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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 橋詰 保 (北大)
副委員長 加地 徹 (豊田中研)
幹事 村田 浩一 (NTT), 原 直紀 (富士通研)
幹事補佐 津田 邦男 (東芝), 須原 理彦 (首都大東京)

マイクロ波研究会(MW) [schedule] [select]
専門委員長 本城 和彦 (電通大)
副委員長 大平 孝 (豊橋技科大), 黒木 太司 (呉高専)
幹事 真田 篤志 (山口大), 川端 和生 (富士通研)
幹事補佐 佐藤 圭 (NTTドコモ), 柴田 幸司 (八戸工大)

日時 2010年 1月13日(水) 13:00 - 16:15
2010年 1月14日(木) 10:00 - 15:55
2010年 1月15日(金) 09:30 - 12:10
議題 化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス/一般 
会場名 機械振興会館 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 東京メトロ日比谷線神谷町駅下車 徒歩8分
http://www.jspmi.or.jp/kaikan.htm

1月13日(水)  
13:00 - 16:15
(1) 13:00-13:25 マイクロストリップ5モードステップインピーダンス共振器を用いた小型UWB帯域通過フィルタの設計 別府昭人馬 哲旺埼玉大)・陳 春平穴田哲夫神奈川大)・小林禧夫埼玉大
(2) 13:25-13:50 FR-4基板を用いた30GHz帯BITラインフィルタ 表 祐介黒木太司呉高専
(3) 13:50-14:15 共振器で測定した複素誘電率による位相遅れδの評価 杉山順一産総研
  14:15-14:25 休憩 ( 10分 )
(4) 14:25-14:50 4段コプレーナ共振器フィルタを用いたスプリアス抑制の広帯域化 長福隆広出口博之辻 幹男同志社大)・藤田容孝シャープ
(5) 14:50-15:15 All-Pass/容量結合BPF切替形MMIC移相器 幸丸竜太半谷政毅重永晃一山口真美子檜枝護重三菱電機
  15:15-15:25 休憩 ( 10分 )
(6) 15:25-15:50 左手系導波管の新しい構成法 池内裕章・○太田 勲兵庫県立大)・岸原充佳岡山県立大)・河合 正兵庫県立大)・松本公志古野電気
(7) 15:50-16:15 60GHz帯における帯域阻止形自己注入同期NRDガイドガン発振器の理論及び実験的検討 大上晃一黒木太司呉高専)・米山 務東北工大
1月14日(木)  
10:00 - 15:55
(8) 10:00-10:25 Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET 金澤 徹若林和也齋藤尚史寺尾良輔田島智宣池田俊介宮本恭幸古屋一仁東工大
(9) 10:25-10:50 HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱 山田真之上澤岳史宮本恭幸古屋一仁東工大
(10) 10:50-11:15 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT 大井幸多橋詰 保北大
  11:15-13:00 昼食 ( 105分 )
(11) 13:00-13:40 [招待講演]高性能ZnO系FETの開発 ~ デバイス応用と高周波特性 ~ 佐々誠彦小池一歩前元利彦矢野満明井上正崇阪工大
(12) 13:40-14:05 Al2O3/AlGaN/GaNおよびAl2O3/n-GaN構造における界面特性 水江千帆子堀 祐臣橋詰 保北大
(13) 14:05-14:30 HfO2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析 林 慶寿岸本 茂水谷 孝名大
  14:30-14:40 休憩 ( 10分 )
(14) 14:40-15:05 再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs 廣木正伸前田就彦重川直輝NTT
(15) 15:05-15:30 AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT 橋本 信秋田勝史田辺達也中幡英章住友電工)・竹田健一郎天野 浩名城大
(16) 15:30-15:55 閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET 大田一樹遠藤一臣岡本康宏安藤裕二宮本広信嶋脇秀徳NEC
1月15日(金)  
09:30 - 12:10
(17) 09:30-09:55 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発 中舍安宏川野陽一鈴木俊秀富士通)・多木俊裕富士通研)・高橋 剛牧山剛三原 直紀富士通
(18) 09:55-10:20 InP HBTによる32-GS/s 6-bitダブルサンプリング型D/A変換器 長谷宗彦野坂秀之山中祥吾佐野公一村田浩一NTT
(19) 10:20-10:45 InPによるPVT補償回路付き擬似正弦波関数発生器 ~ ベクトル合成型多相器の線形制御のために ~ 野坂秀之長谷宗彦山中祥吾佐野公一村田浩一NTT
  10:45-10:55 休憩 ( 10分 )
(20) 10:55-11:20 低電圧・広帯域動作CDMA用HBT電力増幅器 山本和也岡村篤司松塚隆之吉井 泰鈴木 敏中山正敏紫村輝之吉田直人三菱電機
(21) 11:20-11:45 50%比帯域を有するX帯高耐電力GaN HEMT T/Rスイッチ 半谷政毅垂井幸宣加茂宣卓檜枝護重三菱電機
(22) 11:45-12:10 WLCSP技術を用いた次世代通信向け高性能・低コストMMICの開発 藤田清次今川昌樹佐藤富雄徳満恒雄長谷川祐一住友電工

講演時間
招待講演発表 35 分 + 質疑応答 5 分
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 村田 浩一(NTT)
TEL:046-240-2871、FAX:046-270-2872
E-aecl
原 直紀 (富士通研究所)
TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168
E- : o
津田 邦男(東芝)
TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501
E- : oba
須原 理彦(首都大)
TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756
E- : t 
MW マイクロ波研究会(MW)   [今後の予定はこちら]
問合先 柴田幸司 (八戸工業大学)
TEL:0178-25-8271
FAX:0178-25-1430
E-:ba-
もしくは
真田篤志(山口大学)
E-:asgu-u 


Last modified: 2009-11-18 16:38:04


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