お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2020年10月開催~)
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電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 安井 寛治 (長岡技科大)
副委員長 竹村 泰司 (横浜国大)
幹事 今井 欽之 (NTT), 野毛 悟 (沼津高専)
幹事補佐 島村 俊重 (NTT), 阿部 克也 (信州大)

レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) [schedule] [select]
専門委員長 河口 仁司 (奈良先端大)
副委員長 勝山 造 (住友電工)
幹事 佐藤 健二 (NEC), 宮本 智之 (東工大)

電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 橋詰 保 (北大)
副委員長 加地 徹 (豊田中研)
幹事 原 直紀 (富士通研), 津田 邦男 (東芝)
幹事補佐 須原 理彦 (首都大東京), 上田 哲三 (パナソニック)

日時 2010年11月11日(木) 10:00 - 17:15
2010年11月12日(金) 10:00 - 17:00
議題 窒化物および混晶半導体デバイス 
会場名 大阪大学 中ノ島センター 10Fホール 
住所 〒530-0005 大阪市北区中之島4-3-53
交通案内 京阪中之島線 中之島駅より 徒歩約5分または地下鉄四つ橋線 肥後橋駅より 徒歩約10分
http://www.onc.osaka-u.ac.jp/others/map/index.php
会場世話人
連絡先
パナソニック 上田哲三
06-6444-21
お知らせ ◎11日研究会終了後、懇親会を予定していますのでご参加下さい。
日時:2010年11月11日(木) 17:30開始
場所:大阪大学 中ノ島センター9F 交流サロン
(研究会会場の下の階です。)
会費:一般 \3,500、学生¥2,000
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

11月11日(木) 午前 
10:00 - 11:40
(1) 10:00-10:25 触媒反応により生成した高エネルギーH2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO結晶薄膜の光学特性 ED2010-142 CPM2010-108 LQE2010-98 三浦仁嗣大谷孝史黒田朋義西山 洋・○安井寛治長岡技科大
(2) 10:25-10:50 RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討 ED2010-143 CPM2010-109 LQE2010-99 荒木 努川島圭介山口智広立命館大)・名西やすし立命館大/ソウル国立大
(3) 10:50-11:15 疑似(111)Al基板上GaN薄膜のRF-MBE成長 ED2010-144 CPM2010-110 LQE2010-100 本田 徹林 才人後藤大雅井垣辰浩工学院大
(4) 11:15-11:40 Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討 ED2010-145 CPM2010-111 LQE2010-101 田辺 悟西尾 礼小林由貴根本幸祐宮本智之東工大
11月11日(木) 午後 
13:00 - 17:15
(5) 13:00-13:25 SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長 ED2010-146 CPM2010-112 LQE2010-102 奥村建太野村拓也三宅秀人平松和政三重大)・江龍 修名工大
(6) 13:25-13:50 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN ED2010-147 CPM2010-113 LQE2010-103 藤田浩平三宅秀人平松和政三重大)・乗松 潤平山秀樹理研
(7) 13:50-14:15 電子線励起法による深紫外光源用 Si-doped AlGaN の作製と特性評価 島原佑樹三宅秀人平松和政三重大)・福世文嗣岡田知幸高岡秀嗣吉田治正浜松ホトニクス
  14:15-14:30 休憩 ( 15分 )
(8) 14:30-14:55 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈 ED2010-148 CPM2010-114 LQE2010-104 山口敦史金沢工大)・小島一信京大
(9) 14:55-15:20 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 ~ SNOMによるEfficiency droop機構の解明 ~ ED2010-149 CPM2010-115 LQE2010-105 橋谷 享金田昭男船戸 充川上養一京大
(10) 15:20-15:45 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100 mW深紫外発光 ED2010-150 CPM2010-116 LQE2010-106 大音隆男Ryan G. Banal京大)・片岡 研ウシオ電機)・船戸 充川上養一京大
(11) 15:45-16:10 AlNテンプレート上高効率AlInN紫外線受光素子 ED2010-151 CPM2010-117 LQE2010-107 酒井佑輔市川淳規江川孝志名工大
  16:10-16:25 休憩 ( 15分 )
(12) 16:25-16:50 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性 ED2010-152 CPM2010-118 LQE2010-108 大井幸多北大)・橋詰 保北大/JST
(13) 16:50-17:15 ミリ波高出力GaN-HEMT ED2010-153 CPM2010-119 LQE2010-109 牧山剛三多木俊裕岡本直哉金村雅仁増田 哲中舍安宏常信和清今西健治富士通/富士通研)・原 直紀尾崎史朗中村哲一富士通研)・吉川俊英富士通/富士通研
11月12日(金) 午前 
10:00 - 11:40
(14) 10:00-10:25 GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価 ED2010-154 CPM2010-120 LQE2010-110 堀 祐臣原田脩央水江千帆子北大)・橋詰 保北大/JST
(15) 10:25-10:50 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価 ED2010-155 CPM2010-121 LQE2010-111 菊田大悟成田哲生高橋直子片岡恵太木本康司上杉 勉加地 徹豊田中研)・杉本雅裕トヨタ自動車
(16) 10:50-11:15 GaN自立基板を用いた縦型ダイオード ED2010-156 CPM2010-122 LQE2010-112 八木修一平田祥子住田行常別所公博河合弘治パウデック)・松枝敏晴碓井 彰古河機械金属
(17) 11:15-11:40 低転位GaN基板上縦型HFET ED2010-157 CPM2010-123 LQE2010-113 岡田政也斎藤 雄横山満徳中田 健八重樫誠司片山浩二上野昌紀木山 誠勝山 造中村孝夫住友電工
11月12日(金) 午後 
13:00 - 17:00
  - 【パネルセッション】「GaNトランジスターの進展と課題」
1)ノーマリオフのためのデバイス構造(70分) 司会:橋詰保(北大)
(休憩10分)
2)電流変動(コラプス)の機構と制御法(70分) 司会:橋詰保(北大)
(休憩10分)
3)GaNデバイスの長所・弱点(70分) 司会:加地徹(豊田中研)

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先  
LQE レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)   [今後の予定はこちら]
問合先 佐藤 健二(日本電気株式会社)
TEL 044-431-7616, FAX 044-431-7619
E-: snc

宮本 智之(東京工業大学)
TEL 045-924-5059, FAX 045-924-5977
E-: ttpi 
お知らせ ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 原 直紀 (富士通研究所)
TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168
E- : o
津田 邦男(東芝)
TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501
E- : oba
須原 理彦(首都大)
TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756
E- : t
上田 哲三(パナソニック)
TEL:075-956-8273、FAX:075-956-9110
E-zopac 


Last modified: 2010-11-05 13:44:13


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[研究会資料インデックス(vol. no.ごとの表紙と目次)]
 

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