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レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) [schedule] [select]
専門委員長 東盛 裕一
副委員長 栖原 敏明
幹事 吉村 了行, 八田 竜夫
幹事補佐 田所 貴志

電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 和保 孝夫
副委員長 葛原 正明
幹事 田中 毅, 新井 学
幹事補佐 高谷 信一郎

電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 石井 清
副委員長 上村 喜一
幹事 北本 仁孝, 松浦 徹
幹事補佐 清水 英彦, 豊田 誠治

日時 2005年10月13日(木) 09:30 - 18:00
2005年10月14日(金) 09:00 - 16:30
2005年10月15日(土) 09:00 - 12:00
議題 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般 (窒化物半導体国際ワークショップ) 
会場名 立命館大学 びわこ・くさつキャンパス ローム記念館5階大会議室 
住所 〒525-8577 滋賀県草津市野路東1丁目1-1
交通案内 JR南草津駅から近江鉄道バスで「立命館大学行き」または「立命館大学経由飛島グリーンヒル行き」にて約8分「立命館大学」下車
http://www.ritsumei.ac.jp/mng/gl/koho/annai/profile/access/
会場世話人
連絡先
理工学部 電子光情報工学科 名西やすし
077-566-1111
他の共催 ◆窒化物半導体国際ワークショップ共催
お知らせ ◎13日研究会終了後,下記のように懇親会を予定していますので是非御参加ください.
時間:18:30~20:00
場所:立命館大学 びわこ・くさつキャンパス ユニオンスクエア2階 レストラン ラ・ポーズ
会費:3000円

10月13日(木) 午前  特別セッションテーマ ”InNはどこまでよくなったか?”
09:30 - 12:20
(1) 09:30-09:50 凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化 武藤大祐直井弘之荒木 努北川幸雄黒内正仁羅 ヒョンソク名西やすし立命館大
(2) 09:50-10:10 常圧MOVPE成長InNの電気的光学的特性における成長時のNH3/TMIモル比依存性 三輪浩士永井泰彦橋本明弘山本あきお福井大
(3) 10:10-10:30 ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長 ~ 無極性InNの検討 ~ 熊谷裕也露口招弘寺木邦子荒木 努直井弘之名西やすし立命館大
(4) 10:30-10:50 原子状水素照射によるInNの極性評価 早川祐矢武藤大祐直井弘之鈴木 彰荒木 努名西やすし立命館大
  10:50-11:00 休憩 ( 10分 )
(5) 11:00-11:20 RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価 大橋達男石沢峻介Petter Holmström菊池昭彦岸野克巳上智大
(6) 11:20-11:40 RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価 黒内正仁高堂真也直井弘之荒木 努名西やすし立命館大
(7) 11:40-12:00 AlInN3元混晶の成長とInN/AlInN MQWs構造の作製評価 寺嶋 亘崔 成伯石谷善博吉川明彦千葉大
(8) 12:00-12:20 CP2Mgを用いたMOVPE成長InNのMgドーピング効果 永井泰彦三輪浩士丹羽弘和橋本明弘山本あきお福井大
10月13日(木) 午後  特別セッションテーマ "GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?"
13:30 - 18:00
(9) 13:30-13:50 C帯170W出力GaN-HEMTの開発 高田賢治桜井博幸松下景一増田和俊高塚眞治蔵口雅彦鈴木拓馬鈴木 隆広瀬真由美川崎久夫高木一考津田邦男東芝
(10) 13:50-14:10 Effect of epitaxial layer crystal quality on DC and RF characteristics of AlGaN/GaN short-gate HEMTs Kenji ShiojimaTakashi MakimuraTetsuya SuemitsuNaoteru ShigekawaMasanobu HirokiHaruki YokoyamaNTT
(11) 14:10-14:30 高温・高出力動作 Pnp AlGaN/GaN HBTs 熊倉一英牧本俊樹NTT
(12) 14:30-14:50 リセスゲートを用いたノーマリーオフAlGaN/GaN HEMT 中田 健川崎 健八重樫誠司ユーディナデバイス
(13) 14:50-15:10 GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaN ヘテロ接合トランジスタ 中澤敏志上田哲三井上 薫田中 毅松下電器)・石川博康江川孝志名工大
(14) 15:10-15:30 Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価 片山義章石川博康江川孝志名工大
  15:30-15:40 休憩 ( 10分 )
(15) 15:40-16:00 AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程 小谷淳二葛西誠也長谷川英機橋詰 保北大
(16) 16:00-16:20 GaN バッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究 檜木啓宏立命館大)・廣山雄一土屋忠厳山田朋幸岩見正之城川潤二郎新機能素子研究開発協会)・荒木 努立命館大)・鈴木 彰新機能素子研究開発協会/立命館大)・名西やすし立命館大
(17) 16:20-16:40 AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク 山田朋幸土屋忠厳城川潤二郎岩見正之新機能素子研究開発協会)・荒木 努立命館大)・鈴木 彰新機能素子研究開発協会/立命館大)・名西やすし立命館大
(18) 16:40-17:00 Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響 澤田孝幸米田里志高橋健輔北海道工大)・金 聖祐鈴木敏正日本工大
(19) 17:00-17:20 n+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性 重川直輝西村一巳横山春喜NTT)・宝川幸司神奈川工科大
(20) 17:20-17:40 RF-MBE選択成長法を用いたAlGaN/GaNナノ細線ネットワークの形成 及川 武佐藤威友長谷川英機橋詰 保北大
(21) 17:40-18:00 薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET 東脇正高小野島紀夫松井敏明NICT
10月14日(金) 午前  結晶成長・特性評価
09:00 - 14:00
(22) 09:00-09:20 四元混晶InAlBNの相分離に関するシミュレーション 木村健司松岡隆志東北大
(23) 09:20-09:40 PLD法により低温成長したⅢ族窒化物の特性 藤岡 洋東大/神奈川科学技術アカデミー)・太田実雄井上 茂小林 篤岡本浩一郎東大)・金 太源松木伸行神奈川科学技術アカデミー
(24) 09:40-10:00 化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積 小林俊章平山航史江川慎一秋山誠和子杉本浩一馬場太一本田 徹川西英雄工学院大
(25) 10:00-10:20 GaN微結晶を用いた紫外EL素子製作の検討 馬場太一秋山誠和子江川慎一小林俊章蓮沼範行本田 徹川西英雄工学院大
  10:20-10:30 休憩 ( 10分 )
(26) 10:30-10:50 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価 増田規宏石賀 章劉 玉懐三宅秀人平松和政三重大)・柴田智彦田中光浩日本ガイシ)・原口雅也桑野範之九大
(27) 10:50-11:10 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響 勝野琢弥大西 孝劉 玉懐黎 大兵三重大)・柴田智彦田中光浩日本ガイシ)・三宅秀人平松和政三重大
(28) 11:10-11:30 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長 土屋法隆クリッシュナン バラクリッシュナン岩谷素顕上山 智天野 浩赤崎 勇名城大)・下野健二野呂匡志高木 俊イビデン)・古庄智明シクスオン
(29) 11:30-11:50 高品質SiCウェーハの開発 古庄智明小林良平佐々木 信林 利彦木下博之塩見 弘シクスオン
  11:50-13:00 昼食 ( 70分 )
(30) 13:00-13:20 ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ 古川拓也木村 健佐藤威友葛西誠也長谷川英機橋詰 保北大
(31) 13:20-13:40 AlGaN/GaNへテロ構造を用いたPdショットキー型水素ガスセンサ 松尾一心木村 健長谷川英機橋詰 保北大
(32) 13:40-14:00 窒化物半導体を用いた光電気化学反応による水素生成 藤井克司JST)・小野雅人伊藤高志岩城安浩東京理科大)・大川和宏東京理科大/JST
10月14日(金) 午後  特別セッションテーマ "GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?"
14:00 - 16:30
(33) 14:00-14:20 高効率・高出力GaN系半導体レーザ 蔵本恭介大野彰仁三菱電機)・山田智雄岡川広明三菱電線)・川津善平川崎和重冨田信之塩沢勝臣金本恭三渡辺 寛竹見政義八木哲哉三菱電機)・村田博昭三菱電線)・島 顕洋三菱電機
(34) 14:20-14:40 光ディスク用高出力青紫色半導体レーザ 狩野隆司野村康彦畑 雅幸井上大二朗庄野昌幸三洋電機
  14:40-14:50 休憩 ( 10分 )
(35) 14:50-15:10 RF分子線エピタキシー法によるInGaNナノコラムLEDの作製と評価 菊池昭彦多田 誠岸野克巳上智大
(36) 15:10-15:30 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測 平山秀樹高野隆好理研)・大橋智昭理研/埼玉大)・藤川紗千恵理研)・鎌田憲彦埼玉大)・近藤行廣理研
(37) 15:30-15:50 InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係 金田昭男船戸 充京大)・成川幸男向井孝志日亜化学)・川上養一京大
(38) 15:50-16:10 InGaN/GaN三次元量子構造からの多色発光 船戸 充小谷晃央近藤 剛西塚幸司京大)・成川幸男向井孝志日亜化学)・川上養一京大
(39) 16:10-16:30 2インチ6枚仕様MOCVDを用いたInGaN/GaN量子井戸構造のPLによるIn偏析評価 池永和正生方映徳山口 晃阿久津仲男藤居勤二松本 功大陽日酸
10月15日(土) 午前  窒化物半導体に関するディスカッションセッション
09:00 - 12:00
(40) 09:00-10:00 1.GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばせるのか?
ディスカッションリーダー:塩島 謙次
内容:GaN電子デバイスの現状と課題のピックアップ
エピとデバイス特性の相関
(41) 10:00-11:00 2.内部量子効率100%を目指して
ディスカッションリーダー:川上 養一
検討内容:極性とデバイス性能、ドーピング効率、
転位と発光効率、組成不均一性、点欠陥と発光。
(42) 11:00-12:00 3.ナイトライド基板の将来
ディスカッションリーダー:碓井 彰
内容:気相成長法 vs.液相成長法 vs.フラックス法 vs.アンモノサーマル法
生産能力、コスト

講演時間
一般講演(20)発表 15 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
LQE レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)   [今後の予定はこちら]
問合先 吉村了行 (NTT)
TEL 046-240-3249, FAX 046-240-4345
E-: ryaecl
八田竜夫 (三菱電機)
TEL 072-780-2653, FAX 072-780-2663
E-: tlsilco 
お知らせ ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 田中 毅(松下電器)
TEL: 075-956-9083, FAX: 075-956-9110
E-: pac
新井 学(新日無)
TEL: 049-278-1477、FAX: 049-278-1419
E-: injr
高谷 信一郎(日立中研)
TEL: 0423-23-1111(内線3048)、FAX: 0423-27-7738
E-: crl 
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先 北本仁孝(東京工業大学)
TEL 045-924-5424, FAX 045-924-5433
E-: iem

松浦徹(ATR)
TEL 0774-95-1173, FAX 0774-95-1178
E-: hmatr 


Last modified: 2005-10-07 21:40:06


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