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会場は湯布院の中心からタクシーで10分程度かかることや 観光地のため宿泊施設の予約が取り難いことから、会場施設 「七色の風」の部屋を発表者及び聴講者用に確保しております。 ご宿泊ご希望の方は幹事の相本までご連絡ください。

・\11,000/人で4人部屋(相部屋)
・10部屋を確保(先着順)
・定員になり次第対応終了

他の宿泊施設または同施設で上記4人部屋(相部屋)以外を利用 の場合は、各人で対応してください。

講演時間について
一般講演:発表 20分、質疑 10分
招待講演:発表 40分、質疑 10分
で実施させて頂きます。

ICD幹事 相本代志治(NECエレクトロニクス)
E-mail:yoshiharu.aimoto@necel.com



集積回路研究会(ICD) [schedule] [select]
専門委員長 中屋 雅夫
副委員長 松澤 昭
幹事 甲斐 康司, 相本 代志治
幹事補佐 永田 真, 藤島 実

日時 2007年 4月12日(木) 09:00 - 17:30
2007年 4月13日(金) 09:10 - 14:50
議題 新メモリ技術とシステムLSI<オーガナイザ:堂阪 勝己(ルネサステクノロジ)> 
会場名 大分県・湯布院・七色の風 
住所 〒879-5102 大分県由布市湯布院町川上1946-25
交通案内 由布院駅から車で約7分:駅からゆふいん七色の風まで無料送迎あり
http://www.oitakotsu.co.jp/timetable/airliner/yufuin.php
お知らせ ◎4/12(木)研究会終了後、懇親会を予定しています。ご参加される方はICD幹事の相本までご連絡ください。締め切りは4/5(木)です。
◎講演時間についてですが、
一般講演:発表 20分、質疑 10分
◎招待講演:発表 40分、質疑 10分

4月12日(木) 午前 
09:00 - 10:30
(1) 09:00-09:30 混載向け高速MRAMセル技術 崎村 昇杉林直彦根橋竜介本庄弘明志村健一笠井直記NEC
(2) 09:30-10:00 STT-MRAMに向けた低読出し電圧・高速センスアンプの検討 上田善寛岩田佳久稲場恒夫清水有威板垣清太郎土田賢二東芝
(3) 10:00-10:30 セルフリファレンスセンスアンプを用いた高密度1T-4MTJ MRAM 村井泰光谷崎弘晃ルネサスデザイン)・辻 高晴大谷 順山口雄一郎古田陽雄上野修一大石 司林越正紀日高秀人ルネサステクノロジ
4月12日(木) 午前 
10:40 - 12:00
(4) 10:40-11:10 MIM(Metal-Insulator-Metal) キャパシタを用いた混載DRAM用デバイステクノロジー 谷川高穂山縣保司白井浩樹杉村啓世和気智子井上 顕佐甲 隆坂尾眞人NECエレクトロニクス
(5) 11:10-12:00 [招待講演]書換え電流100μA、書換え速度416kB/sで動作する混載向け512kB相変化メモリ 小田部 晃半澤 悟日立)・北井直樹日立超LSIシステムズ)・長田健一松井裕一松崎 望高浦則克日立)・茂庭昌弘ルネサステクノロジ)・河原尊之日立
4月12日(木) 午後 
13:00 - 15:20
(6) 13:00-13:50 [招待講演]双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM(SPin-transfer torque RAM) 竹村理一郎河原尊之三浦勝哉日立)・早川 純日立/東北大)・池田正二李 永珉佐々木龍太郎東北大)・後藤 康伊藤顕知日立)・目黒敏靖松倉文礼東北大)・高橋宏昌日立/東北大)・松岡秀行日立)・大野英男東北大
(7) 13:50-14:20 ビット線の電力を削減する実時間動画像処理応用2-port SRAM 藤原英弘新居浩二野口紘希宮越純一村地勇一郎森田泰弘川口 博吉本雅彦神戸大
(8) 14:20-14:50 低消費電力SoCプラットフィームに適し、電圧スケーラビリティ及び加速スクリーニング性を有する、Advanced-DFM RAM 島野裕樹森下 玄堂阪勝己有本和民ルネサステクノロジ
(9) 14:50-15:20 バルク型サイリスタを用いた高速動作SRAMセルの開発 杉崎太郎中村元昭柳田将志本田元就篠原光子生田哲也大地朋和釘宮克尚山本 亮神田さおり山村育弘屋上公二郎小田達治ソニー
4月12日(木) 午後 
15:30 - 17:30
(10) 15:30-17:30 [パネル討論][口頭発表] 45nm時代以降のSRAMの諸問題と解決策(仮題) 吉本雅彦神戸大
4月13日(金) 午前 
09:10 - 10:30
(11) 09:10-09:40 Floating Body RAM技術開発及びその32nm nodeへ向けたScalability 中島博臣楠 直樹篠 智彰東芝)・東 知輝東芝マイクロエレクトロニクス)・大澤 隆藤田勝之幾見宣之松岡史宜福田 良渡辺陽二南 良博東芝)・坂本篤史東芝情報システム)・西村 潤浜本毅司仁田山晃寛東芝
(12) 09:40-10:30 [招待講演]A 65 nm Embedded SRAM with Wafer Level Burn-In Mode, Leak-Bit Redundancy and E-trim Fuse for Known Good Die Shigeki OhbayashiMakoto YabuuchiKazushi KonoRenesas Technology)・Yuji OdaShikino High-Tech)・Susumu ImaokaRenesas Design)・Keiichi UsuiDaioh Electric)・Toshiaki YonezuTakeshi IwamotoKoji NiiYasumasa TsukamotoMasashi ArakawaTakahiro UchidaHiroshi MakinoKoichiro IshibashiHirofumi ShinoharaRenesas Technology
4月13日(金) 午前 
10:30 - 11:50
(13) 10:30-11:00 0.14pJ/b 誘導結合トランシーバ 三浦典之石黒仁揮慶大)・桜井貴康東大)・黒田忠広慶大
(14) 11:00-11:50 [招待講演]SOIプラットフォーム組み込み用高密度メモリ:Twin transistor RAM(TT-RAM) 有本和民森 下玄林 勇堂阪勝己ルネサステクノロジ
4月13日(金) 午後 
13:00 - 14:50
(15) 13:00-13:50 [招待講演]高速ユニポーラスイッチングRRAM技術 細井康成玉井幸夫大西哲也石原数也渋谷隆広井上雄史山崎信夫中野貴司大西茂夫粟屋信義シャープ)・井上 公島 久秋永広幸高木英典赤穂博司産総研
(16) 13:50-14:20 不純物トラップメモリによる電荷の面内再分配抑制と高温保持力向上 砂村 潤五十嵐多恵子森岡あゆ香小辻 節忍田真希子五十嵐信行藤枝信次渡辺啓仁NEC
(17) 14:20-14:50 二重接合を用いた25nmSONOS型メモリ素子 大場竜二三谷祐一郎杉山直治藤田 忍東芝

問合先と今後の予定
ICD 集積回路研究会(ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 相本代志治 (NECエレクトロニクス)
TEL 044-435-1258,FAX 044-435-1878
E-:aicel 


Last modified: 2007-03-30 14:57:54


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