)

日時 2011年 7月 4日(月) 09:00 - 17:40
議題 ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
会場名 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 
住所 〒464-8603 愛知県名古屋市千種区不老町
交通案内 JR名古屋駅から名古屋市営地下鉄 「名古屋大学」 下車、3番出口から徒歩3分
http://www.vbl.nagoya-u.ac.jp/access/index.html
会場世話人
連絡先
名古屋大学 大学院工学研究科 宮崎誠一
052-789-5447
他の共催 ◆応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会共催
お知らせ ◎研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください.

7月4日(月)  
09:00 - 17:40
(1) 09:00-09:20 高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現 川那子高暢角嶋邦之Parhat Ahmet筒井一生西山 彰杉井信之名取研二服部健雄岩井 洋東工大
(2) 09:20-09:40 SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成 影島博之日比野浩樹山口浩司NTT)・永瀬雅夫徳島大
(3) 09:40-10:00 Al2O3堆積膜をゲート絶縁膜に用いたSiC-MOSFETの作製と評価 山田泰之石黒暁夫東工大)・日野史郎三浦成久今泉昌之炭谷博昭三菱電機)・徳光永輔東工大
(4) 10:00-10:20 Defect analysis of HfO2/In0.53Ga0.47As interface using capacitance-voltage and conductance methods Darius ZadeRyuji HosoiAhmet ParhatKuniyuki KakushimaKazuo TsutsuiAkira NishiyamaNobuyuki SugiiKenji NatoriTakeo HattoriHiroshi IwaiTokyo Inst. of Tech.
  10:20-10:40 休憩 ( 20分 )
(5) 10:40-11:00 Si高指数面酸化過程のリアルタイム光電子分光による評価 大野真也井上 慧森本真弘新江定憲豊島弘明横浜国大)・吉越章隆寺岡有殿原子力機構)・尾形祥一横浜国大)・安田哲二産総研)・田中正俊横浜国大
(6) 11:00-11:20 XPS時間依存測定法によるSiO2/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価 石原由梨芝浦工大)・渋谷寧浩五十嵐 智東京都市大)・小林大輔JAXA)・野平博司東京都市大)・上野和良芝浦工大)・廣瀬和之JAXA
(7) 11:20-11:40 Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面 櫻井蓉子大毛利健治山田啓作筑波大)・角嶋邦之岩井 洋東工大)・白石賢二・○野村晋太郎筑波大
(8) 11:40-12:00 Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure Kusuman DariWakana TakeuchiKimihiko KatoShigehisa ShibayamaMitsuo SakashitaOsamu NakatsukaShigeaki ZaimaNagoya Univ.
(9) 12:00-12:20 Ge(100)表面の極薄TiOxキャッピングによるHfO2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御 村上秀樹藤岡知宏大田晃生三嶋健斗東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大
  12:20-13:20 昼食 ( 60分 )
(10) 13:20-13:40 Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果 柴山茂久名大)・加藤公彦名大/学振)・坂下満男竹内和歌奈中塚 理財満鎭明名大
(11) 13:40-14:00 Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御 加藤公彦名大/学振)・坂下満男竹内和歌奈中塚 理財満鎭明名大
(12) 14:00-14:20 金属/GeO2界面における化学結合状態の光電子分光分析 松井真史藤岡知宏大田晃生村上秀樹東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大
(13) 14:20-14:40 金属/Si界面の構造乱れによるショットキーバリア変調:第一原理計算による理論的検討 小日向恭祐中山隆史千葉大
(14) 14:40-15:00 ハフニウム酸化物への元素添加効果 ~ 第一原理計算による検討 ~ 中山利紀川崎 裕・○丸泉琢也東京都市大
(15) 15:00-15:20 ITO/HfO2 MOSキャパシタで、酸化・還元熱処理がVfbシフトへ及ぼす影響 生田目俊秀物質・材料研究機構)・山田博之芝浦工大)・大井暁彦物質・材料研究機構)・大石知司芝浦工大)・知京豊裕物質・材料研究機構
  15:20-15:40 休憩 ( 20分 )
(16) 15:40-16:00 高温熱処理によるTiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタック中Hf及びLa原子のTiN電極中への拡散とMIPS構造による抑制 大嶽祐輝有村拓晃佐伯雅之力石薫介北野尚武細井卓治志村考功渡部平司阪大
(17) 16:00-16:20 Evaluation of Electrical Property at SrTiO3 Bicrystal Interface by EBIC Tetsuji Kato・○Son Phu Thanh PhamYoshiaki NakamuraJun KikkawaAkira SakaiOsaka Univ.
(18) 16:20-16:40 RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性 大田晃生後藤優太西垣慎吾Guobin Wei村上秀樹東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大
(19) 16:40-17:00 グリーンレーザーによる積層構造シリコン薄膜の同時結晶化と薄膜デバイスへの応用 堀田昌宏奈良先端大/JST)・山崎浩司町田絵美奈良先端大)・石河泰明浦岡行治奈良先端大/JST
(20) 17:00-17:20 相変化チャネルトランジスタを用いた積層型NOR PRAMの設計 加藤 翔渡辺重佳湘南工科大
(21) 17:20-17:40 低消費電力型デバイスを用いたシステムLSIの設計法 鈴木良輔渡辺重佳湘南工科大

講演時間
一般講演発表 15 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 小野 行徳(NTT)
Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317
E-: o 


Last modified: 2011-04-19 09:39:53


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