電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催プログラム
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップ  戻る   前のSDM研究会 / 次のSDM研究会 [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT]  [Japanese] / [English] 

研究会終了後に懇親会を開催いたします.



シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 渡辺 重佳 (湘南工科大)
副委員長 杉井 寿博 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事 安斎 久浩 (ソニー), 遠藤 哲郎 (東北大)
幹事補佐 大西 克典 (九工大)

日時 2009年 6月19日(金) 09:30 - 18:05
議題 ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、第113研究集会「ゲートスタック研究の進展-Ge系材料を中心に」との合同開催) 
会場名 東京大学 駒場リサーチキャンパス生産技術研究所 An棟中セミナー室 (An401・402 
住所 〒153-8505 東京都目黒区駒場4-6-1
交通案内 東北沢駅より徒歩7分, 駒場東大前駅より徒歩10分または代々木上原駅より徒歩12分
http://www.iis.u-tokyo.ac.jp/access/access.html
会場世話人
連絡先
東京大学 生産技術研究所 藤岡洋
03-5452-6342
他の共催 ◆応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会共催
お知らせ ◎研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください.

6月19日(金) 午前  レギュラーセッション
09:30 - 11:50
  09:25-09:30 世話人挨拶 ( 5分 )
(1) 09:30-10:00 Geの材料物性ーSiとの比較 伊藤公平慶大
(2) 10:00-10:20 分子動力学法によるGeO2/Ge界面のモデリング ~ SiO2/Siとの違い ~ 渡邉孝信恩田知弥登坂 亮山本英明早大
(3) 10:20-10:40 Si酸化における界面反応の第一原理計算 秋山 亨三重大)・影島博之NTT)・植松真司慶大)・伊藤智徳三重大
  10:40-10:50 休憩 ( 10分 )
(4) 10:50-11:20 GeO2/Ge界面形成の物理と電気特性改善技術 渡部平司齊藤真里奈齊藤正一朗岡本 学朽木克博細井卓治小野倫也志村考功阪大
(5) 11:20-11:50 GeMIS界面欠陥の電気的性質 田岡紀之水林 亘森田行則右田真司太田裕之半導体MIRAIプロジェクト)・高木信一半導体MIRAIプロジェクト/東大
  11:50-12:40 昼食 ( 50分 )
6月19日(金) 午後  レギュラーセッション
12:40 - 16:40
(6) 12:40-13:00 Ge MOSデバイスの熱安定性 ~ Ge oxygen [GeO(g)]脱ガスにおけるGe monoxide [GeO(II)]の役割 ~ 鎌田善己MIRAI-東芝)・高島 章東芝)・手塚 勉MIRAI-東芝
(7) 13:00-13:20 金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性 西村知紀長汐晃輔喜多浩之鳥海 明東大/JST
(8) 13:20-13:40 ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御 加藤公彦近藤博基坂下満男財満鎭明名大
(9) 13:40-14:00 HfO2/Ge MIS構造のF2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上 今庄秀人Hyun LeeDong-Hun Lee吉岡祐一金島 岳奥山雅則阪大
  14:00-14:10 休憩 ( 10分 )
(10) 14:10-14:30 界面層にHfGeNおよびGeO2を有するhigh-k膜/Ge構造の形成と電気的評価 ~ Ge基板への絶縁膜形成 ~ 中島 寛平山佳奈楊 海貴王 冬九大
(11) 14:30-14:50 熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO2/Ge構造の界面サブオキサイドの光電子分光分析 村上秀樹小埜芳和大田晃生東 清一郎宮崎誠一広島大
(12) 14:50-15:10 LaAlO/Ge構造へのALD-Al2O3界面制御層挿入の効果 坂下満男加藤亮祐京極真也近藤博基財満鎭明名大
(13) 15:10-15:30 低しきい値pMISFETに向けたAl2O3を堆積させたHfO2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討 諸岡 哲松木武雄三瀬信行神山 聡生田目俊秀栄森貴尚奈良安雄由上二郎池田和人大路 譲半導体先端テクノロジーズ
  15:30-15:40 休憩 ( 10分 )
(14) 15:40-16:00 LaまたはAl添加によるHfSiOn/SiO2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係 辰村光介石原貴光犬宮誠治中嶋一明金子明生後藤正和川中 繁木下敦寛東芝
(15) 16:00-16:20 High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ 小原孝介山下一郎奈良先端大)・八重樫利武茂庭昌弘吉丸正樹半導体理工学研究センター)・浦岡行治奈良先端大/JST
(16) 16:20-16:40 Pr(EtCp)3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成 近藤博基古田和也松井裕高坂下満男財満鎭明名大
  16:40-16:50 休憩 ( 10分 )
6月19日(金) 午後  ショートプレゼンテーション
16:50 - 17:05
(17) 16:50-16:55 極薄LaOxからHfO2/SiO2層へのLa原子の拡散 大田晃生貫目大介東 清一郎宮崎誠一広島大
(18) 16:55-17:00 ドープした金属シリサイドの電子構造に関する理論的検討 五月女真一中山隆史千葉大
(19) 17:00-17:05 TiO2/Pt界面の化学結合および電子状態評価 後藤優太貫目大介大田晃生尉 国浜村上秀樹東 清一郎宮崎誠一広島大
6月19日(金) 午後  ポスターセッション
17:05 - 18:05
  - ポスターボードのサイズ(1件当たり):
横90cm縦150cm

ショートプレゼンテーション以外の一般口頭発表者に対しても、
口頭発表で用いた図面をベースとしたポスター発表を歓迎いたします。希望者は、6月5日までに、宮崎(-u)へご一報下さい。
  18:05-19:35 懇親会 ( 90分 )

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 川中繁 (東芝)
TEL 045-776-5670, FAX 045-776-4104
E- geba 


Last modified: 2009-04-27 21:16:32


ご注意: 迷惑メール対策のためメールアドレスの一部の文字を置換しております.ご了承ください.

[この開催に関する講演論文リストをダウンロードする] ※ こちらのページの最下にあるダウンロードボタンを押してください
 

[技術研究報告冊子体販売対象研究会向け:技報の当日価格一覧] ※ 開催2週間前頃に掲載されます
 
[研究会発表・参加方法,FAQ] ※ ご一読ください
 
[研究会資料インデックス(vol. no.ごとの表紙と目次)]
 

[SDM研究会のスケジュールに戻る]   /  
 
 トップ  戻る   前のSDM研究会 / 次のSDM研究会 [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT]  [Japanese] / [English] 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会