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レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) [schedule] [select]
専門委員長 栖原 敏明
副委員長 辻 伸二
幹事 杉立 厚志, 青木 雅博
幹事補佐 八田 竜夫

電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 和保 孝夫
副委員長 葛原 正明
幹事 田中 毅, 新井 学
幹事補佐 高谷 信一郎, 村田 浩一

電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 石井 清
副委員長 上村 喜一
幹事 松浦 徹, 豊田 誠治
幹事補佐 清水 英彦

日時 2006年10月 5日(木) 13:00 - 17:00
2006年10月 6日(金) 09:30 - 17:15
議題 窒化物および混晶半導体デバイス 
会場名 京都大学 桂キャンパス 桂ホール(Bクラスター 事務管理棟1F) 
住所 〒615-8530 京都市西京区京都大学桂
交通案内 JR向日町駅からバス20分または阪急京都線桂駅からバス12分
http://www.kogaku.kyoto-u.ac.jp/katsura/index.htm
会場世話人
連絡先
京都大学 大学院 工学研究科 川上 養一
075-383-2310
他の共催 ◆京都大学工学研究科共催
お知らせ ◎5日研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください.

10月5日(木) 午後 
13:00 - 17:00
(1) 13:00-13:25 X帯40W出力 AlGaN/GaN HEMTの開発 柏原 康増田和俊松下景一桜井博幸高塚眞治高木一考川崎久夫高田賢治津田邦男東芝
(2) 13:25-13:50 AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化 中田 健川崎 健松田慶太五十嵐武司八重樫誠司ユーディナデバイス
(3) 13:50-14:15 Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性 大来英之見田充郎佐野芳明丸井俊治伊藤正紀星 真一戸田典彦関 昇平OKI)・江川孝志名工大
(4) 14:15-14:40 SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの結晶成長に関する研究 岩崎天彦石川博康江川孝志名工大
(5) 14:40-15:05 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード 中澤一志上野弘明松尾尚慶柳原 学上本康裕上田哲三田中 毅松下電器
  15:05-15:20 休憩 ( 15分 )
(6) 15:20-15:45 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御 木村 健小谷淳二加藤寛樹田島正文小川恵理水江千帆子橋詰 保北大
(7) 15:45-16:10 XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価 小野島紀夫東脇正高NICT)・須田 淳木本恒暢京大)・三村高志NICT/富士通研)・松井敏明NICT
(8) 16:10-16:35 マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析 小坂賢一藤嶌辰也立命館大)・井上 薫素子協)・檜木啓宏立命館大)・山田朋幸土屋忠厳城川潤二郎神谷慎一素子協)・鈴木 彰立命館大/素子協)・荒木 努名西ヤスシ立命館大
(9) 16:35-17:00 ECR-MBE法によるSi基板上GaN薄膜作製への窒素プラズマが及ぼす影響 淀 徳男白石雄起平田清隆富田博之西江紀明堀部裕明岩田圭吾原田義之阪工大
10月6日(金) 午前 
09:30 - 17:15
(10) 09:30-09:55 470及び400 nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価 小島一信船戸 充川上養一京大)・ウルリヒ T シュワルツハラルド ブラウンレーゲンスブルグ大)・長濱慎一向井孝志日亜化学
(11) 09:55-10:20 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価 上田雅也小島一信船戸 充川上養一京大)・成川幸男向井孝志日亜化学
(12) 10:20-10:45 Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製 内田裕行上智大)・菊池昭彦岸野克巳上智大/JST
  10:45-11:00 休憩 ( 15分 )
(13) 11:00-11:25 Photoluminescence from inelastic scattering processes of excitons under intense-excitation conditions in a GaN thin film grown by Metal-organic vapor phase epitaxy Masaaki NakayamaHiroyasu TanakaOsaka City Univ.)・Masanobu AndoToshiya UemuraToyoda Gosei
(14) 11:25-11:50 InGaN微小バルク結晶からの電子線励起発光の特徴 蟹江 壽瀬間勇二東京理科大
(15) 11:50-12:15 電流注入発光寿命によるGan系LEDにおける内部量子効率の評価 財満康太郎東芝)・成田哲生名大)・斎藤真司橘 浩一名古 肇波多腰玄一布上真也東芝
  12:15-13:15 昼食 ( 60分 )
(16) 13:15-13:40 有機金属気相成長法によるGaN系ユニポーラUV LEDの製作 小林俊章小宮山重利増山佳宏本田 徹工学院大
(17) 13:40-14:05 様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価 渡邉浩崇飯田一喜竹田健一郎永松謙太郎住井隆文永井哲也クリシュナン バラクリシュナン岩谷素顕上山 智天野 浩赤崎 勇名城大)・坂東 章昭和電工
(18) 14:05-14:30 CS-MBD法によるGaN薄膜の製作におけるパルス状原料供給 新井雅俊杉本浩一江川慎一馬場太一澤田 勝本田 徹工学院大
(19) 14:30-14:55 ジメチルヒドラジンを窒素源に用いたGaNのマスクレスELO成長 清水 順瀧澤俊幸上田哲三松下電器
(20) 14:55-15:20 GaN/InAlN/GaNヘテロ障壁型可変容量ダイオード 田沼伸久久保田 稔鷹野致和明星大
  15:20-15:35 休憩 ( 15分 )
(21) 15:35-16:00 n-GaN/p-SiC/n-SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接合電気的特性に対するアクセプタ濃度の影響 甘利浩一須田 淳木本恒暢京大
(22) 16:00-16:25 SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価 山口哲生石田芳樹陳 晨萩原正宜林部林平山上朋彦阿部克也・○上村喜一信州大
(23) 16:25-16:50 ECR-MBE法による加工基板上InNナノドットの配列・サイズ制御 山口泰平直井弘之荒木 努名西やすし立命館大
(24) 16:50-17:15 ECR-MBE法によるSi基板上InN薄膜成長のN2+イオンダメージ軽減の効果 淀 徳男嶋田照也田川澄人西本 亮日高志郎石井圭太瀬川紘史平川順一原田義之阪工大

問合先と今後の予定
LQE レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)   [今後の予定はこちら]
問合先 杉立厚志 (三菱電機)
TEL 072-780-2653, FAX 072-780-3774
E-: SugiAMibiElectc
青木雅博(日立製作所)
TEL 042-323-1111, FAX 042-327-7786
E-: aoev 
お知らせ ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を新設します。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 田中 毅(松下電器)
TEL: 075-956-9083, FAX: 075-956-9110
E-: erlci
新井 学(新日無)
TEL: 049-278-1477、FAX: 049-278-1419
E-: injr
高谷 信一郎(日立中研)
TEL: 0423-23-1111(内線3048)、FAX: 0423-27-7738
E-: crl
村田 浩一(NTT)
TEL:046-240-2871、FAX:046-270-2872
E-aecl 
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先 北本仁孝(東京工業大学)
TEL 045-924-5424, FAX 045-924-5433
E-: iem

松浦徹(ATR)
TEL 0774-95-1173, FAX 0774-95-1178
E-: hmatr 


Last modified: 2006-07-27 19:47:08


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