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超伝導エレクトロニクス研究会(SCE) [schedule] [select]
専門委員長 神代 暁 (産総研)
幹事 竹内 尚輝 (横浜国大), 三木 茂人 (NICT)
幹事補佐 赤池 宏之 (大同大)

日時 2019年 8月 9日(金) 10:00 - 17:05
議題 デバイス関係、薄膜、一般 
会場名 産業技術総合研究所 つくば中央第2事業所 2-12棟 2階 第6会議室 
交通案内 「つくば駅」から各種バスまたはタクシーをご利用ください。
https://www.aist.go.jp/aist_j/guidemap/tsukuba/center/tsukuba_map_c.html
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(SCE研究会)についてはこちらをご覧ください.

8月9日(金) 午前 
10:00 - 12:05
(1) 10:00-10:25 Development of cavity structures with broadband optical absorption
-- Superconducting transition edge sensors (TESs) array --
Toshio KonnoSachiko TakasuKaori HattoriDaiji FukudaDaiji DaijiAIST
(2) 10:25-10:50 入力相互インダクタンス増大によるマイクロ波SQUIDマルチプレクサの電流雑音低減 平山文紀産総研)・中島裕貴JAXA)・神代 暁山森弘毅永沢秀一佐藤 昭産総研)・山崎典子満田和久JAXA
(3) 10:50-11:15 可視光用超伝導転移端センサアレイの読出しに向けたマイクロ波SQUIDマルチプレクサの評価 中田直樹東大/産総研)・服部香里産総研)・中島裕貴産総研/JAXA)・平山文紀山本 亮山森弘毅神代 暁佐藤 昭産総研)・高橋浩之東大)・福田大治産総研
(4) 11:15-11:40 微小Josephson接合列の輻射検出器としての利用性の評価 鈴木俊貴カニョロ ゴドゥウィリ ビティ西垣宏志水柿義直島田 宏電通大
(5) 11:40-12:05 Spiral-MKIDsにおける雑音等価電力のNbN膜厚依存性 齊藤 敦岡 大輝加藤圭起倉科大輔鈴木快飛仲田優介中島健介山形大
  12:05-13:05 休憩 ( 60分 )
8月9日(金) 午後 
13:05 - 17:05
(6) 13:05-13:30 Nb3Ge超伝導薄膜の作製と評価 川上 彰寺井弘高NICT)・鵜澤佳徳‎NAOJ
(7) 13:30-13:55 固有ジョセフソン接合テラヘルツ波発振素子の放射パターン測定系の構築 江口哲平立木 隆内田貴司防衛大
(8) 13:55-14:20 ランダムアクセスメモリにおける超伝導ナノ構造ラインドライバの検討 佐野京佑近藤真生田中雅光名大)・山下太郎名大/JSTさきがけ)・井上真澄名城大)・藤巻 朗名大
(9) 14:20-14:45 二重SQUIDを採用したRSFQ分布型出力アンプの設計と動作実証 樋口孔明島田 宏・○水柿義直電通大
(10) 14:45-15:10 高Jcプロセスを用いたSFQ論理によるディジタルSQUID磁束計の性能評価 板垣航希松縄 諒大嶋一太長谷川雄一成瀬雅人田井野 徹明連広昭埼玉大
  15:10-15:25 休憩 ( 15分 )
(11) 15:25-15:50 単一磁束量子回路を用いた8-point 7-bit FFTプロセッサの動作実証 柯 飛山梨裕希吉川信行横浜国大
(12) 15:50-16:15 量子ビット操作用振幅可変SFQマイクロ波スイッチの検討 道林詩織竹内尚輝山梨裕希吉川信行横浜国大
(13) 16:15-16:40 断熱量子磁束パラメトロン回路を用いた5入力Majorityゲートの研究 山﨑祐一山栄大樹竹内尚輝吉川信行横浜国大
(14) 16:40-17:05 ゲート間配線を考慮した断熱型量子磁束パラメトロン回路のビット誤り率の評価 伊東大樹竹内尚輝山梨裕希吉川信行横浜国大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SCE 超伝導エレクトロニクス研究会(SCE)   [今後の予定はこちら]
問合先 竹内 尚輝(横浜国大)
TEL: 045-339-4467
E-: u-o-kxy 


Last modified: 2019-06-20 13:12:33


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